953 matches
-
test de 5 minute. Însă, în timp ce pe de-o parte tehnologia chiar a depășit previziunile lui Turing, inteligența artificială este încă departe de a fi realizată. Noile previziuni ale experților se bazează pe așa-numita legea lui Moore ("numărul de tranzistori pe un circuit integrat se va dubla la fiecare 18 luni, prin urmare și puterea de calcul"), "lege" care s-a îndeplinit pentru ultimii 30 de ani destul de bine, și poate că va mai fi valabilă încă 5-10 ani. Pentru
Inteligență artificială () [Corola-website/Science/296821_a_298150]
-
mai existau astfel de stații în funcțiune. Pentru a prelua tensiuni de ordinul a peste 100kV mai multe duzine de tiristoare se leagă în serie. Acestea trebuie să aibă un timp de comutare de ordinul microsecundelor. Mai nou se utilizează tranzistoare bipolare cu grilă. izolată (IGBT) care pot fi comandate mai simplu și prezintă un cost mai redus. Datorită tensiunii înalte tiristorii nu sunt comandați prin cabluri de cupru ci cu ajutorul fibrelor optice realizându-se separarea circuitelor de comandă și cele
Linie de înaltă tensiune în curent continuu () [Corola-website/Science/308619_a_309948]
-
un dispozitiv electronic din categoria semiconductoarelor care are cel puțin trei terminale (borne sau electrozi), care fac legătura la regiuni diferite ale cristalului semiconductor. Este folosit mai ales pentru a amplifica și a comuta semnale electronice și putere electrică. Aspectul tranzistoarelor depinde de natura aplicației pentru care sunt destinate. În 2013 încă unele tranzistori sunt ambalate individual, dar mai multe sunt găsite încorporate în circuite integrate. ul este componenta fundamentală a dispozitivelor electronice moderne, și este omniprezent în sistemele electronice. Ca
Tranzistor () [Corola-website/Science/298485_a_299814]
-
sau electrozi), care fac legătura la regiuni diferite ale cristalului semiconductor. Este folosit mai ales pentru a amplifica și a comuta semnale electronice și putere electrică. Aspectul tranzistoarelor depinde de natura aplicației pentru care sunt destinate. În 2013 încă unele tranzistori sunt ambalate individual, dar mai multe sunt găsite încorporate în circuite integrate. ul este componenta fundamentală a dispozitivelor electronice moderne, și este omniprezent în sistemele electronice. Ca urmare a dezvoltării sale la începutul anilor 1950, tranzistorul a revoluționat domeniul electronicii
Tranzistor () [Corola-website/Science/298485_a_299814]
-
În 2013 încă unele tranzistori sunt ambalate individual, dar mai multe sunt găsite încorporate în circuite integrate. ul este componenta fundamentală a dispozitivelor electronice moderne, și este omniprezent în sistemele electronice. Ca urmare a dezvoltării sale la începutul anilor 1950, tranzistorul a revoluționat domeniul electronicii, și a deschis calea pentru echipamente electronice mai mici si mai ieftine cum ar fi aparate de radio, televizoare, telefoane mobile, calculatoare de buzunar, computere și altele. Tranzistorul a fost inventat la Bell Telephone Laboratories din
Tranzistor () [Corola-website/Science/298485_a_299814]
-
urmare a dezvoltării sale la începutul anilor 1950, tranzistorul a revoluționat domeniul electronicii, și a deschis calea pentru echipamente electronice mai mici si mai ieftine cum ar fi aparate de radio, televizoare, telefoane mobile, calculatoare de buzunar, computere și altele. Tranzistorul a fost inventat la Bell Telephone Laboratories din New Jersey la 6 decembrie 1947 de John Bardeen, Walter Houser Brattain, și William Bradford Shockley. Descoperirea "tranzistorului" a determinat dezvoltarea electronicii fiind considerat una din cele mai mari descoperiri ale erei
Tranzistor () [Corola-website/Science/298485_a_299814]
-
ar fi aparate de radio, televizoare, telefoane mobile, calculatoare de buzunar, computere și altele. Tranzistorul a fost inventat la Bell Telephone Laboratories din New Jersey la 6 decembrie 1947 de John Bardeen, Walter Houser Brattain, și William Bradford Shockley. Descoperirea "tranzistorului" a determinat dezvoltarea electronicii fiind considerat una din cele mai mari descoperiri ale erei moderne. Tranzistorii se realizează pe un substrat semiconductor (în general siliciu, mai rar germaniu, dar nu numai). Tehnologia de realizare diferă în funcție de tipul tranzistorului dorit. De
Tranzistor () [Corola-website/Science/298485_a_299814]
-
fost inventat la Bell Telephone Laboratories din New Jersey la 6 decembrie 1947 de John Bardeen, Walter Houser Brattain, și William Bradford Shockley. Descoperirea "tranzistorului" a determinat dezvoltarea electronicii fiind considerat una din cele mai mari descoperiri ale erei moderne. Tranzistorii se realizează pe un substrat semiconductor (în general siliciu, mai rar germaniu, dar nu numai). Tehnologia de realizare diferă în funcție de tipul tranzistorului dorit. De exemplu, un tranzistor de tip PNP se realizează pe un substrat de tip P, în care
Tranzistor () [Corola-website/Science/298485_a_299814]
-
Shockley. Descoperirea "tranzistorului" a determinat dezvoltarea electronicii fiind considerat una din cele mai mari descoperiri ale erei moderne. Tranzistorii se realizează pe un substrat semiconductor (în general siliciu, mai rar germaniu, dar nu numai). Tehnologia de realizare diferă în funcție de tipul tranzistorului dorit. De exemplu, un tranzistor de tip PNP se realizează pe un substrat de tip P, în care se creează prin diferite metode (difuzie, de exemplu) o zona de tip N, care va constitui "baza" tranzistorului. Tranzistoarele pot fi folosite
Tranzistor () [Corola-website/Science/298485_a_299814]
-
dezvoltarea electronicii fiind considerat una din cele mai mari descoperiri ale erei moderne. Tranzistorii se realizează pe un substrat semiconductor (în general siliciu, mai rar germaniu, dar nu numai). Tehnologia de realizare diferă în funcție de tipul tranzistorului dorit. De exemplu, un tranzistor de tip PNP se realizează pe un substrat de tip P, în care se creează prin diferite metode (difuzie, de exemplu) o zona de tip N, care va constitui "baza" tranzistorului. Tranzistoarele pot fi folosite în echipamentele electronice cu componente
Tranzistor () [Corola-website/Science/298485_a_299814]
-
realizare diferă în funcție de tipul tranzistorului dorit. De exemplu, un tranzistor de tip PNP se realizează pe un substrat de tip P, în care se creează prin diferite metode (difuzie, de exemplu) o zona de tip N, care va constitui "baza" tranzistorului. Tranzistoarele pot fi folosite în echipamentele electronice cu componente discrete în amplificatoare de semnal (în domeniul audio, video, radio), amplificatoare de instrumentatie, oscilatoare, modulatoare si demodulatoare, filtre, surse de alimentare liniare sau în comutație sau în circuite integrate, tehnologia de
Tranzistor () [Corola-website/Science/298485_a_299814]
-
diferă în funcție de tipul tranzistorului dorit. De exemplu, un tranzistor de tip PNP se realizează pe un substrat de tip P, în care se creează prin diferite metode (difuzie, de exemplu) o zona de tip N, care va constitui "baza" tranzistorului. Tranzistoarele pot fi folosite în echipamentele electronice cu componente discrete în amplificatoare de semnal (în domeniul audio, video, radio), amplificatoare de instrumentatie, oscilatoare, modulatoare si demodulatoare, filtre, surse de alimentare liniare sau în comutație sau în circuite integrate, tehnologia de astăzi
Tranzistor () [Corola-website/Science/298485_a_299814]
-
în amplificatoare de semnal (în domeniul audio, video, radio), amplificatoare de instrumentatie, oscilatoare, modulatoare si demodulatoare, filtre, surse de alimentare liniare sau în comutație sau în circuite integrate, tehnologia de astăzi permițând integrarea într-o singură capsulă a milioane de tranzistori. Simbolurile folosite în mod curent pentru tranzistori: Aceste tranzistoare sunt încapsulate în plastic sau metal și nu sunt destinate montării pe radiator. Aceste tranzistoare sunt încapsulate în plastic sau metal și sunt destinate montării pe radiator. Sunt tranzistoare destinate utilizării
Tranzistor () [Corola-website/Science/298485_a_299814]
-
video, radio), amplificatoare de instrumentatie, oscilatoare, modulatoare si demodulatoare, filtre, surse de alimentare liniare sau în comutație sau în circuite integrate, tehnologia de astăzi permițând integrarea într-o singură capsulă a milioane de tranzistori. Simbolurile folosite în mod curent pentru tranzistori: Aceste tranzistoare sunt încapsulate în plastic sau metal și nu sunt destinate montării pe radiator. Aceste tranzistoare sunt încapsulate în plastic sau metal și sunt destinate montării pe radiator. Sunt tranzistoare destinate utilizării până la frecvența de circa 100kHz, în circuite
Tranzistor () [Corola-website/Science/298485_a_299814]
-
amplificatoare de instrumentatie, oscilatoare, modulatoare si demodulatoare, filtre, surse de alimentare liniare sau în comutație sau în circuite integrate, tehnologia de astăzi permițând integrarea într-o singură capsulă a milioane de tranzistori. Simbolurile folosite în mod curent pentru tranzistori: Aceste tranzistoare sunt încapsulate în plastic sau metal și nu sunt destinate montării pe radiator. Aceste tranzistoare sunt încapsulate în plastic sau metal și sunt destinate montării pe radiator. Sunt tranzistoare destinate utilizării până la frecvența de circa 100kHz, în circuite audio și
Tranzistor () [Corola-website/Science/298485_a_299814]
-
sau în circuite integrate, tehnologia de astăzi permițând integrarea într-o singură capsulă a milioane de tranzistori. Simbolurile folosite în mod curent pentru tranzistori: Aceste tranzistoare sunt încapsulate în plastic sau metal și nu sunt destinate montării pe radiator. Aceste tranzistoare sunt încapsulate în plastic sau metal și sunt destinate montării pe radiator. Sunt tranzistoare destinate utilizării până la frecvența de circa 100kHz, în circuite audio și de control al puterii. Sunt tranzistoare destinate aplicațiilor la frecvențe peste 100kHz, cum este domeniul
Tranzistor () [Corola-website/Science/298485_a_299814]
-
milioane de tranzistori. Simbolurile folosite în mod curent pentru tranzistori: Aceste tranzistoare sunt încapsulate în plastic sau metal și nu sunt destinate montării pe radiator. Aceste tranzistoare sunt încapsulate în plastic sau metal și sunt destinate montării pe radiator. Sunt tranzistoare destinate utilizării până la frecvența de circa 100kHz, în circuite audio și de control al puterii. Sunt tranzistoare destinate aplicațiilor la frecvențe peste 100kHz, cum este domeniul radio -TV, circuite de microunde, circuite de comutație etc. În funcționare normală joncțiunea emitor-bază
Tranzistor () [Corola-website/Science/298485_a_299814]
-
metal și nu sunt destinate montării pe radiator. Aceste tranzistoare sunt încapsulate în plastic sau metal și sunt destinate montării pe radiator. Sunt tranzistoare destinate utilizării până la frecvența de circa 100kHz, în circuite audio și de control al puterii. Sunt tranzistoare destinate aplicațiilor la frecvențe peste 100kHz, cum este domeniul radio -TV, circuite de microunde, circuite de comutație etc. În funcționare normală joncțiunea emitor-bază este polarizată direct, iar joncțiunea colector-bază este polarizată invers. Caracteristică tranzistorului este cuplarea electrică a celor două
Tranzistor () [Corola-website/Science/298485_a_299814]
-
și de control al puterii. Sunt tranzistoare destinate aplicațiilor la frecvențe peste 100kHz, cum este domeniul radio -TV, circuite de microunde, circuite de comutație etc. În funcționare normală joncțiunea emitor-bază este polarizată direct, iar joncțiunea colector-bază este polarizată invers. Caracteristică tranzistorului este cuplarea electrică a celor două joncțiuni. Pentru aceasta trebuie satisfăcute două condiții: Cei mai importanți parametri ai unui tranzistor sunt: Valoarea temperaturii maxime a joncțiunilor până la care tranzistorul funcționează normal depinde de natura semiconductorului folosit. Astfel, tranzistoarele realizate din
Tranzistor () [Corola-website/Science/298485_a_299814]
-
microunde, circuite de comutație etc. În funcționare normală joncțiunea emitor-bază este polarizată direct, iar joncțiunea colector-bază este polarizată invers. Caracteristică tranzistorului este cuplarea electrică a celor două joncțiuni. Pentru aceasta trebuie satisfăcute două condiții: Cei mai importanți parametri ai unui tranzistor sunt: Valoarea temperaturii maxime a joncțiunilor până la care tranzistorul funcționează normal depinde de natura semiconductorului folosit. Astfel, tranzistoarele realizate din siliciu funcționează corect până spre 200 grade C, în timp ce cele realizate din germaniu sunt limitate în funcționare în jurul valorii de
Tranzistor () [Corola-website/Science/298485_a_299814]
-
emitor-bază este polarizată direct, iar joncțiunea colector-bază este polarizată invers. Caracteristică tranzistorului este cuplarea electrică a celor două joncțiuni. Pentru aceasta trebuie satisfăcute două condiții: Cei mai importanți parametri ai unui tranzistor sunt: Valoarea temperaturii maxime a joncțiunilor până la care tranzistorul funcționează normal depinde de natura semiconductorului folosit. Astfel, tranzistoarele realizate din siliciu funcționează corect până spre 200 grade C, în timp ce cele realizate din germaniu sunt limitate în funcționare în jurul valorii de 100 grade C. Puterea disipată de tranzistor apare datorită
Tranzistor () [Corola-website/Science/298485_a_299814]
-
invers. Caracteristică tranzistorului este cuplarea electrică a celor două joncțiuni. Pentru aceasta trebuie satisfăcute două condiții: Cei mai importanți parametri ai unui tranzistor sunt: Valoarea temperaturii maxime a joncțiunilor până la care tranzistorul funcționează normal depinde de natura semiconductorului folosit. Astfel, tranzistoarele realizate din siliciu funcționează corect până spre 200 grade C, în timp ce cele realizate din germaniu sunt limitate în funcționare în jurul valorii de 100 grade C. Puterea disipată de tranzistor apare datorită trecerii curentului prin dispozitiv. O parte din această putere
Tranzistor () [Corola-website/Science/298485_a_299814]
-
până la care tranzistorul funcționează normal depinde de natura semiconductorului folosit. Astfel, tranzistoarele realizate din siliciu funcționează corect până spre 200 grade C, în timp ce cele realizate din germaniu sunt limitate în funcționare în jurul valorii de 100 grade C. Puterea disipată de tranzistor apare datorită trecerii curentului prin dispozitiv. O parte din această putere este radiată în mediul ambiant și o parte produce încălzirea tranzistorului. Puterea disipată de un tranzistor este , în principal, puterea disipată în cele două joncțiuni ale acestuia: PDT = PDE
Tranzistor () [Corola-website/Science/298485_a_299814]
-
în timp ce cele realizate din germaniu sunt limitate în funcționare în jurul valorii de 100 grade C. Puterea disipată de tranzistor apare datorită trecerii curentului prin dispozitiv. O parte din această putere este radiată în mediul ambiant și o parte produce încălzirea tranzistorului. Puterea disipată de un tranzistor este , în principal, puterea disipată în cele două joncțiuni ale acestuia: PDT = PDE + PDC = UEB.IE + UCB.IC. Reprezintă valoarea maximă pe care o poate atinge curentul de colector al unui tranzistor fără ca acesta să
Tranzistor () [Corola-website/Science/298485_a_299814]
-
sunt limitate în funcționare în jurul valorii de 100 grade C. Puterea disipată de tranzistor apare datorită trecerii curentului prin dispozitiv. O parte din această putere este radiată în mediul ambiant și o parte produce încălzirea tranzistorului. Puterea disipată de un tranzistor este , în principal, puterea disipată în cele două joncțiuni ale acestuia: PDT = PDE + PDC = UEB.IE + UCB.IC. Reprezintă valoarea maximă pe care o poate atinge curentul de colector al unui tranzistor fără ca acesta să se distrugă. El este indicat
Tranzistor () [Corola-website/Science/298485_a_299814]