1,190 matches
-
Dispozitivele fotosensibile cu semiconductoare, inclusiv celulele fotovoltaice chiar asamblate în module sau montate în panouri; diode emițătoare de lumină 8541.50 - Alte dispozitive cu semiconductori 8541.60 - Cristale piezoelectrice montate 8541.90 - Părți A. - DIODE, TRANZISTOARE ȘI DISPOZITIVE SIMILARE CU SEMICONDUCTORI Articolele din această grupa sunt definite la Notă 5A) a acestui Capitol. Este vorba despre dispozitive a caror funcționare este bazată pe proprietățile electronice al unora dintre materialele numite semiconductori. Aceste materiale se caracterizează prin rezistivitatea lor care, la temperatura
EUR-Lex () [Corola-website/Law/166813_a_168142]
-
8541.90 - Părți A. - DIODE, TRANZISTOARE ȘI DISPOZITIVE SIMILARE CU SEMICONDUCTORI Articolele din această grupa sunt definite la Notă 5A) a acestui Capitol. Este vorba despre dispozitive a caror funcționare este bazată pe proprietățile electronice al unora dintre materialele numite semiconductori. Aceste materiale se caracterizează prin rezistivitatea lor care, la temperatura mediului, este cuprinsă între cea a conductorilor (metale) și cea a izolatorilor. Ele constau în mod special, fie din unele minereuri (galena cristalina de exemplu), fie din elemente chimice cu
EUR-Lex () [Corola-website/Law/166813_a_168142]
-
semiconductor de tipul N, caracterizat printr-un exces de electroni (cu sarcina negativă) în cel de al doilea caz, un semiconductor de tipul P care se caracterizează printr-o lipsa de electroni, adică cu predominantă golurilor (cu sarcina pozitivă). Materialele semiconductoare care rezultă din asocierea elementelor chimice de valentă 3 și a elementelor de valentă 5 sunt de asemenea dopate. În ceea ce privește materialele semiconductoare care constau din unele minereuri, impuritățile pe care le conțin în mod natural țin loc de dopanți. Dispozitivele
EUR-Lex () [Corola-website/Law/166813_a_168142]
-
tipul P care se caracterizează printr-o lipsa de electroni, adică cu predominantă golurilor (cu sarcina pozitivă). Materialele semiconductoare care rezultă din asocierea elementelor chimice de valentă 3 și a elementelor de valentă 5 sunt de asemenea dopate. În ceea ce privește materialele semiconductoare care constau din unele minereuri, impuritățile pe care le conțin în mod natural țin loc de dopanți. Dispozitivele cu semiconductori ce aparțin prezentului grup au în general una sau mai multe joncțiuni între materiile semiconductoare de tipul P și de
EUR-Lex () [Corola-website/Law/166813_a_168142]
-
rezultă din asocierea elementelor chimice de valentă 3 și a elementelor de valentă 5 sunt de asemenea dopate. În ceea ce privește materialele semiconductoare care constau din unele minereuri, impuritățile pe care le conțin în mod natural țin loc de dopanți. Dispozitivele cu semiconductori ce aparțin prezentului grup au în general una sau mai multe joncțiuni între materiile semiconductoare de tipul P și de tipul N. Printre aceste dispozitive, se pot menționa: I. Diodele. Sunt dispozitive cu două borne, care nu conțin decât o
EUR-Lex () [Corola-website/Law/166813_a_168142]
-
de asemenea dopate. În ceea ce privește materialele semiconductoare care constau din unele minereuri, impuritățile pe care le conțin în mod natural țin loc de dopanți. Dispozitivele cu semiconductori ce aparțin prezentului grup au în general una sau mai multe joncțiuni între materiile semiconductoare de tipul P și de tipul N. Printre aceste dispozitive, se pot menționa: I. Diodele. Sunt dispozitive cu două borne, care nu conțin decât o singură joncțiune PN și care permite trecerea curentului într-un sens (sensul de trecere) și
EUR-Lex () [Corola-website/Law/166813_a_168142]
-
trei borne care au două joncțiuni de tip dioda și a caror acțiune depinde în același timp de purtătorii de sarcină pozitivi și negativi (de unde denumirea de bipolar). 2) Tranzistorii cu efect de câmp (cunoscuți de asemenea sub numele de semiconductori cu oxid metalic (MOȘ) care pot să conțină sau nu joncțiuni și a caror funcționare depinde de sărăcirea (sau de îmbogățirea) indusă purtătorilor de sarcină care se află între cele două borne. Funcționarea tranzistoarelor cu efect de câmp nu depinde
EUR-Lex () [Corola-website/Law/166813_a_168142]
-
cele două borne. Funcționarea tranzistoarelor cu efect de câmp nu depinde decât de un singur tip de purtător de sarcină (de unde denumirea unipolara). Tranzistorii de tipul MOȘ pot să aibă patru borne și sunt denumiți tetrade. III. Dispozitivele similare cu semiconductori. Sunt de avut în vedere că dispozitive asemănătoare, în sensul prezentului grup, dispozitivele cu semiconductori a caror funcționare este bazată pe variația rezistivității, sub influența unui câmp electric. Aparțin în mod special la această categorie: 1) Tiristorii, care sunt dispozitive
EUR-Lex () [Corola-website/Law/166813_a_168142]
-
tip de purtător de sarcină (de unde denumirea unipolara). Tranzistorii de tipul MOȘ pot să aibă patru borne și sunt denumiți tetrade. III. Dispozitivele similare cu semiconductori. Sunt de avut în vedere că dispozitive asemănătoare, în sensul prezentului grup, dispozitivele cu semiconductori a caror funcționare este bazată pe variația rezistivității, sub influența unui câmp electric. Aparțin în mod special la această categorie: 1) Tiristorii, care sunt dispozitive constituite din patru zone de conductivitate (trei joncțiuni PN sau mai mult) de materiale semiconductoare
EUR-Lex () [Corola-website/Law/166813_a_168142]
-
semiconductori a caror funcționare este bazată pe variația rezistivității, sub influența unui câmp electric. Aparțin în mod special la această categorie: 1) Tiristorii, care sunt dispozitive constituite din patru zone de conductivitate (trei joncțiuni PN sau mai mult) de materiale semiconductoare prin care trece un curent, într-o direcție predeterminata atunci cand impulsurile de comandă inițiază (asigura) conducția. Tiristorii funcționează că doi tranzistori complementari montați în opoziție. Ei sunt utilizați, fie că redresoare controloare, fie că întrerupătoare, fie că amplificatoare. 2) Triacuri
EUR-Lex () [Corola-website/Law/166813_a_168142]
-
Tiristorii funcționează că doi tranzistori complementari montați în opoziție. Ei sunt utilizați, fie că redresoare controloare, fie că întrerupătoare, fie că amplificatoare. 2) Triacuri, care sunt tiristori triode bidirecționale constituite din cinci zone de conductivitate (patru joncțiuni PN) de materiale semiconductoare prin care trece un curent alternativ atunci cand impulsurile de comandă provoacă conducție. 3) Diacuri, care sunt dispozitive constituite din trei zone de conductivitate (două joncțiuni PN) de materiale semiconductoare și care sunt utilizate pentru a furniza la triacuri impulsuri pozitive
EUR-Lex () [Corola-website/Law/166813_a_168142]
-
constituite din cinci zone de conductivitate (patru joncțiuni PN) de materiale semiconductoare prin care trece un curent alternativ atunci cand impulsurile de comandă provoacă conducție. 3) Diacuri, care sunt dispozitive constituite din trei zone de conductivitate (două joncțiuni PN) de materiale semiconductoare și care sunt utilizate pentru a furniza la triacuri impulsuri pozitive sau negative necesare pentru funcționarea lor. 4) Varactoare sau diode cu capacitate variabilă. 5) Dispozitive cu efect de câmp, cum sunt gridistorii. 6) Dispozitive cu efect "Gunn". Poziția exclude
EUR-Lex () [Corola-website/Law/166813_a_168142]
-
pentru a furniza la triacuri impulsuri pozitive sau negative necesare pentru funcționarea lor. 4) Varactoare sau diode cu capacitate variabilă. 5) Dispozitive cu efect de câmp, cum sunt gridistorii. 6) Dispozitive cu efect "Gunn". Poziția exclude de aici, dispozitivele cu semiconductori care, spre deosebire de cele vizate mai sus, functioneaza în principal sub influența temperaturii, presiunii etc. Acesta este cazul, în mod special, al rezistentelor nelineare semiconductoare (termistori, varistori, magnetorezistențe etc.) (poziția nr. 55.33). În ceea ce privește dispozitivele fotosensibile care funcționează sub acțiunea razelor
EUR-Lex () [Corola-website/Law/166813_a_168142]
-
forma discurilor, plăcutelor sau formelor analoge, lustruite sau nu, care au sau nu un strat epitaxial uniform, cu condiția să nu fi făcut obiectul unui dopaj nici al unei difuzări selective, pentru a crea regiuni discrete. B. - DISPOZITIVELE FOTOSENSIBILE CU SEMICONDUCTORI Grupa cuprinde dispozitive fotosensibile cu semiconductori în care radiațiile vizibile, infraroșii sau ultraviolete provoacă, prin efectul fotoelectric intern, o variație a rezistivității sau apariția unei forțe electromotoare. Tuburile fotoemițătoare (celule fotoemițătoare), a căror funcționare este bazată pe efectul fotoelectric extern
EUR-Lex () [Corola-website/Law/166813_a_168142]
-
lustruite sau nu, care au sau nu un strat epitaxial uniform, cu condiția să nu fi făcut obiectul unui dopaj nici al unei difuzări selective, pentru a crea regiuni discrete. B. - DISPOZITIVELE FOTOSENSIBILE CU SEMICONDUCTORI Grupa cuprinde dispozitive fotosensibile cu semiconductori în care radiațiile vizibile, infraroșii sau ultraviolete provoacă, prin efectul fotoelectric intern, o variație a rezistivității sau apariția unei forțe electromotoare. Tuburile fotoemițătoare (celule fotoemițătoare), a căror funcționare este bazată pe efectul fotoelectric extern (fotoemisie) se clasifică la poziția nr.
EUR-Lex () [Corola-website/Law/166813_a_168142]
-
prin efectul fotoelectric intern, o variație a rezistivității sau apariția unei forțe electromotoare. Tuburile fotoemițătoare (celule fotoemițătoare), a căror funcționare este bazată pe efectul fotoelectric extern (fotoemisie) se clasifică la poziția nr. 85.40. Principalele tipuri de dispozitive fotosensibile cu semiconductori sunt următoarele: 1) Celulele fotoconductoare (fotorezistențe), constituite în mod obișnuit din doi electrozi în care se intercalează o substanță semiconductoare (sulfura de cadmiu, sulfura de plumb etc.) care prezintă proprietatea de a oferi la trecerea curentului o rezistență a cărei
EUR-Lex () [Corola-website/Law/166813_a_168142]
-
este bazată pe efectul fotoelectric extern (fotoemisie) se clasifică la poziția nr. 85.40. Principalele tipuri de dispozitive fotosensibile cu semiconductori sunt următoarele: 1) Celulele fotoconductoare (fotorezistențe), constituite în mod obișnuit din doi electrozi în care se intercalează o substanță semiconductoare (sulfura de cadmiu, sulfura de plumb etc.) care prezintă proprietatea de a oferi la trecerea curentului o rezistență a cărei valoare variază în funcție de intensitatea luminoasă aplicată celulei. Ele sunt utilizate pentru detectarea flacărilor, pentru măsurarea timpului de expunere la aparatele
EUR-Lex () [Corola-website/Law/166813_a_168142]
-
diode, tranzistori și tiristori de la partea A de mai sus prin carcasa lor în parte transparență pentru a permite trecerea luminii. 3 ●) Fotocuplurile și fotoreleele, constituite prin asocierea diodelor electroluminiscente și a fotodiodelor, a fototranzistorilor și fototiristorilor. Dispozitivele fotosensibile cu semiconductori se clasifică la această poziție, fie că sunt prezentate în starea montată, (adică prevăzute cu conexiunile lor), încapsulate, sau prezentate în stare nemontată. C. - DIODE EMIȚĂTOARE DE LUMINĂ Diodele emițătoare de lumină sau diodele electroluminiscente (de obicei cu arseniura de
EUR-Lex () [Corola-website/Law/166813_a_168142]
-
tranzistori (cu simplu înveliș de material plastic de exemplu), este vorba despre temperatura aerului ambiant. 85.42 - CIRCUITE INTEGRATE ȘI MICROMONTAJE ELECTRONICE. - Circuitele integrate monolitice numerice (digitale): 8542.12 - - Cartele care încorporează un circuit integrat electronic ("cartele inteligente") 8542.13 - - Semiconductori cu oxid metalic (tehnologie MOȘ) 8542.14 - - Circuite obținute prin tehnologie bipolară 8542.19 - - Altele, inclusiv circuitele obținute prin asocierea tehnologiilor MOȘ și bipolare (tehnologie BIMOS) 8542.30 - Alte circuite integrate monolitice 8542.40 - Circuite integrate hibride 8542.50 - Micromontaje
EUR-Lex () [Corola-website/Law/166813_a_168142]
-
integrate și micro-montajele. I. Circuitele integrate electronice. Circuitele integrate cuprind: 1) Circuitele integrate monolitice. Circuitele integrate monolitice sunt microstructuri în care elementele circuitului (diode, tranzistori, rezistente, capacități, interconexiuni etc.) sunt (în esență) create în masă și pe suprafața unui material semiconductor (de exemplu siliciu dopat) și sunt, ca urmare, asociate într-un mod inseparabil. Circuitele integrate monolitice pot să fie numerice, lineare (analogice) sau numerice-analogice. Circuitele integrate monolitice pot să fie prezentate: 1 ●) în stare montată, adică deja prevăzute cu conexiunile
EUR-Lex () [Corola-website/Law/166813_a_168142]
-
microplacute. 4 ●) sub formă de cartele denumite de obicei "cartele inteligente", ce conțin, în interiorul masei lor, un circuit electronic (microprocesor) sub formă de microplacheta dotată sau nu cu o pistă magnetică. Se pot menționa că circuite integrate monolitice numerice: 1 ●) semiconductorii cu oxid metalic (tehnologie MOȘ); 2 ●) circuitele obținute prin tehnologie bipolară 3 ●) circuitele obținute prin asocierea tehnologiilor MOȘ și bipolare (tehnologie BIMOS) Tehnologia semiconductorilor cu oxid metalic (MOȘ), în special tehnologia semiconductorilor complementari cu oxid metalic (CMOS) și tehnologia bipolară
EUR-Lex () [Corola-website/Law/166813_a_168142]
-
dotată sau nu cu o pistă magnetică. Se pot menționa că circuite integrate monolitice numerice: 1 ●) semiconductorii cu oxid metalic (tehnologie MOȘ); 2 ●) circuitele obținute prin tehnologie bipolară 3 ●) circuitele obținute prin asocierea tehnologiilor MOȘ și bipolare (tehnologie BIMOS) Tehnologia semiconductorilor cu oxid metalic (MOȘ), în special tehnologia semiconductorilor complementari cu oxid metalic (CMOS) și tehnologia bipolară, sunt tehnologiile "generice" utilizate la fabricarea tranzistorilor. În calitate de componenți de bază a circuitelor integrate monolitice, acesti tranzistori conferă identitatea lor circuitului integrat. Circuitele bipolare
EUR-Lex () [Corola-website/Law/166813_a_168142]
-
pot menționa că circuite integrate monolitice numerice: 1 ●) semiconductorii cu oxid metalic (tehnologie MOȘ); 2 ●) circuitele obținute prin tehnologie bipolară 3 ●) circuitele obținute prin asocierea tehnologiilor MOȘ și bipolare (tehnologie BIMOS) Tehnologia semiconductorilor cu oxid metalic (MOȘ), în special tehnologia semiconductorilor complementari cu oxid metalic (CMOS) și tehnologia bipolară, sunt tehnologiile "generice" utilizate la fabricarea tranzistorilor. În calitate de componenți de bază a circuitelor integrate monolitice, acesti tranzistori conferă identitatea lor circuitului integrat. Circuitele bipolare sunt folosite de fiecare dată când se dorește
EUR-Lex () [Corola-website/Law/166813_a_168142]
-
un circuit cu strat subțire sau cu strat gros. Formarea acestui circuit permite să se obțină în același timp unele elemente pasive (rezistente, capacități, conexiuni de exemplu). Cu toate acestea, pentru a constitui un, circuit integrat hibrid aparținând acestei poziții, semiconductorii trebuie să fie incorporați și montați pe suprafață, fie sub forma microplacutelor (chiar încapsulate), fie sub formă de semiconductori încapsulați anterior (de exemplu în capsule de mici dimensiuni, special concepute în acest scop). Circuitele integrate hibride pot să conțină, de
EUR-Lex () [Corola-website/Law/166813_a_168142]
-
unele elemente pasive (rezistente, capacități, conexiuni de exemplu). Cu toate acestea, pentru a constitui un, circuit integrat hibrid aparținând acestei poziții, semiconductorii trebuie să fie incorporați și montați pe suprafață, fie sub forma microplacutelor (chiar încapsulate), fie sub formă de semiconductori încapsulați anterior (de exemplu în capsule de mici dimensiuni, special concepute în acest scop). Circuitele integrate hibride pot să conțină, de asemenea, elemente pasive obținute individual și încorporate în circuitul cu strat de bază la fel ca semiconductorii. Este vorba
EUR-Lex () [Corola-website/Law/166813_a_168142]