952 matches
-
IC; c. Sa se poată constitui ca entitate; și d. Sa nu poată fi în mod normal dezasamblate. N. B. 1: "Elementul de circuit": o singură parte activă sau pasivă funcționala a unui circuit electronic, ca de exemplu o diodă, un tranzistor, un rezistor, un capacitor, etc. N. B. 2: Componentul discret": un "element de circuit" ambalat separat cu propriile sale conexiuni externe. "Mărirea imaginii" (4) reprezintă prelucrarea informației derivate din exterior conținând imagini în algoritmi cum ar fi compresia timpului, filtrarea, extracția
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
material, așa-zisul "cip" b. Pot fi considerate ca fiind asociate indivizibil; și c. Îndeplinesc funcția/funcțiile unui circuit. N. B. "Elementul circuitului" este o singură parte funcțională activă sau pasivă a unui circuit electronic, ca de exemplu o diodă, un tranzistor, un capacitor, etc. "Senzorii monospectrali de reprezentare" (6) sunt capabili de a achiziționa date de reprezentare dîntr-o bandă spectrală discretă. "Circuitul integrat multicip" (3) reprezintă două sau mai multe "circuite integrate legate monolitic" de un "substrat comun. "Prelucrarea mai multor
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
circuite integrate sau ambele pot fi localizate. N. B. 1: "Component discret": un "element de circuit" ambalat separat, cu legăturile sale externe proprii. N. B. 2: "Elementul circuit": o parte funcțională unică activă sau pasivă a unui circuit electronic, de tip diodă, tranzistor, rezistență, condensator, etc. "Golurile de substrat" (6) reprezintă componente monolitice cu dimensiuni potrivite pentru fabricarea elementelor optice ca de exemplu oglinzi sau ferestre optice. "Subunitatea toxinei" (1) este un component discret funcțional și structural ce face parte dîntr-o "toxină" întreagă
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
de electroni cu braț fizic ECM aparatură electrochimică ECR rezonanța electron cyclotron EEPROMOS ROM programabil anulabil electric EIA Asociația Industriilor Electronice EMC compatibilitatea electronică FFT transformare Furier Rapid GLONASS sistem global de navigare satelit GPS sistem de poziționare globală HBT tranzistori hetero-bipolari HDDR înregistrare digitală de înaltă densitate HEMT tranzistori cu electroni de înaltă mobilitate ICAO Organizația Internațională de Aviație Civilă IEC Comisia Internațională Electrotehnică IEEE Institutul Inginerilor Electroniști și Electricieni IFOV câmp de vizionare instantanee ILS sistem de aterizare a
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
rezonanța electron cyclotron EEPROMOS ROM programabil anulabil electric EIA Asociația Industriilor Electronice EMC compatibilitatea electronică FFT transformare Furier Rapid GLONASS sistem global de navigare satelit GPS sistem de poziționare globală HBT tranzistori hetero-bipolari HDDR înregistrare digitală de înaltă densitate HEMT tranzistori cu electroni de înaltă mobilitate ICAO Organizația Internațională de Aviație Civilă IEC Comisia Internațională Electrotehnică IEEE Institutul Inginerilor Electroniști și Electricieni IFOV câmp de vizionare instantanee ILS sistem de aterizare a instrumentului IRIG grup de instrumentare inter-gamă ISAR radar cu
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
de microunde având următoarele: a. Un conținut de circuite integrate monolitice; și b. O operare la frecvențe de peste 3 GHz; Notă: 3A001.b.2. nu controlează circuite pentru echipament ce operează în bande ITU la frecvențe de sub 31 GHz. 3. Tranzistori de microunde care operează la frecvențe de peste 31 GHz; 4. Amplificatoare solide de microunde, una din următoarele: a. Frecvențe de operare peste 10,5 GHz și o lățime instantanee a benzii mai mare de o octavă; sau b. Frecvențe de
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
un strat defazat. 3B002 Echipament de testare cu "program intern controlat" destinat în special pentru testarea dispozitivelor semiconductoare finisate sau nefinisate, după cum urmează, și cu componente și accesorii special proiectate pentru acesta: a. Pentru testarea parametrilor-S ai dispozitivelor cu tranzistori la frecvențe care depășesc 31 GHz; b. Pentru testarea circuitelor integrate capabile să realizeze testarea funcțională (tabelul adevărului) cu o "viteză de probă" de minim 333 MHz; Notă: 3B002. b. nu reglementează echipamentele de testare destinate în special pentru testarea
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
și modificat pentru "utilizarea" echipamentului de la 3A101. b. 3E Tehnologie 3E001 "Tehnologie, în conformitate cu Nota tehnologie generală, pentru "dezvoltarea" sau "producția" echipamentului sau materialelor specificate la 3A, 3B sau 3C. Notă: 3 E001 nu reglementează "tehnologia" pentru "dezvoltarea" sau "producerea" a. Tranzistorilor cu microunde care funcționează la frecvențe mai mici de 31 GHz; b. Circuitelor integrate specificate de la 3A001. a. 3. până la 3A001. a. 12., care au tot ceea ce urmează: 1. Utilizează "tehnologie" de minim 0, 7 m; și 2. Nu includ
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
2 de la 3E001 nu include dispozitivele care încorporează un maximum de două straturi metalice și două straturi de polisiliciu. 3E002 Altă "tehnologie" pentru "dezvoltarea" sau "producerea" de: a. Dispozitive microelectronice în vid; b. Dispozitive semiconduconductoare cu eterostructură cum ar fi tranzistorii cu mobilitate ridicată a electronilor (HEMT), tranzistorii etero-bipolari (HBT), dispozitive cu groapă cuantică și suprarețea; c. Dispozitive electronice "superconductibile"; d. Substraturile din straturile de diamant pentru componente electronice; e. Substraturile de siliciu-pe-izolator (SOI) pentru circuite integrate în care materialul izolator
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
încorporează un maximum de două straturi metalice și două straturi de polisiliciu. 3E002 Altă "tehnologie" pentru "dezvoltarea" sau "producerea" de: a. Dispozitive microelectronice în vid; b. Dispozitive semiconduconductoare cu eterostructură cum ar fi tranzistorii cu mobilitate ridicată a electronilor (HEMT), tranzistorii etero-bipolari (HBT), dispozitive cu groapă cuantică și suprarețea; c. Dispozitive electronice "superconductibile"; d. Substraturile din straturile de diamant pentru componente electronice; e. Substraturile de siliciu-pe-izolator (SOI) pentru circuite integrate în care materialul izolator este dioxidul de siliciu; f. Substarturile de
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
materialelor utilizate nu trebuie să depășească 40 % din prețul franco fabrică al produsului, și - în limita indicată mai sus, valoarea tuturor materialelor de la nr. 8538 utilizate nu trebuie să depășească 10 % din prețul franco fabrică al produsului ex 8541 Diode, tranzistori și dispozitive similare cu semiconductori, cu excepția discurilor (wafers) nedecupate încă în microplachete Fabricare: Fabricare în care valoarea tuturor materialelor utilizate nu trebuie să depășească 25 % din prețul franco fabrică al produsului - din materiale de la orice poziție, cu excepția materialelor de la aceeași
jrc6107as2003 by Guvernul României () [Corola-website/Law/91279_a_92066]
-
32141100-4 Tuburi pentru camere de televiziune 32142000-0 Tuburi și echipament pentru microunde 32142100-1 Magnetroane 32142200-2 Echipament cu microunde 32142210-5 Echipament radio cu microunde 32142300-3 Clistroane 32143000-7 Tuburi electronice 32144000-4 Valve și tuburi 32150000-9 Semiconductoare 32151000-6 Diode 32152000-3 Diode electroluminescente 32153000-0 Tranzistori 32154000-7 Cristale piezoelectrice montate 32160000-2 Circuite integrate și microasamblări electronice 32161000-9 Cartele telefonice 32161100-0 Cartele SIM 32162000-6 Cartele cu circuite integrate 32163000-3 Circuite integrate electronice 32164000-0 Microasamblări 32165000-7 Microprocesoare 32170000-5 Piese pentru asamblări electronice 32171000-2 Piese pentru condensatoare electrice 32172000-9
jrc6214as2003 by Guvernul României () [Corola-website/Law/91386_a_92173]
-
redresoare punte, dispozitive de dublare și de triplare a tensiunii; Detalii asupra funcționării și caracteristicile următoarelor dispozitive: diode redresoare semiconductoare cu siliciu comandate (tiristori), diode luminiscente, diode Shottky, diode fotoconductive, diode varactor, varistoare, diode redresoare, diode Zener. 4.1.2 Tranzistori (a) - 1 2 Simbolurile tranzistorilor; Descrierea și orientarea componentelor; Caracteristicile și proprietățile tranzistorilor. (b) - - 2 Construcția și funcționarea tranzistorilor PNP și NPN; Configurații bază, emițător și colector; Testarea tranzistorilor. Evaluare primară a altor tipuri de tranzistori și utilizările lor. Aplicații
jrc6209as2003 by Guvernul României () [Corola-website/Law/91381_a_92168]
-
și de triplare a tensiunii; Detalii asupra funcționării și caracteristicile următoarelor dispozitive: diode redresoare semiconductoare cu siliciu comandate (tiristori), diode luminiscente, diode Shottky, diode fotoconductive, diode varactor, varistoare, diode redresoare, diode Zener. 4.1.2 Tranzistori (a) - 1 2 Simbolurile tranzistorilor; Descrierea și orientarea componentelor; Caracteristicile și proprietățile tranzistorilor. (b) - - 2 Construcția și funcționarea tranzistorilor PNP și NPN; Configurații bază, emițător și colector; Testarea tranzistorilor. Evaluare primară a altor tipuri de tranzistori și utilizările lor. Aplicații ale tranzistorilor: clase de amplificare
jrc6209as2003 by Guvernul României () [Corola-website/Law/91381_a_92168]
-
și caracteristicile următoarelor dispozitive: diode redresoare semiconductoare cu siliciu comandate (tiristori), diode luminiscente, diode Shottky, diode fotoconductive, diode varactor, varistoare, diode redresoare, diode Zener. 4.1.2 Tranzistori (a) - 1 2 Simbolurile tranzistorilor; Descrierea și orientarea componentelor; Caracteristicile și proprietățile tranzistorilor. (b) - - 2 Construcția și funcționarea tranzistorilor PNP și NPN; Configurații bază, emițător și colector; Testarea tranzistorilor. Evaluare primară a altor tipuri de tranzistori și utilizările lor. Aplicații ale tranzistorilor: clase de amplificare (A, B, C); Circuite simple inclusiv: polarizare, decuplare
jrc6209as2003 by Guvernul României () [Corola-website/Law/91381_a_92168]
-
semiconductoare cu siliciu comandate (tiristori), diode luminiscente, diode Shottky, diode fotoconductive, diode varactor, varistoare, diode redresoare, diode Zener. 4.1.2 Tranzistori (a) - 1 2 Simbolurile tranzistorilor; Descrierea și orientarea componentelor; Caracteristicile și proprietățile tranzistorilor. (b) - - 2 Construcția și funcționarea tranzistorilor PNP și NPN; Configurații bază, emițător și colector; Testarea tranzistorilor. Evaluare primară a altor tipuri de tranzistori și utilizările lor. Aplicații ale tranzistorilor: clase de amplificare (A, B, C); Circuite simple inclusiv: polarizare, decuplare, feedback și stabilizare; Principiile circuitelor în
jrc6209as2003 by Guvernul României () [Corola-website/Law/91381_a_92168]
-
fotoconductive, diode varactor, varistoare, diode redresoare, diode Zener. 4.1.2 Tranzistori (a) - 1 2 Simbolurile tranzistorilor; Descrierea și orientarea componentelor; Caracteristicile și proprietățile tranzistorilor. (b) - - 2 Construcția și funcționarea tranzistorilor PNP și NPN; Configurații bază, emițător și colector; Testarea tranzistorilor. Evaluare primară a altor tipuri de tranzistori și utilizările lor. Aplicații ale tranzistorilor: clase de amplificare (A, B, C); Circuite simple inclusiv: polarizare, decuplare, feedback și stabilizare; Principiile circuitelor în cascadă: cascade, în contratimp, oscilatori, multivibratori, circuite flip-flop. 4.1
jrc6209as2003 by Guvernul României () [Corola-website/Law/91381_a_92168]
-
Zener. 4.1.2 Tranzistori (a) - 1 2 Simbolurile tranzistorilor; Descrierea și orientarea componentelor; Caracteristicile și proprietățile tranzistorilor. (b) - - 2 Construcția și funcționarea tranzistorilor PNP și NPN; Configurații bază, emițător și colector; Testarea tranzistorilor. Evaluare primară a altor tipuri de tranzistori și utilizările lor. Aplicații ale tranzistorilor: clase de amplificare (A, B, C); Circuite simple inclusiv: polarizare, decuplare, feedback și stabilizare; Principiile circuitelor în cascadă: cascade, în contratimp, oscilatori, multivibratori, circuite flip-flop. 4.1.3 Circuite integrate (a) - 1 - Descrierea și
jrc6209as2003 by Guvernul României () [Corola-website/Law/91381_a_92168]
-
1 2 Simbolurile tranzistorilor; Descrierea și orientarea componentelor; Caracteristicile și proprietățile tranzistorilor. (b) - - 2 Construcția și funcționarea tranzistorilor PNP și NPN; Configurații bază, emițător și colector; Testarea tranzistorilor. Evaluare primară a altor tipuri de tranzistori și utilizările lor. Aplicații ale tranzistorilor: clase de amplificare (A, B, C); Circuite simple inclusiv: polarizare, decuplare, feedback și stabilizare; Principiile circuitelor în cascadă: cascade, în contratimp, oscilatori, multivibratori, circuite flip-flop. 4.1.3 Circuite integrate (a) - 1 - Descrierea și funcționarea circuitelor logice și a circuitelor
jrc6209as2003 by Guvernul României () [Corola-website/Law/91381_a_92168]
-
una sau mai multe funcții specifice, care se pot înlocui ca o entitate și pot fi, în mod normal, demontate. NB 1: "Element de circuit": element funcțional activ sau pasiv unic într-un circuit electronic, cum sunt o diodă, un tranzistor, o rezistență, un condensator etc. NB 2: "Componentă discretă": "element de circuit" în carcasă separată, având propriile sale conexiuni externe. "Antenă rețea fazată orientabilă electronic" (5 și 6): o antenă care formează fasciculul prin cuplarea în fază a elementelor radiante
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
elemente de circuit" și de interconexiuni metalice formată prin depunerea unei pelicule subțiri sau groase pe un "substrat" izolant. NB: "Element de circuit": un singur element funcțional activ sau pasiv al unui circuit electronic, cum ar fi o diodă, un tranzistor, o rezistență, un condensator etc. "Circuit integrat hibrid" (3): orice combinație de circuite integrate sau chiar circuite integrate care conțin "elemente de circuit" sau "componente discrete" conectate pentru a îndeplini una sau mai multe funcții specifice și care are toate
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
realizare a circuitelor integrate; c. poate fi înlocuită ca entitate și d. nu poate fi în mod normal demontată. NB 1: "Element de circuit": un singur element funcțional activ sau pasiv al unui circuit electronic, cum sunt o diodă, un tranzistor, o rezistență, un condensator etc. NB 2: "Componentă discretă": un "element de circuit" în carcasă separată, dispunând de propriile conexiuni externe. "Circuit integrat monolitic" (3): combinație de mai multe "elemente de circuit" active sau pasive sau ambele, care: a. sunt
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
așa-numit "chip" ("microplachetă"); b. sunt considerate ca fiind asociate indivizibil și c. realizează funcția sau funcțiile unui circuit NB: "Element de circuit": un singur element funcțional activ sau pasiv al unui circuit electronic cum ar fi o diodă, un tranzistor, o rezistență, un condensator etc. "Circuit integrat optic" (3): un "circuit integrat monolitic" sau un "circuit integrat hibrid" conținând unul sau mai multe elemente, conceput să funcționeze ca dispozitiv fotosensibil sau fotoemițător sau să îndeplinească una sau mai multe funcții
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
circuite integrate sau ambele. NB 1: "Componentă discretă": un "element de circuit" în carcasă separată, dispunând de propriile sale conexiuni externe. NB 2: "Element de circuit": element funcțional unic, activ sau pasiv, dintr-un circuit electronic, cum ar fi diodă, tranzistor, rezistență, condensator etc. "Substrat brut" (6): compuși monolitici cu dimensiuni corespunzătoare pentru producerea de elemente optice, cum ar fi oglinzi sau ferestre optice. "Subunitate de toxină" (1 și 2): un component structural și funcțional discret dintr-o "toxină". "Sudură prin
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
non-destructive test) ETSI Institutul European de Standarde în Telecomunicații (European Telecommunications Standards Institute) FFT transformata Fourier rapidă (Fast Fourier Transform) GLONASS sistem global de navigație prin satelit (global navigation satellite system) GPS poziționare globală prin satelit (global positioning system) HBT tranzistori hetero-bipolari (hetero-bipolar transistors) HDDR modul de înregistrare digitală de densitate mare (high density digital recording) HEMT tranzistori cu mobilitate înaltă a electronilor (high electron mobility transistors) IEEE Institutul de inginerie electrică și electronică IFOV câmp de viziune instantaneu (instantaneous-field-of-view) ILS
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]