KorAP: Find »[drukola/base=tranzistor & drukola/pos=noun]« with Poliqarp

<1 ...11 12 13 ...39 >

952 matches

Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332

având canal de tip n. În aplicațiile de putere tranzistorul MOS este utilizat ca întrerupător electronic și deci acesta funcționează în comutație. În lipsa tensiunii de comandă VGS, curentul de drenă ID este practic neglijabil și astfel punctul de funcționare al tranzistorului se află pe dreapta OA (întrerupător deschis), Fig. 3.11b. În starea de conducție a tranzistorului este necesar ca pierderile să fie minime, ceea ce înseamnă că tensiunea VDS trebuie să fie cât mai mică. Acest lucru se obține dacă tensiunea

COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU (2007) [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
și deci acesta funcționează în comutație. În lipsa tensiunii de comandă VGS, curentul de drenă ID este practic neglijabil și astfel punctul de funcționare al tranzistorului se află pe dreapta OA (întrerupător deschis), Fig. 3.11b. În starea de conducție a tranzistorului este necesar ca pierderile să fie minime, ceea ce înseamnă că tensiunea VDS trebuie să fie cât mai mică. Acest lucru se obține dacă tensiunea VGS este astfel reglată încât punctul de funcționare al tranzistorului să se afle în zona de

COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU (2007) [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
11b. În starea de conducție a tranzistorului este necesar ca pierderile să fie minime, ceea ce înseamnă că tensiunea VDS trebuie să fie cât mai mică. Acest lucru se obține dacă tensiunea VGS este astfel reglată încât punctul de funcționare al tranzistorului să se afle în zona de saturație, pe dreapta OB (întrerupător închis), Fig. 3.11b. În general, tensiunea grilă-sursă este limitată la 20 V în cazul tranzistoarelor MOS de putere. Pentru a funcționa în zona de saturație la curentul nominal

COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU (2007) [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
se obține dacă tensiunea VGS este astfel reglată încât punctul de funcționare al tranzistorului să se afle în zona de saturație, pe dreapta OB (întrerupător închis), Fig. 3.11b. În general, tensiunea grilă-sursă este limitată la 20 V în cazul tranzistoarelor MOS de putere. Pentru a funcționa în zona de saturație la curentul nominal al tranzistorului valoarea tensiunii VGS este de aproximativ 15 V. Rezistența drenă-sursă a dispozitivului aflat în conducție (dreapta OB) are valori mici care depind de tensiunea limită

COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU (2007) [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
se afle în zona de saturație, pe dreapta OB (întrerupător închis), Fig. 3.11b. În general, tensiunea grilă-sursă este limitată la 20 V în cazul tranzistoarelor MOS de putere. Pentru a funcționa în zona de saturație la curentul nominal al tranzistorului valoarea tensiunii VGS este de aproximativ 15 V. Rezistența drenă-sursă a dispozitivului aflat în conducție (dreapta OB) are valori mici care depind de tensiunea limită de străpungere a acestuia. De exemplu, pentru un tranzistor MOS de 100 V rezistența este

COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU (2007) [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
de saturație la curentul nominal al tranzistorului valoarea tensiunii VGS este de aproximativ 15 V. Rezistența drenă-sursă a dispozitivului aflat în conducție (dreapta OB) are valori mici care depind de tensiunea limită de străpungere a acestuia. De exemplu, pentru un tranzistor MOS de 100 V rezistența este 0,1 Ω, iar pentru unul de 500 V ea este 0,5 Ω. Coeficientul de temperatură al rezistenței drenă sursă a unui tranzistor MOS este pozitiv ceea ce face ca montajul în paralel al

COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU (2007) [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
tensiunea limită de străpungere a acestuia. De exemplu, pentru un tranzistor MOS de 100 V rezistența este 0,1 Ω, iar pentru unul de 500 V ea este 0,5 Ω. Coeficientul de temperatură al rezistenței drenă sursă a unui tranzistor MOS este pozitiv ceea ce face ca montajul în paralel al tranzistoarelor MOS să fie relativ simplu. Acest lucru determină ca tranzistorul care preia un curent mai mare decât celelalte tranzistoare legate în paralel cu el și care se încălzește mai

COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU (2007) [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
MOS de 100 V rezistența este 0,1 Ω, iar pentru unul de 500 V ea este 0,5 Ω. Coeficientul de temperatură al rezistenței drenă sursă a unui tranzistor MOS este pozitiv ceea ce face ca montajul în paralel al tranzistoarelor MOS să fie relativ simplu. Acest lucru determină ca tranzistorul care preia un curent mai mare decât celelalte tranzistoare legate în paralel cu el și care se încălzește mai mult să-și crească rezistența și astfel să forțeze o redistribuție

COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU (2007) [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
pentru unul de 500 V ea este 0,5 Ω. Coeficientul de temperatură al rezistenței drenă sursă a unui tranzistor MOS este pozitiv ceea ce face ca montajul în paralel al tranzistoarelor MOS să fie relativ simplu. Acest lucru determină ca tranzistorul care preia un curent mai mare decât celelalte tranzistoare legate în paralel cu el și care se încălzește mai mult să-și crească rezistența și astfel să forțeze o redistribuție a curentului pe celelalte tranzistoare. 3.1.7. Tranzistorul bipolar

COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU (2007) [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
Ω. Coeficientul de temperatură al rezistenței drenă sursă a unui tranzistor MOS este pozitiv ceea ce face ca montajul în paralel al tranzistoarelor MOS să fie relativ simplu. Acest lucru determină ca tranzistorul care preia un curent mai mare decât celelalte tranzistoare legate în paralel cu el și care se încălzește mai mult să-și crească rezistența și astfel să forțeze o redistribuție a curentului pe celelalte tranzistoare. 3.1.7. Tranzistorul bipolar cu grilă izolată (IGBT) în domeniul dispozitivelor semiconductoare de

COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU (2007) [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
simplu. Acest lucru determină ca tranzistorul care preia un curent mai mare decât celelalte tranzistoare legate în paralel cu el și care se încălzește mai mult să-și crească rezistența și astfel să forțeze o redistribuție a curentului pe celelalte tranzistoare. 3.1.7. Tranzistorul bipolar cu grilă izolată (IGBT) în domeniul dispozitivelor semiconductoare de putere având un terminal de comandă (bază, poartă sau grilă) pentru controlul integral (on/off) al proceselor de comutație tendința dominantă este micșorarea puterii de intrare

COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU (2007) [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
ca tranzistorul care preia un curent mai mare decât celelalte tranzistoare legate în paralel cu el și care se încălzește mai mult să-și crească rezistența și astfel să forțeze o redistribuție a curentului pe celelalte tranzistoare. 3.1.7. Tranzistorul bipolar cu grilă izolată (IGBT) în domeniul dispozitivelor semiconductoare de putere având un terminal de comandă (bază, poartă sau grilă) pentru controlul integral (on/off) al proceselor de comutație tendința dominantă este micșorarea puterii de intrare (de comandă) necesară funcționării

COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU (2007) [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
comandă) necesară funcționării în diferite moduri de lucru simultan cu mărirea densității de curent comutate. Se cunoaște că dispozitivele unipolare (TEC-J, TEC MOS), care au o rezistență mare de intrare, necesită o putere extrem de redusă pentru comandă, în timp ce dispozitivele bipolare (tranzistorul bipolar, tiristorul GTO) au ca trăsătură distinctă densitatea relativ mare a curentului în conducție directă. îmbinarea acestor două caracteristici într-un singur dispozitiv s-a realizat prin integrarea funcțională bipolară-MOS. Principiul integrării funcționale Bi MOS care stă la baza dispozitivelor

COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU (2007) [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
mare a curentului în conducție directă. îmbinarea acestor două caracteristici într-un singur dispozitiv s-a realizat prin integrarea funcțională bipolară-MOS. Principiul integrării funcționale Bi MOS care stă la baza dispozitivelor cu poartă izolată este ilustrat în Fig.3.12. Tranzistorul bipolar npn, respectiv MOS având canal n, conectate în configurație Darlington sunt realizate pe aceeași structură, Fig. 3.12a. O tensiune pozitivă de valoare suficient de mare aplicată pe grilă deschide tranzistorul MOS. Atunci când tensiunea grilă-sursă (VGS) a tranzistorului TEC-MOS

COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU (2007) [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
poartă izolată este ilustrat în Fig.3.12. Tranzistorul bipolar npn, respectiv MOS având canal n, conectate în configurație Darlington sunt realizate pe aceeași structură, Fig. 3.12a. O tensiune pozitivă de valoare suficient de mare aplicată pe grilă deschide tranzistorul MOS. Atunci când tensiunea grilă-sursă (VGS) a tranzistorului TEC-MOS este zero prin structura acestui dispozitiv nu trece curent, deci baza tranzistorului bipolar este în gol și în consecință structura Bi-MOS se află în starea off. Acest tip de integrare funcțională (Bi-MOS

COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU (2007) [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
12. Tranzistorul bipolar npn, respectiv MOS având canal n, conectate în configurație Darlington sunt realizate pe aceeași structură, Fig. 3.12a. O tensiune pozitivă de valoare suficient de mare aplicată pe grilă deschide tranzistorul MOS. Atunci când tensiunea grilă-sursă (VGS) a tranzistorului TEC-MOS este zero prin structura acestui dispozitiv nu trece curent, deci baza tranzistorului bipolar este în gol și în consecință structura Bi-MOS se află în starea off. Acest tip de integrare funcțională (Bi-MOS) a fost dezvoltat și în direcția structurii

COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU (2007) [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
sunt realizate pe aceeași structură, Fig. 3.12a. O tensiune pozitivă de valoare suficient de mare aplicată pe grilă deschide tranzistorul MOS. Atunci când tensiunea grilă-sursă (VGS) a tranzistorului TEC-MOS este zero prin structura acestui dispozitiv nu trece curent, deci baza tranzistorului bipolar este în gol și în consecință structura Bi-MOS se află în starea off. Acest tip de integrare funcțională (Bi-MOS) a fost dezvoltat și în direcția structurii pnpn obținându-se un dispozitiv ce poartă denumirea de tranzistor bipolar cu poartă

COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU (2007) [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
curent, deci baza tranzistorului bipolar este în gol și în consecință structura Bi-MOS se află în starea off. Acest tip de integrare funcțională (Bi-MOS) a fost dezvoltat și în direcția structurii pnpn obținându-se un dispozitiv ce poartă denumirea de tranzistor bipolar cu poartă izolată (IGBT-Insulated Gate Bipolar Transistor), Fig. 3.12b. Avantajul esențial al dispozitivelor Bi-MOS, respectiv IGBT îl constituie puterea practic nulă consumată pe poartă în timpul funcționării și căderea de tensiune redusă în starea de conducție. 3.1.8

COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU (2007) [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
care permite obținerea unei densități de curent de 2,5 ori mai mare ca cea a unui IGBT. MCT este un dispozitiv a cărui structură poate fi considerată ca fiind realizată dintr-un tiristor la care a fost adăugat un tranzistor MOS ce are canal n pentru a asigura amorsarea și un tranzistor ce are canal p pentru a realiza blocarea. Analogia MCT cu un tiristor rămâne totuși limitată deoarece datorită integrării structurii MOS, respectiv bipolare pe același cip funcționarea lui

COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU (2007) [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
mare ca cea a unui IGBT. MCT este un dispozitiv a cărui structură poate fi considerată ca fiind realizată dintr-un tiristor la care a fost adăugat un tranzistor MOS ce are canal n pentru a asigura amorsarea și un tranzistor ce are canal p pentru a realiza blocarea. Analogia MCT cu un tiristor rămâne totuși limitată deoarece datorită integrării structurii MOS, respectiv bipolare pe același cip funcționarea lui este asemănătoare cu a unui IGBT. Densitatea de curent mare (100 A

COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU (2007) [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
cu a unui IGBT. Densitatea de curent mare (100 A/cm2) permite MCT să funcționeze cu valori foarte ridicate ale raportului dintre puterea comutată și suprafața de siliciu. 3.2. Comparație între dispozitivele semiconductoare de putere Dispozitivele semiconductoare de putere (tranzistoare bipolare, MOS, tiristoare) utilizate în aplicațiile electronice de putere funcționează în comutație, ca întrerupătore electronice. Aceste dispozitive, ideal, ar trebui să îndeplinească următoarele condiții: * Curentul și tensiunea nominală oricât de mari; * Curenți reziduali nuli; Timpi de comutație oricât de mici

COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU (2007) [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
clasic este cel mai recomandat datorită capabilității sale de a suporta tensiuni directe și inverse de valori mari, cerință esențială pentru aceste aplicații. în cazul invertoarelor, toate dispozitivele descrise pot fi utilizate, frecvența de comutație fiind adesea criteriul de alegere. Tranzistorul MOS este singurul dispozitiv reținut dacă frecvența de comutație este superioară valorii de 100 kHz. Tranzistorul bipolar convine pentru gama de frecvență 20...100 kHz datorită prețului și pierderilor în conducție mai mici, deși pierderile în comutație sunt superioare celor

COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU (2007) [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
valori mari, cerință esențială pentru aceste aplicații. în cazul invertoarelor, toate dispozitivele descrise pot fi utilizate, frecvența de comutație fiind adesea criteriul de alegere. Tranzistorul MOS este singurul dispozitiv reținut dacă frecvența de comutație este superioară valorii de 100 kHz. Tranzistorul bipolar convine pentru gama de frecvență 20...100 kHz datorită prețului și pierderilor în conducție mai mici, deși pierderile în comutație sunt superioare celor ale tranzistorului MOS. În gama până la 15...20 kHz, tiristorul GTO este cel mai recomandat datorită

COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU (2007) [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
este singurul dispozitiv reținut dacă frecvența de comutație este superioară valorii de 100 kHz. Tranzistorul bipolar convine pentru gama de frecvență 20...100 kHz datorită prețului și pierderilor în conducție mai mici, deși pierderile în comutație sunt superioare celor ale tranzistorului MOS. În gama până la 15...20 kHz, tiristorul GTO este cel mai recomandat datorită robusteței, a pierderilor mici în conducție, a aptitudinii acestuia de a suporta suprasarcini și tensiuni directe și inverse de valori mari. Tranzistoarele (bipolare, TEC-MOS, IGBT) pot

COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU (2007) [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
sunt superioare celor ale tranzistorului MOS. În gama până la 15...20 kHz, tiristorul GTO este cel mai recomandat datorită robusteței, a pierderilor mici în conducție, a aptitudinii acestuia de a suporta suprasarcini și tensiuni directe și inverse de valori mari. Tranzistoarele (bipolare, TEC-MOS, IGBT) pot funcționa până la 200 0C în timp ce tiristoarele doar până la 125 0C. Pierderile și posibilitățile de răcire sunt adesea criterii importante de selecție. Comanda în tensiune specifică tranzistorului MOS, IGBT și tiristorului MCT față de comanda în curent specifică

COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU (2007) [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]