1,190 matches
-
de vârf în gamă de lungimi de unda care depășesc 10 nm dar nu depășesc 300 nm; și 2. Un răspuns mai mic de 0,1% în raport cu răspunsul de vârf pentru lungimi de unda ce depășesc 400 nm; b. Detectoare semiconductoare "calificate pentru utilizare spațială" având toate caracteristicile următoare: 1. Un răspuns de vârf în gamă de lungimi de unda ce depășesc 900 nm dar nu depășesc 1.200 nm; și 2. O "constantă de timp" a răspunsului de 95 ns
EUR-Lex () [Corola-website/Law/170739_a_172068]
-
toate caracteristicile următoare: 1. Un răspuns de vârf în gamă de lungimi de unda ce depășesc 900 nm dar nu depășesc 1.200 nm; și 2. O "constantă de timp" a răspunsului de 95 ns sau mai mică; c. Detectoare semiconductoare "calificate pentru utilizare spațială" având un răspuns de vârf în gamă de lungimi de unda ce depășesc 1.200 nm dar nu depășesc 30.000 nm; 2. Tuburi intensificatoare de imagine și componente special concepute pentru acestea, după cum urmează: a
EUR-Lex () [Corola-website/Law/170739_a_172068]
-
O putere medie la ieșire sau CW mai mare de 10 W; sau d. O lungime de undă la ieșire ce depășește 1.400 nm și o putere medie la ieșire sau CW care depășește 1 W; b. "Laseri" cu semiconductori, după cum urmează: 1. "Laseri" cu semiconductori cu un singur mod transversal de transfer individual, având oricare din următoarele caracteristici: a. O lungime de undă egală sau mai mică decât 1510 nm și având o putere medie la ieșire sau CW
EUR-Lex () [Corola-website/Law/170739_a_172068]
-
CW mai mare de 10 W; sau d. O lungime de undă la ieșire ce depășește 1.400 nm și o putere medie la ieșire sau CW care depășește 1 W; b. "Laseri" cu semiconductori, după cum urmează: 1. "Laseri" cu semiconductori cu un singur mod transversal de transfer individual, având oricare din următoarele caracteristici: a. O lungime de undă egală sau mai mică decât 1510 nm și având o putere medie la ieșire sau CW care depășește 1,5 W; sau
EUR-Lex () [Corola-website/Law/170739_a_172068]
-
având o putere medie la ieșire sau CW care depășește 1,5 W; sau b. O lungime de undă mai mare de 1510 nm și având o putere medie la ieșire sau CW care depășește 500 mW; 2. "Laseri" cu semiconductori cu mod multiplu de transfer individual, având oricare din următoarele caracteristici: a) O lungime de undă mai mică decât 1400 nm și având o putere medie la ieșire sau CW care depășește 10 W; ... b) O lungime de undă egală
EUR-Lex () [Corola-website/Law/170739_a_172068]
-
ieșire sau CW care depășește 2,5 W; sau ... c) O lungime de undă egală sau mai mare de 1900 nm și având o putere medie la ieșire sau CW care depășește 1 W. ... 3. Rețele formate din "laseri" cu semiconductori individuali, având oricare din caracteristicile următoare: a. O lungime de undă mai mică de 1400 nm și având o putere medie la ieșire sau CW care depășește 80 W; b. O lungime de undă egală sau mai mare de 1400
EUR-Lex () [Corola-website/Law/170739_a_172068]
-
sau CW care depășește 25 W; sau c. O lungime de undă egală sau mai mare de 1900 nm și având o putere medie la ieșire sau CW care depășește 10 W. 4. Seturi de rețele formate din "laseri" cu semiconductori conținând cel putin o rețea care este controlată de 6A005.b.3. Note tehnice: 1. "Laserii" cu semiconductori se numesc în mod obișnuit diode "laser". 2. O 'rețea' constă din emitori "laseri" cu semiconductori multipli, fabricați că un singur chip
EUR-Lex () [Corola-website/Law/170739_a_172068]
-
nm și având o putere medie la ieșire sau CW care depășește 10 W. 4. Seturi de rețele formate din "laseri" cu semiconductori conținând cel putin o rețea care este controlată de 6A005.b.3. Note tehnice: 1. "Laserii" cu semiconductori se numesc în mod obișnuit diode "laser". 2. O 'rețea' constă din emitori "laseri" cu semiconductori multipli, fabricați că un singur chip, astfel că centrele fasciculelor de lumină emise sunt pe un traiect paralel. 3. Un 'set de rețele' este
EUR-Lex () [Corola-website/Law/170739_a_172068]
-
de rețele formate din "laseri" cu semiconductori conținând cel putin o rețea care este controlată de 6A005.b.3. Note tehnice: 1. "Laserii" cu semiconductori se numesc în mod obișnuit diode "laser". 2. O 'rețea' constă din emitori "laseri" cu semiconductori multipli, fabricați că un singur chip, astfel că centrele fasciculelor de lumină emise sunt pe un traiect paralel. 3. Un 'set de rețele' este fabricat prin așezarea în teanc, sau asamblarea rețelelor, astfel că centrele fasciculelor de lumină emise sunt
EUR-Lex () [Corola-website/Law/170739_a_172068]
-
lumină emise sunt pe un traiect paralel. 3. Un 'set de rețele' este fabricat prin așezarea în teanc, sau asamblarea rețelelor, astfel că centrele fasciculelor de lumină emise sunt pe un traiect paralel. Notă 1: 6A005.b include "laserii" cu semiconductori cu conectoare optice de ieșire (de ex. dispozitive pentru fibre optice). Notă 2: Statutul de control al "laserilor" cu semiconductori special concepuți pentru alte echipamente, este determinat de statutul de control al acelor echipamente. c. "Laseri" cu solid, după cum urmează
EUR-Lex () [Corola-website/Law/170739_a_172068]
-
rețelelor, astfel că centrele fasciculelor de lumină emise sunt pe un traiect paralel. Notă 1: 6A005.b include "laserii" cu semiconductori cu conectoare optice de ieșire (de ex. dispozitive pentru fibre optice). Notă 2: Statutul de control al "laserilor" cu semiconductori special concepuți pentru alte echipamente, este determinat de statutul de control al acelor echipamente. c. "Laseri" cu solid, după cum urmează: 1. "Laseri" "acordabili" având una din următoarele caracteristici: Notă: 6A005.c.1 include "laseri" cu titan-safir [Ți: Al(2)O
EUR-Lex () [Corola-website/Law/170739_a_172068]
-
putin; 2. Tuburi cu baleiaj pentru camerele supuse controlului prin 6A203.b.1; 3. Camere electronice (sau cu obturare electronică) cu imagine secvențiala, capabile de un timp de expunere de 50 ns sau mai mic; 4. Tuburi integrate și dispozitive semiconductoare de formare a imaginii utilizate pentru camerele supuse controlului prin 6A203.b.3, după cum urmează: a. Tuburi intensificatoare de imagine având fotocatodul depus pe un strat transparent conductor în vederea descreșterii rezistenței plăcii fotocatodului; b. Tuburi intensificatoare vidicon bazate pe siliciu
EUR-Lex () [Corola-website/Law/170739_a_172068]
-
b. Tuburi intensificatoare vidicon bazate pe siliciu (SIT), cu grila în care un sistem rapid permite ghidarea fotoelectrozilor de pe fotocatod înainte de atingerea țintei multiplicatoare SIT; c. Cu obturatoare electro-optice cu celule Kerr sau Pockel; d. Alte tuburi integrate și dispozitive semiconductoare de formare a imaginii având un timp de rezoluție mai mic de 50 ns, special concepute pentru camerele supuse controlului prin 6A203.b.3; c. Camere TV rezistente la radiații, sau lentile pentru acestea, special concepute sau adaptate să suporte
EUR-Lex () [Corola-website/Law/170739_a_172068]
-
dispunând de propriile sale conexiuni externe. (3) "Circuit integrat monolitic" ... O combinație de mai multe "elemente de circuit" active sau pasive sau ambele, care: a. sunt fabricate prin procese de difuziune, implantare sau depunere în sau pe un singur element semiconductor, un așa-numit "chip". ("microplacheta") b. sunt considerate ca fiind asociate indivizibil; și c. realizează funcția(ile) unui circuit N.B.: "Element de circuit": un singur element funcțional activ sau pasiv al unui circuit electronic cum ar fi o dioda, un
EUR-Lex () [Corola-website/Law/170739_a_172068]
-
O măsură a performanței de calcul exprimată în milioane de operațiuni teoretice per sec. (Mtops), calculată prin agregarea "elementelor de calcul" ("CE") N.B.: Vezi Categoria 4, Nota tehnică la "CTP". (6, 8) "Pixel activ" Elementul minimal (singular) al unei rețele semiconductoare care are o funcție de fotoelectrica atunci când este expus radiației luminoase (electromagnetice). (2, 6) "Precizie" Caracteristică exprimată de obicei în termeni de imprecizie, adică: deviația maximă, pozitivă sau negativă, a unei valori indicate față de un standard acceptat sau față de valoarea reală
EUR-Lex () [Corola-website/Law/170739_a_172068]
-
componente: 828301 montator-reglor, depanator aparate electronice, telecomunicații, radio 828302 confecționer tuburi cinescop 828303 montator-reglor și depanator de instalații de electronică și curenți purtători 828304 montator-reglor și depanator de aparate radio și TV, redresoare și amplificatoare 828305 confecționer piese radio și semiconductori 828306 confecționer circuite integrate 828307 confecționer scală radio 828308 confecționer circuite imprimate 828309 montator, reglor, testor tehnică de calcul 828310 confecționer lămpi fluorescente 828311 confecționer lămpi cu vapori de mercur 828312 confecționer lămpi cu vapori de sodiu 828313 confecționer becuri
EUR-Lex () [Corola-website/Law/202005_a_203334]
-
aluminiu și alte metale 733117 confecționer obiecte din ipsos 733118 confecționer obiecte din os, scoică, mică etc. 824002 confecționer parchete 743303 confecționer pălării 733101 confecționer piese, linguri, spițe, albii, donițe, cozi de unelte, șindrilă, ciubere 828305 confecționer piese radio și semiconductori 814106 confecționer plăci izolatoare 828205 confecționer plăci pentru acumulatori 721405 confecționer plase din sârmă 733201 confecționer plase pescărești 712103 confecționer plase și pânze rabiț din stuf 712102 confecționer plăci din diverse materiale 733104 confecționer plute 826214 confecționer polizoare din pâslă
EUR-Lex () [Corola-website/Law/202005_a_203334]
-
73/731/7310: a) în cadrul Planului național pentru cercetare-dezvoltare inovare, institutul național efectuează: ... 1. cercetare fundamentală, de bază și orientată, realizate în scopul creșterii nivelului cunoștințelor în domeniul fizicii stării condensate și științei materialelor, componentelor și dispozitivelor noi, speciale (supraconductoare, semiconductoare, ionice, feroelectrice, magnetice, piezoceramice etc.); 2. cercetare aplicativă pentru realizarea de modele experimentale, standuri, platforme și stații-pilot, precum și tehnologii generice cu rol de suport pentru cercetările aplicative din mai multe ramuri de vârf: electronică, automatică, telecomunicații, informatică, electrotehnică, aviație etc.
EUR-Lex () [Corola-website/Law/171922_a_173251]
-
DECIZIA CONSILIULUI din 11 noiembrie 1996 privind extinderea protecției juridice a topografiilor produselor din materiale semiconductoare asupra persoanelor din Insula Mân (96/644/CE) CONSILIUL UNIUNII EUROPENE, având în vedere Tratatul de instituire a Comunității Europene, având în vedere Directivă Consiliului 87/54/CE din 16 decembrie 1986 privind protecția juridică a topografiilor produselor din materiale
jrc2971as1996 by Guvernul României () [Corola-website/Law/88126_a_88913]
-
Directivă Consiliului 87/54/CE din 16 decembrie 1986 privind protecția juridică a topografiilor produselor din materiale semiconductoare 1, în special art. 3 alin.(7), având în vedere propunerea Comisiei, întrucât dreptul la protecția juridică a topografiilor produselor din materiale semiconductoare în Comunitate se aplică la persoanele care au dreptul la protecție în conformitate cu art. 3 alin. (1) - (5) din Directivă 87/54/CEE; întrucât, printr-o decizie a Consiliului, dreptul la protecție poate fi acordat persoanelor care nu beneficiază de protecție
jrc2971as1996 by Guvernul României () [Corola-website/Law/88126_a_88913]
-
ale Consiliului, luate cu titlu provizoriu, si a cărui ultima decizie este Decizia 94/828/CE2; întrucât prezenta decizie se aplică până la 31 decembrie 1995; întrucât Insula Mân dispune de o legislație corespunzătoare 3 în domeniul topografiilor produselor din materiale semiconductoare; întrucât aceasta legislație a intrat în vigoare la 1 ianuarie 1994; întrucât se aplică Directivă 87/54/CEE și marchează intrarea în vigoare a deciziilor anterioare ale Consiliului în domeniu; întrucât Insula Mân extinde aplicarea acestei legislații și pentru resortisanții
jrc2971as1996 by Guvernul României () [Corola-website/Law/88126_a_88913]
-
membre. Adoptată la Bruxelles, 11 noiembrie 1996. Pentru Consiliu Președintele R. QUINN 1 JO L 24, 27.01.1987, p. 36. 2 Decizia Consiliului 87/532/CEE din 26 octombrie 1987 privind extinderea protecției juridice a topografiei produselor din materiale semiconductoare asupra persoanelor originare din anumite țări sau teritorii (JO L 313, 04.11.1987, p. 22); Decizia Consiliului 90/511/CEE din 9 octombrie 1990 privind extinderea protecției juridice a topografiei produselor din materiale semiconductoare asupra persoanelor din anumite țări
jrc2971as1996 by Guvernul României () [Corola-website/Law/88126_a_88913]
-
a topografiei produselor din materiale semiconductoare asupra persoanelor originare din anumite țări sau teritorii (JO L 313, 04.11.1987, p. 22); Decizia Consiliului 90/511/CEE din 9 octombrie 1990 privind extinderea protecției juridice a topografiei produselor din materiale semiconductoare asupra persoanelor din anumite țări sau teritorii (JO L 285, 17.10.1990, p. 31); Decizia Consiliului 93/16/CEE din 21 decembrie 1992 privind extinderea protecției juridice a topografiei produselor din materiale semiconductoare asupra persoanelor din Statele Unite ale Americii
jrc2971as1996 by Guvernul României () [Corola-website/Law/88126_a_88913]
-
juridice a topografiei produselor din materiale semiconductoare asupra persoanelor din anumite țări sau teritorii (JO L 285, 17.10.1990, p. 31); Decizia Consiliului 93/16/CEE din 21 decembrie 1992 privind extinderea protecției juridice a topografiei produselor din materiale semiconductoare asupra persoanelor din Statele Unite ale Americii și din anumite teritorii (JO L 11, 19.01.1993, p. 20), modificată de Decizia 93/520/CEE (JO L 246, 02.10.1993, p. 31); Decizia Consiliului 94/828/CE din 19 decembrie
jrc2971as1996 by Guvernul României () [Corola-website/Law/88126_a_88913]
-
JO L 11, 19.01.1993, p. 20), modificată de Decizia 93/520/CEE (JO L 246, 02.10.1993, p. 31); Decizia Consiliului 94/828/CE din 19 decembrie 1994 privind extinderea protecției juridice a topografiei produselor din materiale semiconductoare asupra persoanelor din anumite teritorii (JO L 351, 31.12.1994, p. 12). 3 Ordinul din 14 decembrie 1993 privind dreptul asupra planurilor (topografia din materiale semiconductoarelor) și regulamentele privind dreptul asupra planurilor (topografia din materiale semiconductoarelor) din 18 ianuarie
jrc2971as1996 by Guvernul României () [Corola-website/Law/88126_a_88913]