35,068 matches
-
într-o pierdere/atenuare a semnalului domoală la frecvențele mai înalte (o pierdere de 3,9224 dB la frecvența Nyquist). Acest efect de reținere de ordin zero este o consecință a acțiunii de "reținere" a CNA-ului șinu se datorează circuitului de eșantionare-reținere care ar putea preceda un CAN convențional, așa cum se înțelege greșit adesea. CNA-ul poate de asemenea suferi erori de la tremurarea semnalului, zgomot, salt al semnalului, și corespondență neliniară a valorii de intrare la tensiunea de ieșire. Instabilitatea
Eșantionare (procesare de semnal) () [Corola-website/Science/321689_a_323018]
-
dacă neuronii inhibitori nu funcționează în mod corespunzător. Astfel, acest lucru duce la apariția unei anumite zone predispuse la declanșarea unor crize, cunoscută drept "focarul crizei". Un alt mecanism al epilepsiei ar putea fi amplificarea sensibilității receptorilor sau diminuarea răspunsului circuitelor inhibitoare ca urmare a unei leziuni la nivelul creierului. Aceste epilepsii secundare apar prin intermediul unor procese cunoscute sub numele de epileptogeneză. De asemenea, nefuncționarea barierei hematoencefalice poate reprezenta un mecanism cauzal, deoarece poate permite substanțelor din sânge să ajungă la
Epilepsie () [Corola-website/Science/321693_a_323022]
-
materialului se obține înmulțind permitivitatea relativă cu permitivitatea vidului: ε=ε*ε=(1+χ)*ε [F/m] unde: ε este permitivitatea absolută a materialului, Permitivitatea absolută a vidului este: Materialele cu permitivitate relativă mică se folosesc ca și izolatoare în circuitele electronice, precum și în dispozitivele electronice. În cazul circuitelor integrate și în mod special în cazul circuitelor de înaltă frecvență, utilizarea unor materiale cu permitivitate dielectrică cât mai mică este esențială întrucât reduce capacitățile parazite. În caz contrar, apare fenomenul de
Permitivitate relativă () [Corola-website/Science/321737_a_323066]
-
vidului: ε=ε*ε=(1+χ)*ε [F/m] unde: ε este permitivitatea absolută a materialului, Permitivitatea absolută a vidului este: Materialele cu permitivitate relativă mică se folosesc ca și izolatoare în circuitele electronice, precum și în dispozitivele electronice. În cazul circuitelor integrate și în mod special în cazul circuitelor de înaltă frecvență, utilizarea unor materiale cu permitivitate dielectrică cât mai mică este esențială întrucât reduce capacitățile parazite. În caz contrar, apare fenomenul de diafonie între trasee, ceea ce afectează într-un mod
Permitivitate relativă () [Corola-website/Science/321737_a_323066]
-
m] unde: ε este permitivitatea absolută a materialului, Permitivitatea absolută a vidului este: Materialele cu permitivitate relativă mică se folosesc ca și izolatoare în circuitele electronice, precum și în dispozitivele electronice. În cazul circuitelor integrate și în mod special în cazul circuitelor de înaltă frecvență, utilizarea unor materiale cu permitivitate dielectrică cât mai mică este esențială întrucât reduce capacitățile parazite. În caz contrar, apare fenomenul de diafonie între trasee, ceea ce afectează într-un mod negativ atât performanțele circuitului cât și frecvența maximă
Permitivitate relativă () [Corola-website/Science/321737_a_323066]
-
mod special în cazul circuitelor de înaltă frecvență, utilizarea unor materiale cu permitivitate dielectrică cât mai mică este esențială întrucât reduce capacitățile parazite. În caz contrar, apare fenomenul de diafonie între trasee, ceea ce afectează într-un mod negativ atât performanțele circuitului cât și frecvența maximă de lucru. În mod uzual, în circuitele integrate se folosește ca izolator dioxidul de siliciu SiO2, care are permitivitatea dielectrică relativă 3,9. Dacă dioxidul de siliciu este dopat cu fluor, permitivitatea dielectrică relativă scade sub
Permitivitate relativă () [Corola-website/Science/321737_a_323066]
-
cu permitivitate dielectrică cât mai mică este esențială întrucât reduce capacitățile parazite. În caz contrar, apare fenomenul de diafonie între trasee, ceea ce afectează într-un mod negativ atât performanțele circuitului cât și frecvența maximă de lucru. În mod uzual, în circuitele integrate se folosește ca izolator dioxidul de siliciu SiO2, care are permitivitatea dielectrică relativă 3,9. Dacă dioxidul de siliciu este dopat cu fluor, permitivitatea dielectrică relativă scade sub 3,5. Utilizarea unor materiale poroase ca și izolator scade și
Permitivitate relativă () [Corola-website/Science/321737_a_323066]
-
fabricație la ICPE București, Electrotehnica București, IFMA București diverse produse electrotehnice precum servomotoare, traductoare, micromotoare, actuatoare pentru roboți industriali, mașini unelte, aviație, urmărind în special avantajele utilizării magneților permanenți. A predat cursurile: Universitatea Politehnica București: Mașini electrice speciale, Traductoare electrice, Circuite magnetice cu magneți permanenți; Universitatea Valahia din Târgoviște: Tehnologia mașinilor și aparatelor electrice, Strategia economică a inovării tehnologice, Managementul proiectelor. Este conducător științific de doctorate la Universitatea Politehnica București și la Universitatea Valahia din Târgoviște. În numele Camerei de Comerț și
Nicolae Vasile () [Corola-website/Science/320769_a_322098]
-
fără perii cu întrefier axial și rotor disc; Brevet nr. 112324. Procedeu de realizare a mașinilor electrice; Brevet nr. 110104. Metodă pentru pornirea motoarelor sincrone cu magneți permanenți; Brevet nr. 103276. Ansamblu de bobine de reactanța toroidale; Brevet nr. 103275. Circuit magnetic cu miez din fier. -2001-2010 Who's who în the World; 2005-2010 Hubner Who's who-Enciclopedia Personalităților din România. Asociația de Standardizare din România-ASRO, președinte fondator în perioada 1998-2000; Asociația de Acreditare din România-RENAR, vicepreședinte în perioada 1998-2006; Cameră
Nicolae Vasile () [Corola-website/Science/320769_a_322098]
-
cazane care acum sunt dezmontate. De aici se intră în Sala Cazanelor , în vechea clădire a Cazanelor de Inaltă Presiune;unde prin forma lor impresionantă, vizitatorii pot observa patru cazane mari de aproximativ 30 de metri înăltime, panouri de control, circuite de aer și combustibil, ventilatoare, etc. Exista cazanul nr.15, care a fost modificat să permită accesul vizitatorilor în interior și să se poata vedea structura și componentele interne (banda rulanta de fier, peretii Bailey, arzătoarele de combustibil, tuburile de
Muzeul Electricității (Lisabona) () [Corola-website/Science/320886_a_322215]
-
pentru alternatoare și pentru substație. A doua etapă (1914-1928) corespunde cu prima extindere a sălii pentru cazane cu o nouă instalație longitudinală, cu achiziționarea de un nou generator, cu construirea de un distribuitor de cărbune și cu pilonii pentru canalele circuitului de răcire. În sfârșit,a treia fază (1928-1930), a avut loc ultima extindere a sălii pentru cazane, cu o nouă instalație industrială de proporții mai mari decât celelalte, de la sala pentru mașini și a substație. Așadar, începând de la 1930, sala
Centrala Tejo () [Corola-website/Science/320909_a_322238]
-
unei centrale termoelectrice, se bazează pe arderea unui combustil pentru a produce aburi care, la rândul său, rotește un generator de curent electric. Acest lucru e simplu de realizat teoretic, dar în practică este necesar un set complex de mașini, circuite și logistică. În Centrala Tejo combustibilul principal a fost cărbunele, care sosea pe cale maritimă și era descărcat în piața cu același nume pentru ca ulterior, să treacă prin concasor și apoi în hambarele mixere. De aici, continua spre banda de distribuție
Centrala Tejo () [Corola-website/Science/320909_a_322238]
-
de ardere în interiorul cuptorului. Aici era ars la o temperatură de aproximativ 1200˚C. Astfel căldura generată, transforma în aburi apa care trecea prin tuburile din interiorul cazanului și care ulterior, era direcționat către turboalternatoare. Apa folosită aici,circula în circuit închis și era pură din punct de vedere chimical. Pentru aceasta, trecea printr-un proces de purificare și filtrare pentru a prevenii deteriorarea echipametelor centralei. Prin urmare, aburul călătorea prin tuburi de înaltă presiune (38 kg/cm₂) până la generatoare, unde
Centrala Tejo () [Corola-website/Science/320909_a_322238]
-
o oferă permițând utilizarea memoriei în funcție de scopul sau de funcționalitatea dorită la un moment de timp dat. Sistemele embedded având o funcționalitate fixă și fiind supuse unor restricții în ceea ce privește modul de funcționare (consum redus, cost redus, un număr mic de circuite componente) exploatează mult mai bine arhitectura Harvard. Sistemul de memorie constă din mai multe subsisteme, cu capacități diferite și timpi de acces diferiți. Datele și programele sunt mutate dinamic dintr-o zonă de memorie în alta. Fluxul este controlat de către
Memoria sistemelor de calcul () [Corola-website/Science/320927_a_322256]
-
memorie cu care UCP lucrează în mod direct) și memorie secundară (memorie accesibilă prin intermediul unui dispozitiv de control suplimentar). Apariția celui de al doilea nivel de memorie a fost argumentată de rațiuni economice și practice. Memoria primară este formată din circuite electrice care nu permit stocarea unor mari cantități de informații și care nu permit întotdeauna stocarea informațiilor în absența alimentării cu energie electrică. În schimb, memoria principală oferă un timp de acces foarte mic. Spre deosebire de aceasta, memoria secundară este formată
Memoria sistemelor de calcul () [Corola-website/Science/320927_a_322256]
-
și mai mult accesul la informații a UCP se utilizează unul sau mai multe nivele de memorie cache (nivelul 1 - on-chip cache si nivelul 2 - on-board cache). Memoria cache este implementată la nivel de UCP sau de sistem prin intermediul unor circuite de memorie electrice cu timp de acces foarte mic (mult mai mic decât al circuitelor care formează memoria principală) și care intermediază accesul la informații a UCP. Cu cât timpul de acces a unui circuit de memorie este mai mic
Memoria sistemelor de calcul () [Corola-website/Science/320927_a_322256]
-
de memorie cache (nivelul 1 - on-chip cache si nivelul 2 - on-board cache). Memoria cache este implementată la nivel de UCP sau de sistem prin intermediul unor circuite de memorie electrice cu timp de acces foarte mic (mult mai mic decât al circuitelor care formează memoria principală) și care intermediază accesul la informații a UCP. Cu cât timpul de acces a unui circuit de memorie este mai mic cu atât prețul pe unitate de stocare este mai mare și de aceea nu se
Memoria sistemelor de calcul () [Corola-website/Science/320927_a_322256]
-
sau de sistem prin intermediul unor circuite de memorie electrice cu timp de acces foarte mic (mult mai mic decât al circuitelor care formează memoria principală) și care intermediază accesul la informații a UCP. Cu cât timpul de acces a unui circuit de memorie este mai mic cu atât prețul pe unitate de stocare este mai mare și de aceea nu se pune problema utilizării unor circuite extrem de rapide la construirea memoriei principale nefiind rezonabil din punct de vedere economic; aceste circuite
Memoria sistemelor de calcul () [Corola-website/Science/320927_a_322256]
-
și care intermediază accesul la informații a UCP. Cu cât timpul de acces a unui circuit de memorie este mai mic cu atât prețul pe unitate de stocare este mai mare și de aceea nu se pune problema utilizării unor circuite extrem de rapide la construirea memoriei principale nefiind rezonabil din punct de vedere economic; aceste circuite pot fi folosite în schimb la memoria cache, aceasta are dimensiuni mult mai mici decât memoria principală ne-conținând decât informații necesare imediat UCP-ului
Memoria sistemelor de calcul () [Corola-website/Science/320927_a_322256]
-
circuit de memorie este mai mic cu atât prețul pe unitate de stocare este mai mare și de aceea nu se pune problema utilizării unor circuite extrem de rapide la construirea memoriei principale nefiind rezonabil din punct de vedere economic; aceste circuite pot fi folosite în schimb la memoria cache, aceasta are dimensiuni mult mai mici decât memoria principală ne-conținând decât informații necesare imediat UCP-ului. Registrele de uz general constituie nivelul 0 al memoriei pentru date (incluzând adresele programului) și
Memoria sistemelor de calcul () [Corola-website/Science/320927_a_322256]
-
localizarea acestora: memorie internă (în interiorul microcontroler-ului), memorie externă (sistem). Toate aceste unități de memorie se află ierarhic la nivel de memorie principală. Implementarea fizică diferă între memoria program și memoria de date, cele două tipuri de memorie fiind implementate cu circuite electrice de memorie volatilă - circuite de memorie RAM (memoria de date) și circuite de memorie non-volatile - circuite de memorie ROM (memoria program). Utilizarea memoriei de tip ROM, în cazul memoriei program, asigură non-volatilitatea informațiilor în lipsa memoriei secundare.
Memoria sistemelor de calcul () [Corola-website/Science/320927_a_322256]
-
microcontroler-ului), memorie externă (sistem). Toate aceste unități de memorie se află ierarhic la nivel de memorie principală. Implementarea fizică diferă între memoria program și memoria de date, cele două tipuri de memorie fiind implementate cu circuite electrice de memorie volatilă - circuite de memorie RAM (memoria de date) și circuite de memorie non-volatile - circuite de memorie ROM (memoria program). Utilizarea memoriei de tip ROM, în cazul memoriei program, asigură non-volatilitatea informațiilor în lipsa memoriei secundare.
Memoria sistemelor de calcul () [Corola-website/Science/320927_a_322256]
-
memorie se află ierarhic la nivel de memorie principală. Implementarea fizică diferă între memoria program și memoria de date, cele două tipuri de memorie fiind implementate cu circuite electrice de memorie volatilă - circuite de memorie RAM (memoria de date) și circuite de memorie non-volatile - circuite de memorie ROM (memoria program). Utilizarea memoriei de tip ROM, în cazul memoriei program, asigură non-volatilitatea informațiilor în lipsa memoriei secundare.
Memoria sistemelor de calcul () [Corola-website/Science/320927_a_322256]
-
la nivel de memorie principală. Implementarea fizică diferă între memoria program și memoria de date, cele două tipuri de memorie fiind implementate cu circuite electrice de memorie volatilă - circuite de memorie RAM (memoria de date) și circuite de memorie non-volatile - circuite de memorie ROM (memoria program). Utilizarea memoriei de tip ROM, în cazul memoriei program, asigură non-volatilitatea informațiilor în lipsa memoriei secundare.
Memoria sistemelor de calcul () [Corola-website/Science/320927_a_322256]
-
cod din memoria program externă începând cu adresa 0000H până la adresa FFFFH.Pentru execuții interne de program #EA trebuie sa fie legat la Vcc. XTAL1 (19): XTAL1 este utilizat ca intrare a oscilatorului inversor amplificat și ca intrare ceas a circuitului operațional. XTAL2 (18): XTAL2 reprezintă ieșirea oscilatorului inversor amplificat. Nu toate adresele, în zona în care se găsesc Regiștrii cu Funcții Speciale, sunt ocupate, iar cele neocupate pot să fie inexistente pe chip. Accesul de citire de la aceste adrese va
AT89S52 () [Corola-website/Science/320962_a_322291]