591 matches
-
mic; 2. Fotocatozi GaAs sau GaInAs (cu arsenură de galiu sau cu arsenură de galiu-indiu); 3. Alți fotocatozi realizați din semiconductor compus cu elemente din grupele III-V; Notă: 6A002.a.2.b.3. nu supune controlului fotocatozii realizați cu semiconductor compus cu o sensibilitate radiantă maximă de 10 mA/W sau mai puțin. 3. "rețele plane focale" ce nu sunt "calificate pentru utilizare spațială", după cum urmează: NB: "Rețele plane focale" ce nu sunt calificate pentru "utilizări spațiale" cu microbolometru pe
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
sau 6A003. a.5., potrivit specificațiilor fabricantului. b. camere de luat vederi, după cum urmează: Notă: 6A003.b. nu supune controlului camerele de televiziune și nici la videocamerele special concepute pentru emisiuni de televiziune. 1. camere video care încorporează senzori cu semiconductoare, cu un răspuns de vârf în gama de lungimi de undă care depășesc 10 nm, dar nu depășesc 30 000 nm, având și având toate următoarele caracteristici: a. având oricare din următoarele: 1. mai mult de 4 106 "pixeli activi
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
utilizare spațială", după cum urmează: 1. cu masa redusă până la mai puțin de 20 % din densitatea echivalentă în raport cu un model solid cu aceeași apertură și grosime; 2. substraturi brute, substraturi cu acoperiri de suprafață (monostrat sau multistrat metalice sau dielectrice, conductoare, semiconductoare sau izolatoare) sau cu pelicule de protecție; 3. segmente sau ansambluri de oglinzi concepute pentru a fi asamblate în spațiu într-un sistem optic cu o apertură totală echivalentă cu sau mai mare decât o oglindă unică cu diametrul de
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
0,928, dar de cel mult 0,935, și cu un indice de fluiditate la cald (melt flow index) mai mic de 0,6 g/min, utilizată la fabricarea fibrelor liante shrinkmelt(1) Polietilenă utilizată la fabricarea foliei fotorezistente pentru semiconductoare sau circuite imprimate(1) Polietilenă, sub formă de granule, cu o densitate de 0,925 (± 0,0015), cu un indice de fluiditate la cald (melt flow index) de 0,3 g/10 min (± 0,05 g/10 min), utilizată la
32006R0300-ro () [Corola-website/Law/295164_a_296493]
-
fabricarea sistemelor de reglare a temperaturii montate în vehicule 1 Unitate alcătuită din doi tranzistori cu efect de câmp cu joncțiune, amplasat într-o carcasă dublă pentru cadru conductor (leadframe) Unitate alcătuită din doi tranzistori cu efect de câmp cu semiconductor din oxid metalic, amplasat într-o carcasă dublă pentru cadru conductor (leadframe) Componentă a unei siguranțe electrotermice, constituită dintr-o sârmă de cupru acoperită cu staniu, atașată la o carcasă cilindrică, cu dimensiuni exterioare mai mici sau egale cu 5
32006R0300-ro () [Corola-website/Law/295164_a_296493]
-
litigiilor al OMC (4) La 3 august 2005, Organul de soluționare a litigiilor (denumit în continuare "OSL") al Organizației Mondiale a Comerțului (denumită în continuare "OMC") adoptă un raport al Grupului special privind afacerea "Comunitățile Europene - măsuri compensatorii provizorii aplicabile semiconductoarelor pentru memoriile RAM dinamice provenind din Coreea"5. (5) În conformitate cu raportul grupului special, Comunitățile Europene (CE) ar fi acționat într-un mod incompatibil cu obligațiile care îi revin în cadrul OMC în temeiul: (a) articolului 1.1 litera (a) din Acordul
32006R0584-ro () [Corola-website/Law/295229_a_296558]
-
puțin probabil ca autoritățile publice coreene să fie, cu toate acestea, dispuse să abandoneze societatea... Credem că criza financiară {a societății Hynix} va continua să cântărească greu asupra capacității acesteia de a se redresa, în măsura în care sectorul DRAM este, poate, sectorul semiconductoarelor cu cea mai puternică infuzie de capital, confruntându-se în mod constant cu necesitatea de a ameliora procedeele tehnologice ale acestora"45. (42) În februarie 2001, într-un articol din Korea Herald 46, un alt specialist al pieței indica ce
32006R0584-ro () [Corola-website/Law/295229_a_296558]
-
Inductoare pentru lămpile sau tuburile cu descărcări în gaze 8504.10.91 buc. S 31.10.50.15 Limitatoare de curent pentru lămpile sau tuburile cu descărcări în gaze (excl. inductoarele) 8504.10.99 buc. S 31.10.50.23 Semiconductoare policristaline 8504.40.50 buc. S 31.10.50.33 Încărcătoare de acumulatoare 8504.40.93 buc. S 31.10.50.35 Redresoare 8504.40.94 buc. @ S 31.10.50.40 Blocuri de alimentare de la rețea pentru aparatele de
32006R0317-ro () [Corola-website/Law/295168_a_296497]
-
50.53 Invertoare cu o putere absorbită ≤ 7,5 kVA 8504.40.96 buc. @ S 31.10.50.55 Invertoare cu o putere absorbită > 7,5 kVA 8504.40.97 buc. @ S 31.10.50.70 Convertizoare statice (excl. semiconductoarele cristaline, convertoarele proiectate special pentru sudare, fără echipament de sudare, încărcătoarele de acumulatoare, redresoarele, invertoarele) 8504.40.99 buc. @ S 31.10.50.80 Inductoare (excl. bobinele de inductanță, bobinele de deflexie pentru tuburile catodice, pentru lămpile și tuburile cu
32006R0317-ro () [Corola-website/Law/295168_a_296497]
-
21 buc. @ S 32.10.51.57 Tranzistoare semiconductoare de putere cu o disipare ≥ 1 W 8541.29 buc. @ S 32.10.51.70 Tiristoare, diace și triace semiconductoare 8541.30 buc. @ S 32.10.52.35 Diode electroluminiscente (LED) semiconductoare 8541.40.10 buc. @ S 32.10.52.37 Dispozitive semiconductoare fotosensibile; celule solare, fotodiode, fototranzistoare etc. 8541.40.90 buc. @ S 32.10.52.50 Dispozitive semiconductoare (excl. dispozitivele semiconductoare fotosensibile, celulele fotovoltaice, tiristoarele, diacele și triacele, tranzistoarele, diodele
32006R0317-ro () [Corola-website/Law/295168_a_296497]
-
cu o disipare ≥ 1 W 8541.29 buc. @ S 32.10.51.70 Tiristoare, diace și triace semiconductoare 8541.30 buc. @ S 32.10.52.35 Diode electroluminiscente (LED) semiconductoare 8541.40.10 buc. @ S 32.10.52.37 Dispozitive semiconductoare fotosensibile; celule solare, fotodiode, fototranzistoare etc. 8541.40.90 buc. @ S 32.10.52.50 Dispozitive semiconductoare (excl. dispozitivele semiconductoare fotosensibile, celulele fotovoltaice, tiristoarele, diacele și triacele, tranzistoarele, diodele și diodele electroluminiscente) 8541.50 buc. @ S 32.10.52.70
32006R0317-ro () [Corola-website/Law/295168_a_296497]
-
buc. @ S 32.10.52.35 Diode electroluminiscente (LED) semiconductoare 8541.40.10 buc. @ S 32.10.52.37 Dispozitive semiconductoare fotosensibile; celule solare, fotodiode, fototranzistoare etc. 8541.40.90 buc. @ S 32.10.52.50 Dispozitive semiconductoare (excl. dispozitivele semiconductoare fotosensibile, celulele fotovoltaice, tiristoarele, diacele și triacele, tranzistoarele, diodele și diodele electroluminiscente) 8541.50 buc. @ S 32.10.52.70 Cristale piezoelectrice montate (inclusiv cuarțul, oscilatoare și rezonatoare) 8541.60 buc. @ S 32.10.61.00 Cartele care încorporează un
32006R0317-ro () [Corola-website/Law/295168_a_296497]
-
10.52.70 Cristale piezoelectrice montate (inclusiv cuarțul, oscilatoare și rezonatoare) 8541.60 buc. @ S 32.10.61.00 Cartele care încorporează un circuit electronic integrat (cartele inteligente) 8542.10 buc. @ S 32.10.62.15 Circuite integrate numerice MOS (semiconductor cu oxid metalic): discuri netăiate în pastile 8542.21.01 buc. @ S 32.10.62.17 Circuite integrate numerice MOS: pastile 8542.21.05 buc. @ S 32.10.62.25 Circuite integrate numerice MOS, DRAM (memorie dinamică cu acces aleatoriu
32006R0317-ro () [Corola-website/Law/295168_a_296497]
-
inclusiv lămpile/tuburile cu vacuum, cele umplute cu vapori/gaze, lămpile/tuburile redresoare cu arc electric în vapori de mercur, tuburile camerelor de televiziune 8540.99 S 32.10.73.50 Elemente de diode, tranzistoare și dispozitive semiconductoare și dispozitive semiconductoare fotosensibile similare, precum și celule fotovoltaice, diode luminiscente și cristale piezoelectrice montate 8541.90 S 32.10.73.70 Elemente de circuite integrate și microansambluri (excl. circuitele constituite doar din elemente pasive) 8542.90 S S2 NACE 32.20: Producția de
32006R0317-ro () [Corola-website/Law/295168_a_296497]
-
asambleze un calculator și să-l vândă. Pe măsură ce Apple a continuat să se extindă, compania a început să caute un director cu experiență care să administreze eficient dezvoltarea acesteia. În 1978, Apple l-a recrutat pe Mike Scott de la National Semiconductor pentru postul de CEO (director executiv), pentru ce s-a dovedit a fi mai mulți ani turbulenți. În 1983, Steve Jobs l-a ademenit pe John Sculley de la Pepsi-Cola să vină la Apple pe postul de CEO, întrebându-l: "Vrei
Steve Jobs () [Corola-website/Science/297766_a_299095]
-
ul este un dispozitiv electronic din categoria semiconductoarelor care are cel puțin trei terminale (borne sau electrozi), care fac legătura la regiuni diferite ale cristalului semiconductor. Este folosit mai ales pentru a amplifica și a comuta semnale electronice și putere electrică. Aspectul tranzistoarelor depinde de natura aplicației pentru
Tranzistor () [Corola-website/Science/298485_a_299814]
-
colector-bază este polarizată invers. Caracteristică tranzistorului este cuplarea electrică a celor două joncțiuni. Pentru aceasta trebuie satisfăcute două condiții: Cei mai importanți parametri ai unui tranzistor sunt: Valoarea temperaturii maxime a joncțiunilor până la care tranzistorul funcționează normal depinde de natura semiconductorului folosit. Astfel, tranzistoarele realizate din siliciu funcționează corect până spre 200 grade C, în timp ce cele realizate din germaniu sunt limitate în funcționare în jurul valorii de 100 grade C. Puterea disipată de tranzistor apare datorită trecerii curentului prin dispozitiv. O parte
Tranzistor () [Corola-website/Science/298485_a_299814]
-
Putere Bipolare Rapide, Optotiristoare, Senzori Optici pe Siliciu Monocristalin cu Răspuns Spectral Controlat, Celule Solare de mare eficiență, realizate prin diferite procese tehnologice: difuzie, implantare ionică. Principalele sale contribuții șiințifice originale sunt pe scurt: formularea unitară a teoriei străpungerii dispozitivelor semiconductoare de putere și verificarea sa experimentală, introducerea conceptului de interdigitare, clasificarea teoretică a particularităților câmpurilor electrice interne în joncțiuni semiconductoare VLSI, introducerea de soluții originale la proiectarea și realizarea celulelor solare de mare eficiență, elaborarea de noi metode pentru controlul
Andrei P. Silard () [Corola-website/Science/307152_a_308481]
-
(n. 17 iunie 1926 - d. 6 martie 1998) a fost un om de știință, specialist în domeniul fizicii și chimiei materialelor semiconductoare, organizator și primul rector al Universității Tehnice din Chișinău. este născut la 17 iunie 1926 în Chișinău, Basarabia. Este descendent dintr-o familie de intelectuali, printre care un bunic cu studii la vestita "Sorbona", cu tatăl profesor de limbă franceză
Sergiu Rădăuțanu () [Corola-website/Science/307524_a_308853]
-
de energie electromagnetică (fotoni). Cunoașterea configurației electronilor într-un atom are aplicații în înțelegerea structurii tabelului periodic al elementelor. De asemenea, aceste date se folosesc pentru descrierea legăturilor chimice ale moleculelor. Deasemenea e utilă în explicare proprietăților laserelor și a semiconductoarelor. Un sistem mecanic cuantic poate avea numai anumite stări. În consecință numai anumite nivele de energie sunt posibile. Nivelul de energie se referă, în general, la valorile posibile ale energiei electronilor în atomi sau molecule. Spectrul energetic al unui sistem
Fizică atomică () [Corola-website/Science/308413_a_309742]
-
lui variază ca o funcție sinusoidală (în timp). În cazul redresării curentului alternativ se obține un curent continuu de intensitate variabilă, numit și "pulsatoriu" (sau "ondulat"). Redresarea se poate face cu ajutorul tuburilor electronice (diode sau duble diode) sau semiconductorilor (diode semiconductoare, punți semiconductoare redresoare). Transformarea inversă, pentru a obține curent alternativ din curent continuu, se face cu ajutorul unor dispozitive electronice (invertoare) și este utilă, de exemplu, la alimentarea de la elemente galvanice sau acumulatoare a unor consumatori ce au nevoie de curent
Curent electric () [Corola-website/Science/302809_a_304138]
-
ca o funcție sinusoidală (în timp). În cazul redresării curentului alternativ se obține un curent continuu de intensitate variabilă, numit și "pulsatoriu" (sau "ondulat"). Redresarea se poate face cu ajutorul tuburilor electronice (diode sau duble diode) sau semiconductorilor (diode semiconductoare, punți semiconductoare redresoare). Transformarea inversă, pentru a obține curent alternativ din curent continuu, se face cu ajutorul unor dispozitive electronice (invertoare) și este utilă, de exemplu, la alimentarea de la elemente galvanice sau acumulatoare a unor consumatori ce au nevoie de curent alternativ (lămpi
Curent electric () [Corola-website/Science/302809_a_304138]
-
mai importanți ai semnalelor electrice care se pot măsura sînt următorii: Primul osciloscop a fost construit în 1897 la Strasbourg de către fizicianul german Karl Ferdinand Braun, cel care printre altele a descoperit în 1874 că un contact punctiform pe un semiconductor are proprietatea de a redresa curentul alternativ. Tot el inventase și tubul catodic, dar îl folosise numai pentru a studia proprietățile fasciculelor de electroni (numite atunci „raze catodice”). Braun a introdus în tubul catodic o pereche de plăci metalice între
Osciloscop () [Corola-website/Science/303384_a_304713]
-
exterior, Prin plecarea golurilor în regiunea "n" și a electronilor în regiunea "p", vor apărea în cele două regiuni sarcini electrice spațiale de semn opus (constituite din acceptori și donori ionizați). Aceste sarcini electrice creează un câmp electric îndreptat de la "semiconductorul de tip n" spre semiconductorul de tip "p" și produc o barieră de potențial care se opune difuziei purtătorilor majoritari, favorizând trecerea prin joncțiune a purtătorilor minoritari. La echilibru termic: Rezultă că, în ansamblu, semiconductorul este neutru. 2. Dacă se
Joncțiune p-n () [Corola-website/Science/302487_a_303816]
-
regiunea "n" și a electronilor în regiunea "p", vor apărea în cele două regiuni sarcini electrice spațiale de semn opus (constituite din acceptori și donori ionizați). Aceste sarcini electrice creează un câmp electric îndreptat de la "semiconductorul de tip n" spre semiconductorul de tip "p" și produc o barieră de potențial care se opune difuziei purtătorilor majoritari, favorizând trecerea prin joncțiune a purtătorilor minoritari. La echilibru termic: Rezultă că, în ansamblu, semiconductorul este neutru. 2. Dacă se aplică joncțiunii o tensiune din
Joncțiune p-n () [Corola-website/Science/302487_a_303816]