35,068 matches
-
rapide memorii SRAM la câteva sute de ns la cele mai lente memorii EPROM. Până acum am prezentat foarte pe scurt caracteristicile circuitelor de memorie EPROM sau prin comparație, în această secțiune voi expune pe larg caracterizarea acestui tip de circuite de memorie. Memoria EPROM(Erasable programmable read-only memory) este un tip de memorie chip care își reține datele atunci când este întreruptă alimentarea cu energie electrica.Cu alte cuvinte este o memorie non-volatila.O memorie EPROM reprezintă, prin construție, o serie
Circuite de memorie EPROM () [Corola-website/Science/321160_a_322489]
-
cu energie electrica.Cu alte cuvinte este o memorie non-volatila.O memorie EPROM reprezintă, prin construție, o serie de tablouri de tranzistoare (porți logice) programate individual de un dispozitiv electronic care furnizează tensiuni mai înalte decât cele normale folosite la circuite digitale. Odată programat, un EPROM poate fi șters doar prin expunerea lui la lumină ultravioleta puternică. EPROM-urile sunt ușor de recunoscut prin fereastră transparență de cuarț topit în partea de sus a memoriei. Cipul de silicon este vizibil prin
Circuite de memorie EPROM () [Corola-website/Science/321160_a_322489]
-
-urile sunt ușor de recunoscut prin fereastră transparență de cuarț topit în partea de sus a memoriei. Cipul de silicon este vizibil prin această fereastră care permite expunerea la lumină ultravioletă.Memoriile EPROM (Erasable PROM) sunt reprogramabile electric de către utilizator. Circuitele EPROM se șterg prin expunere la radiații ultraviolete, permițând apoi o nouă înscriere. Memoria EPROM OTP O variantă a circuitelor EPROM sunt memoriile OTP (One Time Programmable) încapsulate în plastic fără fereastră de cuarț. Memoriile EPROM OTP (Erasable Programmable Read-Only
Circuite de memorie EPROM () [Corola-website/Science/321160_a_322489]
-
este vizibil prin această fereastră care permite expunerea la lumină ultravioletă.Memoriile EPROM (Erasable PROM) sunt reprogramabile electric de către utilizator. Circuitele EPROM se șterg prin expunere la radiații ultraviolete, permițând apoi o nouă înscriere. Memoria EPROM OTP O variantă a circuitelor EPROM sunt memoriile OTP (One Time Programmable) încapsulate în plastic fără fereastră de cuarț. Memoriile EPROM OTP (Erasable Programmable Read-Only Memory One Time Programmable) au fost introduse că o alternativă mai ieftină a memoriilor EPROM.Memoriile EPROM OPT se diferențiază
Circuite de memorie EPROM () [Corola-website/Science/321160_a_322489]
-
undă mai mică de 4000 Å, valoarea recomandată de catalog fiind de 2537 Å. Distanță dintre lampă UV și cip trebuie să fie de circa 2,5 cm, iar puterea radiației 12000 mW/cm2; în aceste condiții ștergerea completă a circuitului survine după 15-20 minute. Studii de specialitate au demonstrat că expunerea continuă a unei memorii EPROM la lumină fluorescenta din camera (care are și o componentă cu lungimea de undă între 3000 și 4000 Å) poate determina ștergerea informației în
Circuite de memorie EPROM () [Corola-website/Science/321160_a_322489]
-
Studii de specialitate au demonstrat că expunerea continuă a unei memorii EPROM la lumină fluorescenta din camera (care are și o componentă cu lungimea de undă între 3000 și 4000 Å) poate determina ștergerea informației în circa 3 ani același circuit se șterge în circa 1 săptămâna dacă este expus la lumină solară directă. Numărul garantat de programări și de ștergeri este mai mare de 100, dar defectele sunt frecvente chiar după câteva cicluri ștergere - programare; durată de menținere a informației
Circuite de memorie EPROM () [Corola-website/Science/321160_a_322489]
-
dacă este expus la lumină solară directă. Numărul garantat de programări și de ștergeri este mai mare de 100, dar defectele sunt frecvente chiar după câteva cicluri ștergere - programare; durată de menținere a informației memorate este minim zece ani. Pentru circuitele EPROM moderne, având capacități de pește 64 kbiti, o programare octet cu octet la zeci de ms pentru un octet ar fi inacceptabil de lungă (la un EPROM 27512 de 512 kbiti, programarea ar dura 20 ms x 65536 octeți
Circuite de memorie EPROM () [Corola-website/Science/321160_a_322489]
-
sau în unele cazuri chiar de 100 ms! Prin această chiar la memoriile EPROM de capacități relative ridicate (peste 1 Mbit), programarea durează maxim câteva minute. Memoriile EPROM prezintă două terminale de control asemănătoare: nCS și nOE. Pentru nCS = 1, circuitul este trecut în modul așteptare, în care ieșirile sunt în starea de înaltă impedanța, iar consumul de curent este substanțial redus. nOE controlează doar bufferele de ieșire, care sunt inhibate pentru nOE = 1 și validate pentru nOE = 0. Motivația existenței
Circuite de memorie EPROM () [Corola-website/Science/321160_a_322489]
-
fi conectat la intrările nOE ale tuturor memoriilor. Fabricantul specifică în foaia de catalog punctele de test pentru 0 și 1 logic. Datorită numărului mare de variante de memorii EPROM și a specificațiilor uneori ușor diferite pentru același tip de circuit la diferiți producători, memoriile EPROM moderne dispun de un mecanism de identificare inteligență pe baza unei semnături electronice (Electronic Signature). Pe baza semnăturii electronice se identifică tipul circuitului (codificat pe un octet) și producătorul (codificat tot pe un octet). Aceste
Circuite de memorie EPROM () [Corola-website/Science/321160_a_322489]
-
memorii EPROM și a specificațiilor uneori ușor diferite pentru același tip de circuit la diferiți producători, memoriile EPROM moderne dispun de un mecanism de identificare inteligență pe baza unei semnături electronice (Electronic Signature). Pe baza semnăturii electronice se identifică tipul circuitului (codificat pe un octet) și producătorul (codificat tot pe un octet). Aceste informatii sunt citite automat de echipamentul de programare care va selecta algoritmul de programare potrivit circuitului utilizat fără intervenția operatorului uman, eliminându-se astfel o posibilitate de eroare
Circuite de memorie EPROM () [Corola-website/Science/321160_a_322489]
-
unei semnături electronice (Electronic Signature). Pe baza semnăturii electronice se identifică tipul circuitului (codificat pe un octet) și producătorul (codificat tot pe un octet). Aceste informatii sunt citite automat de echipamentul de programare care va selecta algoritmul de programare potrivit circuitului utilizat fără intervenția operatorului uman, eliminându-se astfel o posibilitate de eroare. Pentru a activa modul de identificare inteligență, adresa A9 trebuie adusă la o tensiune de 12 V, toate celelalte linii de adresa se mențin la 0 logic; pentru
Circuite de memorie EPROM () [Corola-website/Science/321160_a_322489]
-
celelalte linii de adresa se mențin la 0 logic; pentru A0 = 0 logic la liniile de date se va putea citi codul producătorului, (de exemplu pentru SGS-THOMSON se va citi 20H), iar pentru A0 = 1 se va putea citi codul circuitului, în acest caz 08H. Caracteristici principale 2764A: Varianta CMOS pentru același circuit, notata 27C64 este compatibilă pin la pin cu predecesoarea să și oferă următoarele caracteristici îmbunătățite: Incuputul acestui text este bazat pe informațiile din cursul de Sisteme cu microprocesoare
Circuite de memorie EPROM () [Corola-website/Science/321160_a_322489]
-
logic la liniile de date se va putea citi codul producătorului, (de exemplu pentru SGS-THOMSON se va citi 20H), iar pentru A0 = 1 se va putea citi codul circuitului, în acest caz 08H. Caracteristici principale 2764A: Varianta CMOS pentru același circuit, notata 27C64 este compatibilă pin la pin cu predecesoarea să și oferă următoarele caracteristici îmbunătățite: Incuputul acestui text este bazat pe informațiile din cursul de Sisteme cu microprocesoare al domnului profesor Traian Ionescu. Continuarea lucrării de până la secțiunea "Descriere detaliată
Circuite de memorie EPROM () [Corola-website/Science/321160_a_322489]
-
Random Access Memory") este un tip de memorie semiconductoare, unde cuvântul „static” subliniază faptul că, spre deosebire de memoriile DRAM ("Dynamic Random Access Memory"), nu mai este necesar un ciclu periodic de reîmprospătare (engleză: "refresh"). Acest lucru este posibil deoarece memoriile folosesc circuite logice combinaționale pentru a memora fiecare bit. Memoriile semiconductoare sunt referite adesea ca RAM ceea ce înseamnă "Random Access Memory", sau memorii cu acces aleator. Aceasta implică faptul că orice cuvânt din memorie poate fi accesat în același timp. O memorie
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
de reținut că orice dispozitiv capabil să memoreze valori binare poate fi utilizat ca memorie și indiferent ce s-ar utiliza, viziunea abstractă a utilizatorului rămâne în mare aceeași. Termenul SRAM indică faptul că datele depuse în memorie sunt stabile. Circuitele flip-flop sunt o variantă de circuite de memorare stabile. Un dispozitiv simplu de memorare cu această proprietate este prezentat în figura 1: Dispozitiv simplu de stocare Dispozitivul de stocare este construit cu două porți NU; ieșirea fiecăreia este conectată la
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
să memoreze valori binare poate fi utilizat ca memorie și indiferent ce s-ar utiliza, viziunea abstractă a utilizatorului rămâne în mare aceeași. Termenul SRAM indică faptul că datele depuse în memorie sunt stabile. Circuitele flip-flop sunt o variantă de circuite de memorare stabile. Un dispozitiv simplu de memorare cu această proprietate este prezentat în figura 1: Dispozitiv simplu de stocare Dispozitivul de stocare este construit cu două porți NU; ieșirea fiecăreia este conectată la intrarea celeilalte, sau altfel spus, sunt
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
unuia din punctele A sau B, acest dispozitiv va menține acea valoarea un timp nedefinit, presupunând că dispozitivul este alimentat tot acest timp. Considerând cele descrise, dispozitivul este un dispozitiv static. Valoarea punctelor A și B poate fi inițializată utilizând circuitul reprezentat în figura: Dispozitiv static de memorare cu circuit de inițializare Tranzistoarele, numite și "tranzistoare de trecere", plasate pe partea dreaptă și pe partea stângă a circuitului de memorare, permit înscrierea unei stări în punctele A și B atunci când linia
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
menține acea valoarea un timp nedefinit, presupunând că dispozitivul este alimentat tot acest timp. Considerând cele descrise, dispozitivul este un dispozitiv static. Valoarea punctelor A și B poate fi inițializată utilizând circuitul reprezentat în figura: Dispozitiv static de memorare cu circuit de inițializare Tranzistoarele, numite și "tranzistoare de trecere", plasate pe partea dreaptă și pe partea stângă a circuitului de memorare, permit înscrierea unei stări în punctele A și B atunci când linia Read/Write este activă. Dacă linia Read/Write nu
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
este un dispozitiv static. Valoarea punctelor A și B poate fi inițializată utilizând circuitul reprezentat în figura: Dispozitiv static de memorare cu circuit de inițializare Tranzistoarele, numite și "tranzistoare de trecere", plasate pe partea dreaptă și pe partea stângă a circuitului de memorare, permit înscrierea unei stări în punctele A și B atunci când linia Read/Write este activă. Dacă linia Read/Write nu este activă, tranzistoarele de trecere nu conduc și liniile Data și Data' nu sunt conectate spre dispozitivul de
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
ce conectează toate celulele unei coloane. Pentru a crește viteza de lucru la memoriile mari, fiecărei coloane din structură i se adaugă un amplificator. Totodată, amplificatorul sesizează diferența dintre liniile Data și Data’. Pe lângă amplificatoare, se mai completează structura cu circuite tampon (buffer). Dispozitivul ilustrat în figura anterioară dispune de o singură linie I/O (Input/Output - Intrare-Ieșire) pentru fiecare bit al cuvântului; bitul este citit sau scris pe aceeași linie. Există memorii care au linii separate pentru a accesa un
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
sa scriem 0, vom aplica un 0 la liniile de biți, și anume vom aplica 1 la BL și 0 la BL. Acest lucru este similar cu aplicarea unui puls de reset la un SR-latch, ceea ce conduce la schimbarea stării circuitului flip-flop. Un 1 logic este scris inversând valorile liniilor de biți. WL este apoi activat și valoarea ce va fi scrisă este memorată. A se nota că motivul pentru care acest ciclu are loc, este faptul ca driverele liniilor de
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
Dynamic random access memory (DRAM) este un tip de memorie cu acces direct care stochează fiecare bit de date într-un condensator separat, într-un circuit integrat. Deoarece condensatoarele se descarcă, informația se poate șterge în cazul în care prin semnalele de comandă nu se specifică reîncărcarea celulelor cu un anumit conținut. Această operație se numește „reîmprospătarea memoriei” (refreshing memory). Avantajul memoriei DRAM este simplitatea structurii
Memorie DRAM () [Corola-website/Science/321163_a_322492]
-
linii trebuie să i se facă refresh la fiecare 64 de milisecunde sau mai puțin, potrivit fundației JEDEC(Foundation for developing Semiconductor Standards). Logica refresh-lui este folosită des cu DRAM-uri pentru a face refresh automat periodic. Acest lucru face circuitul mai complicat, dar acestă deficiență este de obicei prelevată de faptul că DRAM este mult mai ieftină și de capacitate mai mare decat memoria SRAM. Unele sisteme fac refresh la fiecare linie într-o mică buclă la fiecare 64 de
Memorie DRAM () [Corola-website/Science/321163_a_322492]
-
nu depășească 83 MHz și, la fel ca memoria FPM, nu necesită măsuri speciale de compatibilitate. Totuși, memoria EDO nu prezintă performanțe ridicate și de aceea este utilizată foarte rar în prezent. Acest tip de memorie combină tehnologia pipeline cu circuitele latch speciale pentru a reduce timpul de acces. BEDO permite o temporizare de 4-1-1-1 la 66 MHz și permite utilizarea unor frecvențe de până la 100 MHz a magistralei de memorie. Cu toate acestea, memoria BEDO nu este utilizată în prezent
Memorie DRAM () [Corola-website/Science/321163_a_322492]
-
MHz și permite utilizarea unor frecvențe de până la 100 MHz a magistralei de memorie. Cu toate acestea, memoria BEDO nu este utilizată în prezent, în principal din cauza faptului că Intel nu a implementat suportul necesar pentru aceasta în seturile de circuite. Toate memoriile DRAM sincrone sunt cunoscute sub numele SDRAM. Aceste memorii elimină timpul de așteptare al procesorului și prezintă avantaje suplimentare. De exemplu, circuitele latch memorează adresele, datele și semnalele de control preluate de la procesor, sub controlul ceasului sistem. Acest
Memorie DRAM () [Corola-website/Science/321163_a_322492]