1,190 matches
-
din tabelul periodic al lui Mendeleev (arseniură de galiu, arseniură de galiu-aluminiu, fosfură de indiu). 3C002 Materiale pentru straturi de protecție, după cum urmează, și "substraturi" acoperite cu straturi de protecție controlate: a. Straturi de protecție pozitive destinate pentru litografiere cu semiconductori special ajustați (optimizați) pentru utilizare la lungimi de undă mai mici de 350 nm; b. Toate straturile de protecție destinate pentru utilizare cu fascicule de electroni sau cu fascicule de ioni, cu o sensibilitate de 0, 01 coulomb/mm2 sau
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
producerea" echipamentului specificat de la 3A001. b. până la 3A002. g. sau 3B. 3D002 "Software" destinat în special pentru "utilizare" la echipamentul cu "program intern controlat" specificat la 3B. 3D003 "Software" pentru proiectare asistată de calculator (CAD) destinată dispozitivelor sau circuitelor integrate semiconductoare, care are oricare din următoarele: a. Reguli de proiectare sau reguli de verificare a circuitelor; b. Simulare a circuitelor trasate fizic; sau c. ‚Simulatori de procesare litografică" pentru proiectare; Notă tehnică: Un simulator de procesare litografică" este un pachet "software
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
proiectare; Notă tehnică: Un simulator de procesare litografică" este un pachet "software" utilizat în faza de proiectare pentru a defini succesiunea pașilor de litografiere, gravare și depunere pentru translația modelelor măștilor în modele topografice specifice, la conductori dielectrici sau material semiconductor. Nota 1: 3D003 nu reglementează "software"-ul destinat în special pentru intrarea schematică, simularea și aranjarea logică, traseul logic, verificarea proiectului sau banda de generare a modelului. Nota 2: Bibliotecile de date, atributele proiectului sau datele asociate pentru proiectarea dispozitivelor
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
și componentele sau accesoriile proiectate special de aceea, proiectate special pentru "dezvoltarea", "producerea" sau folosirea echipamentului, funcțiilor sau trăsăturilor specificate în 5A001, 5B001, 5D001 sau 5E001. Notă: 5B001. a. nu controlează echipamentul de caracterizare al fibrei optice nefolosind "laseri" cu semiconductori. b. Echipamentul și componentele sau accesoriile special proiectate de aceea, special proiectate pentru "dezvoltarea" oricărui dintre următoarele echipamente de comutație a transmisiei telecomunicațiilor sau a "programelor stocate controlate": 1. Echipament ce folosește tehnici digitale, incluzând "Modul de Transfer Asincron" ("ATM
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
15 microni sau mai puțin; și 3. Fotocatozi, după cum urmează: a. S-20, S-25 sau fotocatozi multialcalini cu o senzitivitate luminoasă ce depășește 240 microA/lm; b. GaAs sau GaInAs fotocatozi; sau c. Alte componente III-V ale fotocatozilor semiconductori; Notă: 6A002. a. 2. a. 3. c. nu controlează componenta fotocatozilor semiconductori cu o senzitivitate maximă radiantă de 10mA/W sau mai puțin. b. Componente special proiectate, cupă cum urmează: 1. Armură microcanal având o gaură (centru la centru spațiu
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
20, S-25 sau fotocatozi multialcalini cu o senzitivitate luminoasă ce depășește 240 microA/lm; b. GaAs sau GaInAs fotocatozi; sau c. Alte componente III-V ale fotocatozilor semiconductori; Notă: 6A002. a. 2. a. 3. c. nu controlează componenta fotocatozilor semiconductori cu o senzitivitate maximă radiantă de 10mA/W sau mai puțin. b. Componente special proiectate, cupă cum urmează: 1. Armură microcanal având o gaură (centru la centru spațiu) de 15 microm sau mai puțin; 2. GaAs sau GaInAs fotocatozi; 3
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
10mA/W sau mai puțin. b. Componente special proiectate, cupă cum urmează: 1. Armură microcanal având o gaură (centru la centru spațiu) de 15 microm sau mai puțin; 2. GaAs sau GaInAs fotocatozi; 3. Alte componente III-V ale fotocatozilor semiconductori; Notă: 6A002. a. 2. b. 3. nu controlează componenta fotocatozilor semiconductori cu o senzitivitate maximă radiantă de 10mA/W sau mai puțin. 3. "Radare focale plane" ne"caliuficate în sapțiu", după cum urmează: Note tehnice: Radare detectoare multielement liniare sau în
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
urmează: 1. Armură microcanal având o gaură (centru la centru spațiu) de 15 microm sau mai puțin; 2. GaAs sau GaInAs fotocatozi; 3. Alte componente III-V ale fotocatozilor semiconductori; Notă: 6A002. a. 2. b. 3. nu controlează componenta fotocatozilor semiconductori cu o senzitivitate maximă radiantă de 10mA/W sau mai puțin. 3. "Radare focale plane" ne"caliuficate în sapțiu", după cum urmează: Note tehnice: Radare detectoare multielement liniare sau în două dimensiuni sunt referite ca "radare focale plane". Nota 1: 6A002
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
1. O ușurare de mai puțin de 20 % a ''densității echivalente'' comparată cu piesă brută de aceeași apertură și grosime; 2. Substraturi neprelucrate și prelucrate având învelișuri protectoare superficiale (cu un singur strat sau mai multe, metalic sau dielectric, conductor, semiconductor sau izolator) sau având filme protectoare; 3. Segmente sau ansambluri de oglinzi proiectate pentru a fi asamblate în spațiu într-un sistem optic cu o apertură colectoare echivalentă sau mai largă decât 1 m în diametru; 4. Produse din materiale
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
sau 2. Putere de ieșire medie sau CW care depășește 0 W; d. Un domeniu al lungimii de undă de ieșire care depășește 1,400 nm și o putere medie de ieșire sau CW care depășește 1 W. b. ''Laseri'' semiconductori având un domeniu al lungimii de undă mai mic de 950 nm dar mai mare de 2,000 nm. ca următorii: 1. ''Laseri'' semiconductori cu mod singur transversal individual având o putere medie de ieșire sau CW care depășește 100
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
400 nm și o putere medie de ieșire sau CW care depășește 1 W. b. ''Laseri'' semiconductori având un domeniu al lungimii de undă mai mic de 950 nm dar mai mare de 2,000 nm. ca următorii: 1. ''Laseri'' semiconductori cu mod singur transversal individual având o putere medie de ieșire sau CW care depășește 100 mW; 2. ''Laseri'' semiconductori cu mod multiplu-transversal individual și rețele de laseri semiconductori individuali, având oricare din următoarele: a. O energie de ieșire care
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
al lungimii de undă mai mic de 950 nm dar mai mare de 2,000 nm. ca următorii: 1. ''Laseri'' semiconductori cu mod singur transversal individual având o putere medie de ieșire sau CW care depășește 100 mW; 2. ''Laseri'' semiconductori cu mod multiplu-transversal individual și rețele de laseri semiconductori individuali, având oricare din următoarele: a. O energie de ieșire care depășește 500 μJ pe impuls și o ''putere de vârf'' pulsatorie care depășește 10 W; sau b. O putere medie
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
dar mai mare de 2,000 nm. ca următorii: 1. ''Laseri'' semiconductori cu mod singur transversal individual având o putere medie de ieșire sau CW care depășește 100 mW; 2. ''Laseri'' semiconductori cu mod multiplu-transversal individual și rețele de laseri semiconductori individuali, având oricare din următoarele: a. O energie de ieșire care depășește 500 μJ pe impuls și o ''putere de vârf'' pulsatorie care depășește 10 W; sau b. O putere medie d eieșire sau CW care depășește 10 W. Notă
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
oricare din următoarele: a. O energie de ieșire care depășește 500 μJ pe impuls și o ''putere de vârf'' pulsatorie care depășește 10 W; sau b. O putere medie d eieșire sau CW care depășește 10 W. Notă tehnică: ''Laseri'' semiconductori sunt numiți diode ''laseri''. Nota 1: 6A005.b. include ''laseri'' semiconductori având conectori optici de ieșire. Nota 2: Poziția de control a ''laserilor'' semiconductori special proiectați pentru alte echipamente este determinată de poziția de control a altor echipamente. c. ''Laseri
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
μJ pe impuls și o ''putere de vârf'' pulsatorie care depășește 10 W; sau b. O putere medie d eieșire sau CW care depășește 10 W. Notă tehnică: ''Laseri'' semiconductori sunt numiți diode ''laseri''. Nota 1: 6A005.b. include ''laseri'' semiconductori având conectori optici de ieșire. Nota 2: Poziția de control a ''laserilor'' semiconductori special proiectați pentru alte echipamente este determinată de poziția de control a altor echipamente. c. ''Laseri'' în stare solidă, ca următorii: 1. ''Laseri'' ''acordabili'' având oricare din
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
sau b. O putere medie d eieșire sau CW care depășește 10 W. Notă tehnică: ''Laseri'' semiconductori sunt numiți diode ''laseri''. Nota 1: 6A005.b. include ''laseri'' semiconductori având conectori optici de ieșire. Nota 2: Poziția de control a ''laserilor'' semiconductori special proiectați pentru alte echipamente este determinată de poziția de control a altor echipamente. c. ''Laseri'' în stare solidă, ca următorii: 1. ''Laseri'' ''acordabili'' având oricare din următoarele: Notă: 6A005,c,1, include titan-safir (Ti: Al2O3), tuliu - YAG (Tm: YAG
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
componente: 828301 montator-reglor, depanator aparate electronice, telecomunicații, radio 828302 confecționer tuburi cinescop 828303 montator-reglor și depanator de instalații de electronică și curenți purtători 828304 montator-reglor și depanator de aparate radio și TV, redresoare și amplificatoare 828305 confecționer piese radio și semiconductori 828306 confecționer circuite integrate 828307 confecționer scală radio 828308 confecționer circuite imprimate 828309 montator, reglor, testor tehnică de calcul 828310 confecționer lămpi fluorescente 828311 confecționer lămpi cu vapori de mercur 828312 confecționer lămpi cu vapori de sodiu 828313 confecționer becuri
EUR-Lex () [Corola-website/Law/201962_a_203291]
-
aluminiu și alte metale 733117 confecționer obiecte din ipsos 733118 confecționer obiecte din os, scoică, mica etc. 824002 confecționer parchete 743303 confecționer pălării 733101 confecționer piese, linguri, spițe, albii, donițe, cozi de unelte, șindrila, ciubere 828305 confecționer piese radio și semiconductori 814106 confecționer plăci izolatoare 828205 confecționer plăci pentru acumulatori 721405 confecționer plase din sârmă 733201 confecționer plase pescărești 712103 confecționer plase și pânze rabiț din stuf 712102 confecționer plăci din diverse materiale 733104 confecționer plute 826214 confecționer polizoare din pâsla
EUR-Lex () [Corola-website/Law/201962_a_203291]
-
de dispozitive compatibile cu 8051 ce sunt mai rapide și/sau îmbunatățite din punct de vedere funcțional, fabricate de mai mult de 20 de producători independenți inclusiv: Atmel, Infineon Technologies (fostă Siemens AG), Maxim Integrated Products (prin intermediul filialei sale Dallas Semiconductor), NXP (fostă Philips Semiconductor), Nuvoton (fostă Winbond), ST Microelectronics, Silicon Laboratories (fostă Cygnal), Texas Instruments și Cypress Semiconductor. Famila originală MCS-51 a lui Intel a fost dezvoltată utilizând tehnologie NMOS, dar versiunile ulterioare, identificate prin litera C în numele lor (ex.
Intel MCS-51 () [Corola-website/Science/320976_a_322305]
-
8051 ce sunt mai rapide și/sau îmbunatățite din punct de vedere funcțional, fabricate de mai mult de 20 de producători independenți inclusiv: Atmel, Infineon Technologies (fostă Siemens AG), Maxim Integrated Products (prin intermediul filialei sale Dallas Semiconductor), NXP (fostă Philips Semiconductor), Nuvoton (fostă Winbond), ST Microelectronics, Silicon Laboratories (fostă Cygnal), Texas Instruments și Cypress Semiconductor. Famila originală MCS-51 a lui Intel a fost dezvoltată utilizând tehnologie NMOS, dar versiunile ulterioare, identificate prin litera C în numele lor (ex.: 80C51) foloseau tehnologie CMOS
Intel MCS-51 () [Corola-website/Science/320976_a_322305]
-
de mai mult de 20 de producători independenți inclusiv: Atmel, Infineon Technologies (fostă Siemens AG), Maxim Integrated Products (prin intermediul filialei sale Dallas Semiconductor), NXP (fostă Philips Semiconductor), Nuvoton (fostă Winbond), ST Microelectronics, Silicon Laboratories (fostă Cygnal), Texas Instruments și Cypress Semiconductor. Famila originală MCS-51 a lui Intel a fost dezvoltată utilizând tehnologie NMOS, dar versiunile ulterioare, identificate prin litera C în numele lor (ex.: 80C51) foloseau tehnologie CMOS și necesitau mai puțină putere de alimentare decât predesoarele lor cu NMOS. Acest lucru
Intel MCS-51 () [Corola-website/Science/320976_a_322305]
-
dată a unui proces Rămân stimulat (RS) pompat prin plasmoni de suprafață și a unui proces de emisie anomala anti‐Stokes de tip CARS (Coherent anti‐Stokes Rămân Scattering) în structuri mesoscopice, răcirea cuantică a nanotuburilor de carbon de tip semiconductor relevata prin spectre Rămân anormale anti‐Stokes, relevarea unor procese de luminescenta anti‐Stokes pe compozite de tip polimer conjugat/nanotuburi de carbon. În contextul acestor obiective de cercetare, în România au putut fi dezvoltate primele cercetări pe nanotuburi de
Ioan Baltog () [Corola-website/Science/336746_a_338075]
-
kW sau mai mult; b. Alimentatoare cu energie, cu o putere specificata de ieșire de 5 kW sau mai mult, special concepute pentru cuptoarele specificate la 2B226.a. Notă: 2B226.a. nu supune controlului cuptoarele concepute pentru tratarea plachetelor de semiconductori. 2B227 Cuptoare de topire și turnare sub vid sau în alte medii controlate pentru metalurgie și echipamentul aferent, după cum urmează: a. Cuptoare de retopire și de turnare cu arc, având ambele următoarele caracteristici: 1. Capacitatea electrozilor consumabili cuprinsă între 1
EUR-Lex () [Corola-website/Law/170739_a_172068]
-
-uri să poată avea acces la canal la un moment dat. N.B.: Aceasta nu se aplică articolelor supuse controlului prin Categoria 3. Notă 2: "CE"-urile își împart memoria dacă au acces la o secțiune comună a unei memorii cu semiconductori. Această memorie poate include memoria cache, memoria principala sau alta memorie internă. Dispozitivele periferice de memorie, cum ar fi unitățile de disc, unitățile de bandă sau discurile RAM nu sunt incluse. Notă: Pentru mai multe "CE"-uri sau grupe de
EUR-Lex () [Corola-website/Law/170739_a_172068]
-
purtătoare și fundul mării. 6A002 Senzori optici N.B.: VEZI DE ASEMENEA 6A102. a. Detectoare optice, după cum urmează: Notă: 6A002.a nu supune controlului fotodispozitivele cu germaniu sau siliciu. 1. Detectoare cu semiconductoare "calificate pentru utilizare spațială", după cum urmează: a. Detectoare semiconductoare "calificate pentru utilizare spațială", având toate caracteristicile următoare: 1. Un răspuns de vârf în gamă de lungimi de unda care depășesc 10 nm dar nu depășesc 300 nm; și 2. Un răspuns mai mic de 0,1% în raport cu răspunsul de
EUR-Lex () [Corola-website/Law/170739_a_172068]