945 matches
-
memoria program contine un firmware la care firma poate aduce îmbunătățiri sau să corecteze erori neidentificate. În cazul în care este nevoie de un firmware mai complex, de dimensiuni mai mari se preferă folosirea de microcontrollere cu memorie FLASH. Memoria FLASH este un tip de memorie EEPROM la care ștergerea se efectuează la nivel de bloc de date, spre deosebire de EEPROM unde ștergerea este la nivel de octet. Ca urmare ștergerea la FLASH se poate face mult mai rapid, deși poate fi
Memoria Program la Microcontrollere () [Corola-website/Science/321151_a_322480]
-
se preferă folosirea de microcontrollere cu memorie FLASH. Memoria FLASH este un tip de memorie EEPROM la care ștergerea se efectuează la nivel de bloc de date, spre deosebire de EEPROM unde ștergerea este la nivel de octet. Ca urmare ștergerea la FLASH se poate face mult mai rapid, deși poate fi un inconvenient în momentul în care se dorește ștergerea a unui singur octet. Timpii de citire la memoria FLASH sunt mai mari decât la EEPROM însă structura memoriei FLASH este mai
Memoria Program la Microcontrollere () [Corola-website/Science/321151_a_322480]
-
EEPROM unde ștergerea este la nivel de octet. Ca urmare ștergerea la FLASH se poate face mult mai rapid, deși poate fi un inconvenient în momentul în care se dorește ștergerea a unui singur octet. Timpii de citire la memoria FLASH sunt mai mari decât la EEPROM însă structura memoriei FLASH este mai densă, oferind capacități de memorare mai mari pe aceeași suprafață de siliciu, lucru dorit în cazul microcontrollerelor unde dimensiunile sunt limitate. În plus, costurile de fabricație pentru memoriile
Memoria Program la Microcontrollere () [Corola-website/Science/321151_a_322480]
-
ștergerea la FLASH se poate face mult mai rapid, deși poate fi un inconvenient în momentul în care se dorește ștergerea a unui singur octet. Timpii de citire la memoria FLASH sunt mai mari decât la EEPROM însă structura memoriei FLASH este mai densă, oferind capacități de memorare mai mari pe aceeași suprafață de siliciu, lucru dorit în cazul microcontrollerelor unde dimensiunile sunt limitate. În plus, costurile de fabricație pentru memoriile FLASH sunt mai mici în comparație cu cele pentru memoriile EEPROM.
Memoria Program la Microcontrollere () [Corola-website/Science/321151_a_322480]
-
sunt mai mari decât la EEPROM însă structura memoriei FLASH este mai densă, oferind capacități de memorare mai mari pe aceeași suprafață de siliciu, lucru dorit în cazul microcontrollerelor unde dimensiunile sunt limitate. În plus, costurile de fabricație pentru memoriile FLASH sunt mai mici în comparație cu cele pentru memoriile EEPROM.
Memoria Program la Microcontrollere () [Corola-website/Science/321151_a_322480]
-
Memoria (de tip) flash este o memorie electronică, de calculator (sau alt aparat cu memorie), nevolatilă (în care datele persistă și fără alimentare cu energie electrică) și care la nevoie poate fi ștearsă și reprogramată (reîncărcată cu date). „"Flash"” mai desemnează și tehnologia folosită
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
alt aparat cu memorie), nevolatilă (în care datele persistă și fără alimentare cu energie electrică) și care la nevoie poate fi ștearsă și reprogramată (reîncărcată cu date). „"Flash"” mai desemnează și tehnologia folosită la fabricarea memoriilor de acest tip. Memoriile "flash" sunt memorii cu acces aleator. Memoria "flash" (atât de tip NOR cât și de tip NAND) a fost inventată de Dr. Fujio Masuoka în anul 1980, în timp ce lucra la compania Toshiba. Conform Toshiba, numele de „"flash"” a fost sugerat de
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
datele persistă și fără alimentare cu energie electrică) și care la nevoie poate fi ștearsă și reprogramată (reîncărcată cu date). „"Flash"” mai desemnează și tehnologia folosită la fabricarea memoriilor de acest tip. Memoriile "flash" sunt memorii cu acces aleator. Memoria "flash" (atât de tip NOR cât și de tip NAND) a fost inventată de Dr. Fujio Masuoka în anul 1980, în timp ce lucra la compania Toshiba. Conform Toshiba, numele de „"flash"” a fost sugerat de colegul lui Masuoka, anume Shoji Ariizumi, deoarece
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
de acest tip. Memoriile "flash" sunt memorii cu acces aleator. Memoria "flash" (atât de tip NOR cât și de tip NAND) a fost inventată de Dr. Fujio Masuoka în anul 1980, în timp ce lucra la compania Toshiba. Conform Toshiba, numele de „"flash"” a fost sugerat de colegul lui Masuoka, anume Shoji Ariizumi, deoarece procesul de ștergere îi amintea de blițul unei aparat foto cu bliț (în engleză: "flash"). Memoria "flash" (uneori numită și „"Flash RAM"”) este un tip de memorie nevolatilă cu
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
Fujio Masuoka în anul 1980, în timp ce lucra la compania Toshiba. Conform Toshiba, numele de „"flash"” a fost sugerat de colegul lui Masuoka, anume Shoji Ariizumi, deoarece procesul de ștergere îi amintea de blițul unei aparat foto cu bliț (în engleză: "flash"). Memoria "flash" (uneori numită și „"Flash RAM"”) este un tip de memorie nevolatilă cu alimentare constantă ale cărei blocuri de memorie pot fi șterse și reprogramate. Este o variantă a memoriei de tip EEPROM („"Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory"”), care
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
în anul 1980, în timp ce lucra la compania Toshiba. Conform Toshiba, numele de „"flash"” a fost sugerat de colegul lui Masuoka, anume Shoji Ariizumi, deoarece procesul de ștergere îi amintea de blițul unei aparat foto cu bliț (în engleză: "flash"). Memoria "flash" (uneori numită și „"Flash RAM"”) este un tip de memorie nevolatilă cu alimentare constantă ale cărei blocuri de memorie pot fi șterse și reprogramate. Este o variantă a memoriei de tip EEPROM („"Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory"”), care, spre deosebire de memoria
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
uneori numită și „"Flash RAM"”) este un tip de memorie nevolatilă cu alimentare constantă ale cărei blocuri de memorie pot fi șterse și reprogramate. Este o variantă a memoriei de tip EEPROM („"Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory"”), care, spre deosebire de memoria "flash", este ștearsă și programată la nivel de bit, ceea ce o face mai lentă. Numele de „memorie "flash"” vine de la faptul că cipul este organizat in așa fel încât o operație de ștergere se face printr-o singură acțiune sau „"flash
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
de memorie pot fi șterse și reprogramate. Este o variantă a memoriei de tip EEPROM („"Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory"”), care, spre deosebire de memoria "flash", este ștearsă și programată la nivel de bit, ceea ce o face mai lentă. Numele de „memorie "flash"” vine de la faptul că cipul este organizat in așa fel încât o operație de ștergere se face printr-o singură acțiune sau „"flash"”. Ștergerea este cauzată de fenomenul tunelare Fowler-Nordheim, prin care electronii străpung un material dielectric fin cu scopul
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
flash", este ștearsă și programată la nivel de bit, ceea ce o face mai lentă. Numele de „memorie "flash"” vine de la faptul că cipul este organizat in așa fel încât o operație de ștergere se face printr-o singură acțiune sau „"flash"”. Ștergerea este cauzată de fenomenul tunelare Fowler-Nordheim, prin care electronii străpung un material dielectric fin cu scopul de a înlătura sarcina din poarta flotantă asociată fiecărei celule de memorie. Memoria "flash" este folosită des pentru a memora cod de control
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
de ștergere se face printr-o singură acțiune sau „"flash"”. Ștergerea este cauzată de fenomenul tunelare Fowler-Nordheim, prin care electronii străpung un material dielectric fin cu scopul de a înlătura sarcina din poarta flotantă asociată fiecărei celule de memorie. Memoria "flash" este folosită des pentru a memora cod de control asemănător BIOS-ului calculatoarelor personale. Când informația din BIOS trebuie modificată memoria poate fi scrisă la nivel de bloc, ceea ce o face mai ușor de modificat. In schimb, "flash"-ul nu
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
memorie. Memoria "flash" este folosită des pentru a memora cod de control asemănător BIOS-ului calculatoarelor personale. Când informația din BIOS trebuie modificată memoria poate fi scrisă la nivel de bloc, ceea ce o face mai ușor de modificat. In schimb, "flash"-ul nu este folosit ca RAM („"Random Acces Memory"”), deoarece RAM-ul este adresat la nivel de byte. Compania Intel oferă o tehnologie "flash" care reține 2 biți într-o celulă de memorie, ceea ce dublează capacitatea la același preț. Există
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
poate fi scrisă la nivel de bloc, ceea ce o face mai ușor de modificat. In schimb, "flash"-ul nu este folosit ca RAM („"Random Acces Memory"”), deoarece RAM-ul este adresat la nivel de byte. Compania Intel oferă o tehnologie "flash" care reține 2 biți într-o celulă de memorie, ceea ce dublează capacitatea la același preț. Există două tipuri de memorie "flash": NOR ("Not Or") și NAND ("Not And"). Denumirile se referă la tipul de poartă logică folosită pentru celulele de
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
ca RAM („"Random Acces Memory"”), deoarece RAM-ul este adresat la nivel de byte. Compania Intel oferă o tehnologie "flash" care reține 2 biți într-o celulă de memorie, ceea ce dublează capacitatea la același preț. Există două tipuri de memorie "flash": NOR ("Not Or") și NAND ("Not And"). Denumirile se referă la tipul de poartă logică folosită pentru celulele de stocare. NOR înseamnă: adevărat numai dacă ambele intrări sunt false, iar NAND înseamnă: fals numai dacă ambele intrări sunt adevărate. Memoria
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
NOR ("Not Or") și NAND ("Not And"). Denumirile se referă la tipul de poartă logică folosită pentru celulele de stocare. NOR înseamnă: adevărat numai dacă ambele intrări sunt false, iar NAND înseamnă: fals numai dacă ambele intrări sunt adevărate. Memoria "flash" de tip NOR ("NOR flash") a fost introdusă de compania Intel în anul 1988, în timp ce NAND de către compania Toshiba în 1989. Cele doua cipuri lucrează in mod diferit. Cu NAND se pot realiza capacități de stocare mult mai mari decât
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
Not And"). Denumirile se referă la tipul de poartă logică folosită pentru celulele de stocare. NOR înseamnă: adevărat numai dacă ambele intrări sunt false, iar NAND înseamnă: fals numai dacă ambele intrări sunt adevărate. Memoria "flash" de tip NOR ("NOR flash") a fost introdusă de compania Intel în anul 1988, în timp ce NAND de către compania Toshiba în 1989. Cele doua cipuri lucrează in mod diferit. Cu NAND se pot realiza capacități de stocare mult mai mari decât cu NOR. Tehnologia NAND și-
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
bit și mărirea capacității unui cip astfel încât să poată concura cu dispozitive de stocare magnetice ca de ex. discurile dure. Noile tehnologii NAND au dus la un cip mai mic, au micșorat voltajul dar au mărit ciclul de scriere-citire. Memoria "flash" tip NOR are o speranță de viață de 10.000 la 100.000 de cicluri de scriere-ștergere. Deși are viteze mici de scriere și de ștergere, permite un acces aleatoriu pentru citire și scriere, făcând-o adecvată pentru stocarea datelor
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
memorie sunt „bune” și au același număr garantat de cicluri de ștergere-programare. Mai mult, în faza de fabricație se prevăd un număr destul de mare de locații „de rezervă”, care sunt utilizate pentru repararea prin înlocuire a eventualelor locații defecte. Memoria "flash" tip NAND are viteze de scriere și de ștergere mai mari, o mai mare densitate de memorie, un cost mai mic pe bit și o speranță de viață mult mai lungă, suportând de aproximativ 10 ori mai multe cicluri de
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
viteze de scriere și de ștergere mai mari, o mai mare densitate de memorie, un cost mai mic pe bit și o speranță de viață mult mai lungă, suportând de aproximativ 10 ori mai multe cicluri de scriere-ștergere decât memoria "flash" tip NOR. Dezavantajul constă în interfața de intrare-ieșire care permite numai un acces secvențial la date. La un circuit "NAND Flash", producătorul NU garantează că toate locațiile de memorie sunt „bune” și au același număr garantat de cicluri de ștergere-programare
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
locațiilor defecte, cipul putând fi livrat, din considerente economice, cu locații defecte din fabrică! Mai mult chiar, este posibil ca unele celule de memorie să-și epuizeze posibilitățile de ștergere-programare mai devreme decât altele, pe parcursul utilizării circuitului. Funcționarea unui "NAND Flash" este similară altor dispozitive de intrare-ieșire, cum ar fi și discul dur pe care acesta dorește să-l înlocuiască. Datorită acestei interfețe indirecte un sistem de calcul nu poate executa codul memorat într-un "NAND Flash" decât prin intermediul unui controler
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
un "NOR Flash" și îl poate executa. Memoria NOR suportă acces aleatoriu pe un bait, ceea ce permite sistemului să ia datele și să le execute direct de pe cip în același fel cum un PC ia datele din memoria principală. "NOR flash" are o interfață SRAM ce conține suficienți pini de adresă pentru a mapa întregul cip, dând astfel acces către fiecare bait. Spre deosebire de alte circuite de memorie, pentru utilizatorul tehnologiei "flash" există și o componentă software, a cărei prezență este obligatorie
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]