952 matches
-
cuptoarelor cu arc și a instalațiilor de sudare electrică și poluarea armonică, introdusă de instalații de electroliză de mare putere. Crește gradul de utilizare al sistemelor electronice în automatizări, fenomen accelerat încă prin apariția unor dispozitive semiconductoare de bază, ca tranzistorul și tiristorul. Puterea consumată în instalațiile de protecție și automatizare scade, ceea ce permite proliferarea acestora. Astfel, instalațiile de curenți slabi, din ce în ce mai numeroase, funcționează tot mai aproape, sub raport geometric, de instalațiile de curenți tari, fapt care introduce disfuncții datorate interacțiunilor
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
SEMICONDUCTOARE ȘI CONVERTOARELOR ELECTRONICE DE PUTERE 3.1. Dispozitive semiconductoare de putere Dispozitivele semiconductoare de putere sunt rezistoare, comandate sau nu, cu caracter puternic nelinear. Principalele dispozitive semiconductoare de putere sunt: dioda, tiristorul, triacul, tiristorul cu blocare pe poartă (GTO), tranzistorul bipolar de putere, tranzistorul cu grilă izolată (IGBT), tiristorul controlat MOS (MCT). 3.1.1. Dioda Dioda este formată dintr-o joncțiune pn, realizată într-un monocristal de siliciu sau germaniu, având contacte metalice atașate celor două regiuni, anod (pe
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
DE PUTERE 3.1. Dispozitive semiconductoare de putere Dispozitivele semiconductoare de putere sunt rezistoare, comandate sau nu, cu caracter puternic nelinear. Principalele dispozitive semiconductoare de putere sunt: dioda, tiristorul, triacul, tiristorul cu blocare pe poartă (GTO), tranzistorul bipolar de putere, tranzistorul cu grilă izolată (IGBT), tiristorul controlat MOS (MCT). 3.1.1. Dioda Dioda este formată dintr-o joncțiune pn, realizată într-un monocristal de siliciu sau germaniu, având contacte metalice atașate celor două regiuni, anod (pe zona p), respectiv catod
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
fi comandat (amorsat, respectiv blocat) integral prin aplicarea de semnale pe poartă: cu semnal pozitiv poate fi trecut în conducție, iar cu semnal negativ poate fi blocat. Deși este un dispozitiv semiconductor cu trei joncțiuni, tiristorul GTO se aseamănă cu tranzistorul bipolar npn prin polaritatea tensiunii de alimentare anod-catod și prin polaritatea semnalelor de amorsare, respectiv blocare. În comparație cu tranzistorul bipolar, tiristorul GTO prezintă avantajul unor puteri de valoare redusă consumate în circuitul de poartă atât pentru amorsare cât și pentru blocare
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
în conducție, iar cu semnal negativ poate fi blocat. Deși este un dispozitiv semiconductor cu trei joncțiuni, tiristorul GTO se aseamănă cu tranzistorul bipolar npn prin polaritatea tensiunii de alimentare anod-catod și prin polaritatea semnalelor de amorsare, respectiv blocare. În comparație cu tranzistorul bipolar, tiristorul GTO prezintă avantajul unor puteri de valoare redusă consumate în circuitul de poartă atât pentru amorsare cât și pentru blocare. Cele două procese de comutație (amorsare, blocare) necesită semnale de comandă în circuitul de poartă numai pe duratele
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
GTO nu mai poate fi blocat, indiferent cât de mare este impulsul negativ aplicat pe poartă. Utilizarea tiristoarelor GTO în locul celor convenționale conduce la simplificări notabile atât în circuitele de forță cât și în cele de comandă. 3.1.5. Tranzistorul bipolar de putere Tranzistorul bipolar este un dispozitiv semiconductor comandabil cu trei straturi pnp sau npn având trei terminale (colector-C, emitor-E, respectiv baza-B), Fig.3.8. În regim linear, curentul de colector IC este o funcție de curentul de bază IB.
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
fi blocat, indiferent cât de mare este impulsul negativ aplicat pe poartă. Utilizarea tiristoarelor GTO în locul celor convenționale conduce la simplificări notabile atât în circuitele de forță cât și în cele de comandă. 3.1.5. Tranzistorul bipolar de putere Tranzistorul bipolar este un dispozitiv semiconductor comandabil cu trei straturi pnp sau npn având trei terminale (colector-C, emitor-E, respectiv baza-B), Fig.3.8. În regim linear, curentul de colector IC este o funcție de curentul de bază IB. O variație liniară a
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
curentul de bază IB. O variație liniară a curentului de bază duce la o variație corespunzătoare amplificată a curentului de colector pentru o tensiune colectoremitor, UCE, dată. În Fig.3.9 este reprezentată o familie de caracteristici de ieșire ale tranzistorului bipolar npn care redau dependența curentului de colector de tensiunea colector-emitor, la curenți de bază constanți: IC=f(UCE)/IB=ct. Pentru o anumită tensiune colector emitor, la IB=0 tranzistorul este blocat și prin acesta circulă un curent de
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
este reprezentată o familie de caracteristici de ieșire ale tranzistorului bipolar npn care redau dependența curentului de colector de tensiunea colector-emitor, la curenți de bază constanți: IC=f(UCE)/IB=ct. Pentru o anumită tensiune colector emitor, la IB=0 tranzistorul este blocat și prin acesta circulă un curent de colector mic, denumit curent rezidual sau de fugă (punctul 1). Creșterea tensiunii UCE provoacă străpungerea prin avalanșă a tranzistorului. Prin creșterea curentului de bază se poate ajunge în zona de saturație
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
UCE)/IB=ct. Pentru o anumită tensiune colector emitor, la IB=0 tranzistorul este blocat și prin acesta circulă un curent de colector mic, denumit curent rezidual sau de fugă (punctul 1). Creșterea tensiunii UCE provoacă străpungerea prin avalanșă a tranzistorului. Prin creșterea curentului de bază se poate ajunge în zona de saturație când prin tranzistor va circula un curent de colector mare la tensiuni UCE mici (punctul 2). Inversarea tensiunii colector-emitor provoacă străpungerea joncțiunii bază-emitor la o tensiune de aproximativ
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
și prin acesta circulă un curent de colector mic, denumit curent rezidual sau de fugă (punctul 1). Creșterea tensiunii UCE provoacă străpungerea prin avalanșă a tranzistorului. Prin creșterea curentului de bază se poate ajunge în zona de saturație când prin tranzistor va circula un curent de colector mare la tensiuni UCE mici (punctul 2). Inversarea tensiunii colector-emitor provoacă străpungerea joncțiunii bază-emitor la o tensiune de aproximativ 10V. Datorită acestui fapt trebuie evitată funcționarea tranzistorului în invers, iar în circuitele în care
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
ajunge în zona de saturație când prin tranzistor va circula un curent de colector mare la tensiuni UCE mici (punctul 2). Inversarea tensiunii colector-emitor provoacă străpungerea joncțiunii bază-emitor la o tensiune de aproximativ 10V. Datorită acestui fapt trebuie evitată funcționarea tranzistorului în invers, iar în circuitele în care există posibilitatea inversării polarității tensiunii de alimentare, se montează o diodă în serie cu circuitul de colector al tranzistorului. în aplicațiile de putere, tranzistorul bipolar funcționează, de obicei, în comutație (ca întrerupător). La
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
joncțiunii bază-emitor la o tensiune de aproximativ 10V. Datorită acestui fapt trebuie evitată funcționarea tranzistorului în invers, iar în circuitele în care există posibilitatea inversării polarității tensiunii de alimentare, se montează o diodă în serie cu circuitul de colector al tranzistorului. în aplicațiile de putere, tranzistorul bipolar funcționează, de obicei, în comutație (ca întrerupător). La curent de bază nul, tranzistorul este blocat și circuitul este considerat deschis, iar la curentul de bază care îl aduce în saturație el este practic ca
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
de aproximativ 10V. Datorită acestui fapt trebuie evitată funcționarea tranzistorului în invers, iar în circuitele în care există posibilitatea inversării polarității tensiunii de alimentare, se montează o diodă în serie cu circuitul de colector al tranzistorului. în aplicațiile de putere, tranzistorul bipolar funcționează, de obicei, în comutație (ca întrerupător). La curent de bază nul, tranzistorul este blocat și circuitul este considerat deschis, iar la curentul de bază care îl aduce în saturație el este practic ca un întrerupător închis, Fig.3
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
circuitele în care există posibilitatea inversării polarității tensiunii de alimentare, se montează o diodă în serie cu circuitul de colector al tranzistorului. în aplicațiile de putere, tranzistorul bipolar funcționează, de obicei, în comutație (ca întrerupător). La curent de bază nul, tranzistorul este blocat și circuitul este considerat deschis, iar la curentul de bază care îl aduce în saturație el este practic ca un întrerupător închis, Fig.3.10a. Tranzistorul fiind un dispozitiv comandabil trebuie să fie un acord între curentul de
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
funcționează, de obicei, în comutație (ca întrerupător). La curent de bază nul, tranzistorul este blocat și circuitul este considerat deschis, iar la curentul de bază care îl aduce în saturație el este practic ca un întrerupător închis, Fig.3.10a. Tranzistorul fiind un dispozitiv comandabil trebuie să fie un acord între curentul de colector și cel de bază, la funcționarea în comutație. Pentru a conserva comanda în saturație și a evita o sarcină de bază excesivă, curentul de bază trebuie să
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
să fie un acord între curentul de colector și cel de bază, la funcționarea în comutație. Pentru a conserva comanda în saturație și a evita o sarcină de bază excesivă, curentul de bază trebuie să fie cel necesar pentru menținerea tranzistorului în saturație. Fiind considerat întrerupător, pierderea de putere pe tranzistor trebuie să fie mică. Ea este datorată curentului rezidual, în poziția deschis, respectiv tensiunii de saturație și curentului de colector în poziția închis. Tensiunea de saturație tipică pentru un tranzistor
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
de bază, la funcționarea în comutație. Pentru a conserva comanda în saturație și a evita o sarcină de bază excesivă, curentul de bază trebuie să fie cel necesar pentru menținerea tranzistorului în saturație. Fiind considerat întrerupător, pierderea de putere pe tranzistor trebuie să fie mică. Ea este datorată curentului rezidual, în poziția deschis, respectiv tensiunii de saturație și curentului de colector în poziția închis. Tensiunea de saturație tipică pentru un tranzistor de putere cu siliciu este de circa 1,1 V.
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
tranzistorului în saturație. Fiind considerat întrerupător, pierderea de putere pe tranzistor trebuie să fie mică. Ea este datorată curentului rezidual, în poziția deschis, respectiv tensiunii de saturație și curentului de colector în poziția închis. Tensiunea de saturație tipică pentru un tranzistor de putere cu siliciu este de circa 1,1 V. 3.1.6. Tranzistorul MOS de putere Tranzistorul MOS (Metal Oxide Semiconductor) de putere este un tranzistor cu efect de câmp (FET-Field Effect Transistor) care are multiplicat numărul de canale
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
mică. Ea este datorată curentului rezidual, în poziția deschis, respectiv tensiunii de saturație și curentului de colector în poziția închis. Tensiunea de saturație tipică pentru un tranzistor de putere cu siliciu este de circa 1,1 V. 3.1.6. Tranzistorul MOS de putere Tranzistorul MOS (Metal Oxide Semiconductor) de putere este un tranzistor cu efect de câmp (FET-Field Effect Transistor) care are multiplicat numărul de canale prin care trece curentul de drenă. Interesul acordat semiconductoarelor cu efect de câmp este
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
curentului rezidual, în poziția deschis, respectiv tensiunii de saturație și curentului de colector în poziția închis. Tensiunea de saturație tipică pentru un tranzistor de putere cu siliciu este de circa 1,1 V. 3.1.6. Tranzistorul MOS de putere Tranzistorul MOS (Metal Oxide Semiconductor) de putere este un tranzistor cu efect de câmp (FET-Field Effect Transistor) care are multiplicat numărul de canale prin care trece curentul de drenă. Interesul acordat semiconductoarelor cu efect de câmp este datorat faptului că acestea
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
și curentului de colector în poziția închis. Tensiunea de saturație tipică pentru un tranzistor de putere cu siliciu este de circa 1,1 V. 3.1.6. Tranzistorul MOS de putere Tranzistorul MOS (Metal Oxide Semiconductor) de putere este un tranzistor cu efect de câmp (FET-Field Effect Transistor) care are multiplicat numărul de canale prin care trece curentul de drenă. Interesul acordat semiconductoarelor cu efect de câmp este datorat faptului că acestea sunt comandate în tensiune și nu în curent, ceea ce
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
de canale prin care trece curentul de drenă. Interesul acordat semiconductoarelor cu efect de câmp este datorat faptului că acestea sunt comandate în tensiune și nu în curent, ceea ce înseamnă că necesită un curent mediu de comandă neglijabil de mic. Tranzistorul MOS de putere, datorită acestui lucru, este caracterizat prin valori mari ale raportului dintre puterea de ieșire și cea de comandă. În Fig.3.11 sunt prezentate simbolul grafic și caracteristica de ieșire a unui tranzistor MOS de putere având
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
comandă neglijabil de mic. Tranzistorul MOS de putere, datorită acestui lucru, este caracterizat prin valori mari ale raportului dintre puterea de ieșire și cea de comandă. În Fig.3.11 sunt prezentate simbolul grafic și caracteristica de ieșire a unui tranzistor MOS de putere având canal de tip n. În aplicațiile de putere tranzistorul MOS este utilizat ca întrerupător electronic și deci acesta funcționează în comutație. În lipsa tensiunii de comandă VGS, curentul de drenă ID este practic neglijabil și astfel punctul
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
prin valori mari ale raportului dintre puterea de ieșire și cea de comandă. În Fig.3.11 sunt prezentate simbolul grafic și caracteristica de ieșire a unui tranzistor MOS de putere având canal de tip n. În aplicațiile de putere tranzistorul MOS este utilizat ca întrerupător electronic și deci acesta funcționează în comutație. În lipsa tensiunii de comandă VGS, curentul de drenă ID este practic neglijabil și astfel punctul de funcționare al tranzistorului se află pe dreapta OA (întrerupător deschis), Fig. 3
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]