35,068 matches
-
în principal din cauza faptului că Intel nu a implementat suportul necesar pentru aceasta în seturile de circuite. Toate memoriile DRAM sincrone sunt cunoscute sub numele SDRAM. Aceste memorii elimină timpul de așteptare al procesorului și prezintă avantaje suplimentare. De exemplu, circuitele latch memorează adresele, datele și semnalele de control preluate de la procesor, sub controlul ceasului sistem. Acest lucru permite ca procesorul să poată executa alte operații. Informațiile din circuitul latch devin disponibile după un număr specific de cicluri de ceas, iar
Memorie DRAM () [Corola-website/Science/321163_a_322492]
-
elimină timpul de așteptare al procesorului și prezintă avantaje suplimentare. De exemplu, circuitele latch memorează adresele, datele și semnalele de control preluate de la procesor, sub controlul ceasului sistem. Acest lucru permite ca procesorul să poată executa alte operații. Informațiile din circuitul latch devin disponibile după un număr specific de cicluri de ceas, iar procesorul le poate folosi de pe liniile de ieșire. Un alt avantaj al memoriilor DRAM sincrone este acela că există un singur semnal de sincronizare, și anume ceasul sistem
Memorie DRAM () [Corola-website/Science/321163_a_322492]
-
lucru permite ca diferite linii din fiecare banc să fie accesate simultan. Cele mai utilizate module SDRAM au 4 linii de ceas, ceea ce duce la obținerea unor timpi mai reduși de creștere și descreștere a tensiunilor. Memoriile SDRAM conțin un circuit de memorie EEPROM care se întâlnește sub denumirea SPD (Serial Presence Detect). Acesta conține informații despre viteza și design-ul modulului. Un avantaj al utilizării circuitului EEPROM este acela că modulul SDRAM poate funcționa mai fiabil pe un număr mai
Memorie DRAM () [Corola-website/Science/321163_a_322492]
-
unor timpi mai reduși de creștere și descreștere a tensiunilor. Memoriile SDRAM conțin un circuit de memorie EEPROM care se întâlnește sub denumirea SPD (Serial Presence Detect). Acesta conține informații despre viteza și design-ul modulului. Un avantaj al utilizării circuitului EEPROM este acela că modulul SDRAM poate funcționa mai fiabil pe un număr mai mare de plăci de bază. O altă caracteristică este aceea că „memoria SDRAM poate funcționa în mod exploziv pentru 1 bit, 2 biți, 4 biți, 8
Memorie DRAM () [Corola-website/Science/321163_a_322492]
-
transfer maximă este de 800 MB/s. Această memorie a fost destinată inițial pentru sisteme cu performanțe ridicate si este compatibilă cu memoria SDRAM convențională. Memoriile HSDRAM pot funcționa la frecvențe de 133 MHz, 150 MHz sau chiar 166 MHz. Circuitele de memorie HSDRAM au fost incluse și în alte arhitecturi de memorii, precum ESDRAM și DDR SDRAM. Memoria ESDRAM a fost dezvoltată de firma Enhanced Memory Systems în anul 1997. Ea este formată dintr-o memorie SDRAM și o memorie
Memorie DRAM () [Corola-website/Science/321163_a_322492]
-
conținutul liniei precedente este transferat în bufferele de ieșire. ESDRAM folosește operația de „auto-preîncărcare ascunsă” prin care suprapune transferul în mod exploziv al datelor din memoria cache de linie în bufferele de ieșire. Memoriile ESRAM utilizează tehnica pipeline și conțin circuite de memorie cu performanțe ridicate (HSDRAM), ceea ce permit funcționarea în mod exploziv la frecvențe de 166 MHz sau 200 MHz. Din acest motiv, costul memoriei este ridicat, iar producția este limitată. Totuși, firma Enhanced Memory Systems a dezvoltat și o
Memorie DRAM () [Corola-website/Science/321163_a_322492]
-
Un circuit "(Programmable Read-Only Memory)" sau F "(Field Programmable Read-Only Memory)" sau OTP NVM "(One-Time Programmable Non-Volatile Memory)" este o formă de memorie digitală unde valoarea fiecărui bit este stabilită prin arderea unei siguranțe. Acest fel de circuit este folosit pentru stocarea
PROM () [Corola-website/Science/321167_a_322496]
-
Un circuit "(Programmable Read-Only Memory)" sau F "(Field Programmable Read-Only Memory)" sau OTP NVM "(One-Time Programmable Non-Volatile Memory)" este o formă de memorie digitală unde valoarea fiecărui bit este stabilită prin arderea unei siguranțe. Acest fel de circuit este folosit pentru stocarea permanentă a unui program. Diferența majoră față de circuitele ROM "(Read-Only Memory)" este că programarea acestuia se face după construcția circuitului. Circuitele PROM sunt fabricate cu memoria liberă și, în funcție de tehnologia de fabricație, pot fi programate folosind
PROM () [Corola-website/Science/321167_a_322496]
-
Read-Only Memory)" sau OTP NVM "(One-Time Programmable Non-Volatile Memory)" este o formă de memorie digitală unde valoarea fiecărui bit este stabilită prin arderea unei siguranțe. Acest fel de circuit este folosit pentru stocarea permanentă a unui program. Diferența majoră față de circuitele ROM "(Read-Only Memory)" este că programarea acestuia se face după construcția circuitului. Circuitele PROM sunt fabricate cu memoria liberă și, în funcție de tehnologia de fabricație, pot fi programate folosind circuite speciale sau chiar în sistemul în care urmează a fi instalate
PROM () [Corola-website/Science/321167_a_322496]
-
de memorie digitală unde valoarea fiecărui bit este stabilită prin arderea unei siguranțe. Acest fel de circuit este folosit pentru stocarea permanentă a unui program. Diferența majoră față de circuitele ROM "(Read-Only Memory)" este că programarea acestuia se face după construcția circuitului. Circuitele PROM sunt fabricate cu memoria liberă și, în funcție de tehnologia de fabricație, pot fi programate folosind circuite speciale sau chiar în sistemul în care urmează a fi instalate. Această tehnologie permite companiilor să păstreze în stoc o cantitate apreciabilă de
PROM () [Corola-website/Science/321167_a_322496]
-
memorie digitală unde valoarea fiecărui bit este stabilită prin arderea unei siguranțe. Acest fel de circuit este folosit pentru stocarea permanentă a unui program. Diferența majoră față de circuitele ROM "(Read-Only Memory)" este că programarea acestuia se face după construcția circuitului. Circuitele PROM sunt fabricate cu memoria liberă și, în funcție de tehnologia de fabricație, pot fi programate folosind circuite speciale sau chiar în sistemul în care urmează a fi instalate. Această tehnologie permite companiilor să păstreze în stoc o cantitate apreciabilă de unități
PROM () [Corola-website/Science/321167_a_322496]
-
este folosit pentru stocarea permanentă a unui program. Diferența majoră față de circuitele ROM "(Read-Only Memory)" este că programarea acestuia se face după construcția circuitului. Circuitele PROM sunt fabricate cu memoria liberă și, în funcție de tehnologia de fabricație, pot fi programate folosind circuite speciale sau chiar în sistemul în care urmează a fi instalate. Această tehnologie permite companiilor să păstreze în stoc o cantitate apreciabilă de unități PROM și să le programeze înainte de utilizare pentru a evita cumpărarea de circuite ROM specifice fiecărui
PROM () [Corola-website/Science/321167_a_322496]
-
fi programate folosind circuite speciale sau chiar în sistemul în care urmează a fi instalate. Această tehnologie permite companiilor să păstreze în stoc o cantitate apreciabilă de unități PROM și să le programeze înainte de utilizare pentru a evita cumpărarea de circuite ROM specifice fiecărui produs în parte. Acest tip de memorie se găsește frecvent în cazul consolelor de jocuri, telefoanelor mobile, aparatelor medicale implantabile, interfețelor HDMI "(High-Definition Multimedia Interface)" și în multe alte produse de larg consum. Circuitul PROM a fost
PROM () [Corola-website/Science/321167_a_322496]
-
evita cumpărarea de circuite ROM specifice fiecărui produs în parte. Acest tip de memorie se găsește frecvent în cazul consolelor de jocuri, telefoanelor mobile, aparatelor medicale implantabile, interfețelor HDMI "(High-Definition Multimedia Interface)" și în multe alte produse de larg consum. Circuitul PROM a fost inventat în 1956 de către Wen Tsing Chow, care lucra în acel moment pentru "American Bosch Arma Corporation" în Garden City, New York. Circuitele au fost create la cererea "Forțelor Aeriene ale SUA". Aceștia doreau o modalitate mai sigură
PROM () [Corola-website/Science/321167_a_322496]
-
medicale implantabile, interfețelor HDMI "(High-Definition Multimedia Interface)" și în multe alte produse de larg consum. Circuitul PROM a fost inventat în 1956 de către Wen Tsing Chow, care lucra în acel moment pentru "American Bosch Arma Corporation" în Garden City, New York. Circuitele au fost create la cererea "Forțelor Aeriene ale SUA". Aceștia doreau o modalitate mai sigură și flexibilă de a stoca coordonatele țintelor în calculatorul digital al rachetelor Atlas E/F. Patentul și tehnologia asociată acestuia a fost ținut secret câțiva
PROM () [Corola-website/Science/321167_a_322496]
-
digital al rachetelor Atlas E/F. Patentul și tehnologia asociată acestuia a fost ținut secret câțiva ani, timp în care rachetele Atlas E/F au devenit principală armă intercontinentala a SUA. Termenul de "ardere", care se referă la programarea unui circuit PROM, se găsește în patentul original al tehnologiei deoarece una din metodele incipiente de implementare a programării circuitelor era chiar aceea de ardere a diodelor interne cu un curent destul de mare pentru a produce discontinuități în circuit. Primele circuite de
PROM () [Corola-website/Science/321167_a_322496]
-
în care rachetele Atlas E/F au devenit principală armă intercontinentala a SUA. Termenul de "ardere", care se referă la programarea unui circuit PROM, se găsește în patentul original al tehnologiei deoarece una din metodele incipiente de implementare a programării circuitelor era chiar aceea de ardere a diodelor interne cu un curent destul de mare pentru a produce discontinuități în circuit. Primele circuite de programare a PROM-urilor au fost de asemenea dezvoltate de ingineri Arma sub conducerea lui Chow și au
PROM () [Corola-website/Science/321167_a_322496]
-
la programarea unui circuit PROM, se găsește în patentul original al tehnologiei deoarece una din metodele incipiente de implementare a programării circuitelor era chiar aceea de ardere a diodelor interne cu un curent destul de mare pentru a produce discontinuități în circuit. Primele circuite de programare a PROM-urilor au fost de asemenea dezvoltate de ingineri Arma sub conducerea lui Chow și au fost dispuse în laboratorul Arma din Garden City și la comandamentul SAC (Strategic Air Command). Primele circuite PROM comerciale
PROM () [Corola-website/Science/321167_a_322496]
-
unui circuit PROM, se găsește în patentul original al tehnologiei deoarece una din metodele incipiente de implementare a programării circuitelor era chiar aceea de ardere a diodelor interne cu un curent destul de mare pentru a produce discontinuități în circuit. Primele circuite de programare a PROM-urilor au fost de asemenea dezvoltate de ingineri Arma sub conducerea lui Chow și au fost dispuse în laboratorul Arma din Garden City și la comandamentul SAC (Strategic Air Command). Primele circuite PROM comerciale, bazate pe
PROM () [Corola-website/Science/321167_a_322496]
-
discontinuități în circuit. Primele circuite de programare a PROM-urilor au fost de asemenea dezvoltate de ingineri Arma sub conducerea lui Chow și au fost dispuse în laboratorul Arma din Garden City și la comandamentul SAC (Strategic Air Command). Primele circuite PROM comerciale, bazate pe tehnologia semiconductorilor, au fost disponibile încă din anul 1969, valoarea celulelor de bit depinzând de arderea unui condensator aflat la intersecția liniilor conductoare. Texas Instruments a realizat circuitul folosind tehnologia "MOSFET" în 1979. În 1982 s-
PROM () [Corola-website/Science/321167_a_322496]
-
și la comandamentul SAC (Strategic Air Command). Primele circuite PROM comerciale, bazate pe tehnologia semiconductorilor, au fost disponibile încă din anul 1969, valoarea celulelor de bit depinzând de arderea unui condensator aflat la intersecția liniilor conductoare. Texas Instruments a realizat circuitul folosind tehnologia "MOSFET" în 1979. În 1982 s-a trecut de la folosirea condensatoarelor la folosirea tranzistorilor. Cu toate aceste avansuri tehnologice, principiul de ardere propriu-zisă a circuitelor a ridicat o serie de probleme de scalare, programare, mărime și fabricație ce
PROM () [Corola-website/Science/321167_a_322496]
-
de arderea unui condensator aflat la intersecția liniilor conductoare. Texas Instruments a realizat circuitul folosind tehnologia "MOSFET" în 1979. În 1982 s-a trecut de la folosirea condensatoarelor la folosirea tranzistorilor. Cu toate aceste avansuri tehnologice, principiul de ardere propriu-zisă a circuitelor a ridicat o serie de probleme de scalare, programare, mărime și fabricație ce au condus la producția acestora în volume mici. Un circuit tipic PROM neprogramat are valoarea tuturor biților setată la "1" logic. Arderea unei siguranțe face ca valoarea
PROM () [Corola-website/Science/321167_a_322496]
-
trecut de la folosirea condensatoarelor la folosirea tranzistorilor. Cu toate aceste avansuri tehnologice, principiul de ardere propriu-zisă a circuitelor a ridicat o serie de probleme de scalare, programare, mărime și fabricație ce au condus la producția acestora în volume mici. Un circuit tipic PROM neprogramat are valoarea tuturor biților setată la "1" logic. Arderea unei siguranțe face ca valoarea bit-ului corespunzător să fie "0" logic. Memoria poate fi programată doar o singură dată prin arderea sigurantelor, acest proces fiind ireversibil. Cu toate că
PROM () [Corola-website/Science/321167_a_322496]
-
Arderea unei siguranțe face ca valoarea bit-ului corespunzător să fie "0" logic. Memoria poate fi programată doar o singură dată prin arderea sigurantelor, acest proces fiind ireversibil. Cu toate că este imposibil să refaci o siguranță arsă, este totuși posibilă reprogramarea circuitului prin arderea siguranțelor ramase nealterate anterior. Totuși după ce au fost arse toate siguranțele nu mai este posibilă nici un fel de programare.
PROM () [Corola-website/Science/321167_a_322496]
-
pentru utilizarea de către această placă a unui dispozitiv periferic de afișare. Capacitatea de memorie a celor mai moderne plăci video variază de la 128 MB la 16 GB. Din moment ce memoria video trebuie să fie accesată de către GPU (Graphics Processing Unit) și circuitele de afișaj, se folosește adesea memorie specială multi-port sau de mare viteză, cum ar fi VRAM, WRAM, SGRAM etc. În jurul anului 2003, memoria video era de obicei bazată pe tehnologia DDR. În timpul și după acest an, producătorii s-au îndreptat
Memorie video () [Corola-website/Science/321165_a_322494]