3,378 matches
-
o creștere accelerată a vegetației fitobentonice sau a unor forme superioare de plante care să ducă la deformări nedorite ale echilibrului organismelor prezente în corpul de apă sau ale calității fizico-chimice a apei. Comunitatea fitobentonică nu este afectată negativ de fasciculele sau de învelișurile bacteriene prezente ca urmare a activității antropice. Compoziția taxonomică fitobentonică și macrofită diferă moderat față de comunitățile specifice acestui tip și este mult mai deformată decât în cazul unei stări bune. Apar modificări moderate în abundența macrofită și
jrc4605as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89771_a_90558]
-
și macrofită diferă moderat față de comunitățile specifice acestui tip și este mult mai deformată decât în cazul unei stări bune. Apar modificări moderate în abundența macrofită și fitobentonică medie. Comunitatea fitobentonică poate fi combinată și, în anumite zone, înlocuită cu fasciculele sau învelișurile bacteriene prezente ca urmare a activității antropice. Fauna nevertebrată bentonică Compoziția și abundența taxonomică corespund în totalitate sau aproape în totalitate condițiilor neperturbate. Raportul dintre categoriile taxonomice sensibile la modificări și cele insensibile nu arată nici o schimbare față de
jrc4605as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89771_a_90558]
-
de uzină al produsului ex Capitolul 90 9001 9002 9004 ex 9005 ex 9006 9007 9011 Instrumente și aparatură optică, fotografică, cinematografică, de măsură, verificare, de precizie, medicală sau chirurgicală; piese și accesorii ale acestora; mai puțin: Fibre optice și fascicule de fibre optice; cabluri din fibre optice și altele decât cele de la poziția tarifară nr. 8544; folii si plăci de material polarizant; lentile (inclusiv lentile de contact), prisme, oglinzi și alte elemente optice, din orice material, nemontate, altele decât astfel
jrc4747as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89913_a_90700]
-
componentele de detectare. b. Neptuniu-237 ''separat anterior'' în orice formă. Notă: 1C012.b. nu controlează încărcările cu un conținut de neptuniu-237 de 1 g sau mai mic. 1C101 Materiale și dispozitive pentru observabile reduse similare cu grad de reflexie radar, fascicule ultraviolete/infraroșii și acustice, altele decât cele specificate în 1C001, folosite în ''rachete'' și subsistemele lor. Nota 1: 1C101 includ: a. Materiale structurale și învelișuri special proiectate pentru gradul de reflexie radar redus; b. Învelișuri, incluzând vopsele, special proiectate pentru
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
mai multe axe rotative, făcând posibilă coordonarea simultană pentru "comanda numerică"; e. Mașini unelte pentru extragerea metalelor, ceramicii sau a "compușilor": 1. Cu ajutorul: a. Apei sau a altor jeturi de lichid, incluzându-le pe acelea folosite ca aditivi abrazivi; b. Fasciculelor de electroni; sau c. Fascicolelor "laser"; și 2. Având două sau mai multe axe rotative, care: a. Pot fi coordonate simultan pentru "comanda numerică"; și b. Au o precizie a poziționării mai mică (de preferat) de 0, 0030; f. Mașini
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
etanșare rotativ cu vid înaintat în interior (egal sau mai mic de 0, 01 Pa); b. Reglarea grosimii învelișului/stratului de depunere încorporat pe loc (instantaneu); b. Utilaj de producție pentru implantare cu ioni "comandat prin program înmagazinat", având intensitatea fasciculului electronic de 5 mA sau mai mult; c. Utilaj de producție pentru depunere de vapori cu ajutorul fascicolului electronic (EB-PVD), "comandat prin program înmagazinat", încorporând un sistem electronic nominal pentru peste 80 kWși având oricare dintre următoarele: 1. Un sistem de
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
diamant (17) Materiale de detecție (9) Straturi dielectrice (15) Diamant Carbon diamant (17) TABEL - DEPUNERI TEHNICE 1. Proces de învelire (1) 2. Substrat 3.Rezultatul învelirii B Evaporare termică Vapori fizici Depuneri (TE-PVD) B.1. Vapori fizici Depuneri (PVD) Fascicul electronic (EB-PVD) ''Superaliaje'' Siliciuri aliate Aluminide aliate (2) McrAlX (5) Zirconiu modificat (12) Siliciuri Aluminide Mixturi din acestea (4) Ceramici (19) și sticle cu expansiune scăzută (14) Straturi dielectrice (15) Oțel rezistent la coroziune (7) McrAlX (5) Zirconiu modificat (12
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
energia termică este folosită la vaporizarea materialului învelitor. Procesul constă în condensarea sau depunerea materiilor evaporate pe substraturile în chestiune. Adăugarea de gaze în camera de vid în timpul procesului pentru sintetizarea compușilor este o modificare normală a procesului. Folosirea de fascicule de ioni, electroni sau plasmă pentru activarea depunerilor este de asemenea o modificare comună în această tehnică. Folosirea de aparate pentru măsurări în cadrul procesului poate fi o caracteristică a acestor procese. Procesele TE-PVD sunt următoarele: 1. Fascicule electronice PVD
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
Folosirea de fascicule de ioni, electroni sau plasmă pentru activarea depunerilor este de asemenea o modificare comună în această tehnică. Folosirea de aparate pentru măsurări în cadrul procesului poate fi o caracteristică a acestor procese. Procesele TE-PVD sunt următoarele: 1. Fascicule electronice PVD folosite pentru încălzirea și evaporarea materialelor care formează învelișul; 2. PVD de încălzire cu rezistențe asistată cu ioni folosește surse cu rezisențe electrice în combinație cu fascicule de ioni pentru producerea unui flux uniform al materialelor de învelire
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
o caracteristică a acestor procese. Procesele TE-PVD sunt următoarele: 1. Fascicule electronice PVD folosite pentru încălzirea și evaporarea materialelor care formează învelișul; 2. PVD de încălzire cu rezistențe asistată cu ioni folosește surse cu rezisențe electrice în combinație cu fascicule de ioni pentru producerea unui flux uniform al materialelor de învelire evaporate; 3. Vaporizarea cu ''laser'' folosește fascicule continue sau pulsatorii pentru vaporizarea materialelor; 4. Depunerea prin arc catodic folosește un catod consumabil din materialul care formează învelișul și are
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
evaporarea materialelor care formează învelișul; 2. PVD de încălzire cu rezistențe asistată cu ioni folosește surse cu rezisențe electrice în combinație cu fascicule de ioni pentru producerea unui flux uniform al materialelor de învelire evaporate; 3. Vaporizarea cu ''laser'' folosește fascicule continue sau pulsatorii pentru vaporizarea materialelor; 4. Depunerea prin arc catodic folosește un catod consumabil din materialul care formează învelișul și are o descărcare de arc pe suprafață printr-un contact momentan. Mișcarea controlată a arcului erodează suprafața catodului creând
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
substratul în cauză. N.B.1 Tabelul se referă doar la triode sau depuneri prin bombardări reactive care sunt folosite pentru creșterea aderării învelișului și la bombardare prin creșterea frecvenței radio pentru a permite vaporizarea materialelor nemetalice pentru înveliș. N.B.2 Fascicule de ioni cu energie mică (sub 5 keW) pot fi folosite. g. Implantarea cu ioni este o modificare a suprafeței în care elementul de aliat este accelerat și implantat în suprafața substratului. Aceasta include procese în care implantarea cu ioni
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
mai bine de 1 % din 50 % a volumului inițial; Notă: 3A201.b. nu controlează magneți speciali desemnați ca părți de sisteme (NMR) de imagine de rezonanță magnetică. ''Părți ale'' nu înseamnă doar părți fizice ale aceluiași echipament. c. Generatoare de fascicule de rază X sau acceleratori de electroni cu următoarele seturi de caracteristici: 1. a. Un accelerator cu o energie electronică de vârf de peste 500 keV dar mai puțin de 25 MeV; și b. Un indice de calitate de 0,25
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
o energie electronică de vârf de peste 500 keV dar mai puțin de 25 MeV; și b. Un vârf de putere mai mare de 50 MW, Notă: 3A201.c. nu controlează acceleratori, părți componente ale accesoriilor pentru alte scopuri decât pentru fascicule de electroni sau raze X sau pentru scopuri medicale: Note tehnice: 1. ''Indicele de calitate'' K este definită astfel: K = 1,7 * 103 V2,65 Q V este energia electronică de vârf în milioane electron volți. Dacă durata pulsului fasciculului
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
fascicule de electroni sau raze X sau pentru scopuri medicale: Note tehnice: 1. ''Indicele de calitate'' K este definită astfel: K = 1,7 * 103 V2,65 Q V este energia electronică de vârf în milioane electron volți. Dacă durata pulsului fasciculului accelerator este mai mică sau egală cu 1 μs atunci Q este sarcina accelerată totală în Coulombi. Dacă perioada pulsului este mai mare de 1 μs atunci Q este sarcina maximă accelerată. Q este egală cu integrală de i în raport cu
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
Coulombi. Dacă perioada pulsului este mai mare de 1 μs atunci Q este sarcina maximă accelerată. Q este egală cu integrală de i în raport cu timpul, pe mai puțin de 1 μs a perioadei (Q = ∫ i dt), unde i este curentul fasciculului în amperi și t timpul în secunde. 2. ''Vârful de putere'' = (potențialul de vârf în volți) * (curentul fasciculului în amperi). 3. În mașini bazate pe microunde accelerate perioada fasciculului este mai mică de 1 μs. 4. În mașini bazate pe
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
egală cu integrală de i în raport cu timpul, pe mai puțin de 1 μs a perioadei (Q = ∫ i dt), unde i este curentul fasciculului în amperi și t timpul în secunde. 2. ''Vârful de putere'' = (potențialul de vârf în volți) * (curentul fasciculului în amperi). 3. În mașini bazate pe microunde accelerate perioada fasciculului este mai mică de 1 μs. 4. În mașini bazate pe microunde accelerate curentul de vârf este curentul mediu în perioada unui grup de fascicule. 3A225 Schimbătoare de frecvență
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
1 μs a perioadei (Q = ∫ i dt), unde i este curentul fasciculului în amperi și t timpul în secunde. 2. ''Vârful de putere'' = (potențialul de vârf în volți) * (curentul fasciculului în amperi). 3. În mașini bazate pe microunde accelerate perioada fasciculului este mai mică de 1 μs. 4. În mașini bazate pe microunde accelerate curentul de vârf este curentul mediu în perioada unui grup de fascicule. 3A225 Schimbătoare de frecvență sau generatoare, altele decât cele din 0B001.b.13. având următoarele
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
vârf în volți) * (curentul fasciculului în amperi). 3. În mașini bazate pe microunde accelerate perioada fasciculului este mai mică de 1 μs. 4. În mașini bazate pe microunde accelerate curentul de vârf este curentul mediu în perioada unui grup de fascicule. 3A225 Schimbătoare de frecvență sau generatoare, altele decât cele din 0B001.b.13. având următoarele caracteristici: a. Cu ieșire multifazică de o putere de peste 40 W, b. Cu o capacitate de operare între frecvențe d e600 și 2000 Hz; c
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
MS); b. Spectrometre de masă cu descărcare incandescentă (GDMS); c. Spectrometre de masă de ionizare termică (TIMS); d. Spectrometre de masă cu bombardament electronic care au o cameră a sursei din materiale rezistente la UF6; e. Spectrometre de masă de fascicul molecular având oricare din următoarele caracteristici: 1. O camera a sursei făcută din oțel inoxidabil sau molibden și un sistem de răcire până la 193 K sau mai puțin; 2. O camera a sursei făcută din material rezistent la UF6; f.
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
sau mai puțin; Notă tehnică: Mărimea "caracteristică rezolvabilă minimă" se calculează cu următoarea formulă: unde factorul K = 0, 7 MRF = mărimea caracteristică rezolvabilă minimă 2. Echipament destinat în special pentru execuția măștilor sau pentru dispozitivele semiconductoare, care procesează cu ajutorul unui fascicul de electroni focalizat și refractat, fascicul de ioni sau fascicul "laser", care are oricare din următoarele: a. O mărime a spotului mai mică de 0, 2 m; b. Capabilitate de a realiza un model cu o mărime caracteristică mai mică
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
caracteristică rezolvabilă minimă" se calculează cu următoarea formulă: unde factorul K = 0, 7 MRF = mărimea caracteristică rezolvabilă minimă 2. Echipament destinat în special pentru execuția măștilor sau pentru dispozitivele semiconductoare, care procesează cu ajutorul unui fascicul de electroni focalizat și refractat, fascicul de ioni sau fascicul "laser", care are oricare din următoarele: a. O mărime a spotului mai mică de 0, 2 m; b. Capabilitate de a realiza un model cu o mărime caracteristică mai mică de 1 m; sau c. O
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
calculează cu următoarea formulă: unde factorul K = 0, 7 MRF = mărimea caracteristică rezolvabilă minimă 2. Echipament destinat în special pentru execuția măștilor sau pentru dispozitivele semiconductoare, care procesează cu ajutorul unui fascicul de electroni focalizat și refractat, fascicul de ioni sau fascicul "laser", care are oricare din următoarele: a. O mărime a spotului mai mică de 0, 2 m; b. Capabilitate de a realiza un model cu o mărime caracteristică mai mică de 1 m; sau c. O acuratețe a superpoziției mai
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
substraturi" acoperite cu straturi de protecție controlate: a. Straturi de protecție pozitive destinate pentru litografiere cu semiconductori special ajustați (optimizați) pentru utilizare la lungimi de undă mai mici de 350 nm; b. Toate straturile de protecție destinate pentru utilizare cu fascicule de electroni sau cu fascicule de ioni, cu o sensibilitate de 0, 01 coulomb/mm2 sau superioară; c. Toate straturile de protecție destinate pentru utilizare cu raze X, cu o sensibilitate de 2, 5 mJ/mm2 sau superioară; d. Toate
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
protecție controlate: a. Straturi de protecție pozitive destinate pentru litografiere cu semiconductori special ajustați (optimizați) pentru utilizare la lungimi de undă mai mici de 350 nm; b. Toate straturile de protecție destinate pentru utilizare cu fascicule de electroni sau cu fascicule de ioni, cu o sensibilitate de 0, 01 coulomb/mm2 sau superioară; c. Toate straturile de protecție destinate pentru utilizare cu raze X, cu o sensibilitate de 2, 5 mJ/mm2 sau superioară; d. Toate straturile de protecție optimizate pentru
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]