905 matches
-
obicei mult mai mare decât valoarea curentului mediu datorită inerției termice. Ideal, această valoare ar fi infinită. PD - puterea maximă disipată totală, reprezintă valoarea puterii (în Watt) pe care dioda o poate disipa fără ca această putere să ducă la distrugerea diodei. Această valoare este limitată de capacitatea termică a diodei. Ideal, această valoare ar fi infinită. TJ - temperatura de funcționare a joncțiunii, reprezintă temperatura maximă admisă a joncțiunii P-N a diodei, valoare dată de obicei în oC. Căldura reprezintă punctul
Diodă semiconductoare () [Corola-website/Science/302486_a_303815]
-
inerției termice. Ideal, această valoare ar fi infinită. PD - puterea maximă disipată totală, reprezintă valoarea puterii (în Watt) pe care dioda o poate disipa fără ca această putere să ducă la distrugerea diodei. Această valoare este limitată de capacitatea termică a diodei. Ideal, această valoare ar fi infinită. TJ - temperatura de funcționare a joncțiunii, reprezintă temperatura maximă admisă a joncțiunii P-N a diodei, valoare dată de obicei în oC. Căldura reprezintă punctul critic al dispozitivelor semiconductoare: acestea trebuie menținute la o
Diodă semiconductoare () [Corola-website/Science/302486_a_303815]
-
poate disipa fără ca această putere să ducă la distrugerea diodei. Această valoare este limitată de capacitatea termică a diodei. Ideal, această valoare ar fi infinită. TJ - temperatura de funcționare a joncțiunii, reprezintă temperatura maximă admisă a joncțiunii P-N a diodei, valoare dată de obicei în oC. Căldura reprezintă punctul critic al dispozitivelor semiconductoare: acestea trebuie menținute la o temperatură cât mai apropiată de temperatura camerei pentru funcționarea lor corectă și o durată de funcționare cât mai lungă. TSTG - temperatura de
Diodă semiconductoare () [Corola-website/Science/302486_a_303815]
-
reprezintă punctul critic al dispozitivelor semiconductoare: acestea trebuie menținute la o temperatură cât mai apropiată de temperatura camerei pentru funcționarea lor corectă și o durată de funcționare cât mai lungă. TSTG - temperatura de depozitare, reprezintă valoarea temperaturii de stocare a diodelor (nepolarizate). R(Θ) - rezistența termică, reprezintă diferența dintre temperatura joncțiunii și temperatura aerului exterior diodei (R(Θ)JA), sau dintre joncțiune și contacte (R(Θ)JL), pentru o anumită putere disipată. Valoarea este exprimată în oC/W. Ideal, această valoare
Diodă semiconductoare () [Corola-website/Science/302486_a_303815]
-
de temperatura camerei pentru funcționarea lor corectă și o durată de funcționare cât mai lungă. TSTG - temperatura de depozitare, reprezintă valoarea temperaturii de stocare a diodelor (nepolarizate). R(Θ) - rezistența termică, reprezintă diferența dintre temperatura joncțiunii și temperatura aerului exterior diodei (R(Θ)JA), sau dintre joncțiune și contacte (R(Θ)JL), pentru o anumită putere disipată. Valoarea este exprimată în oC/W. Ideal, această valoare ar fi zero, ceea ce ar înseamna că învelișul (carcasa) diodei ar fi un conductor și
Diodă semiconductoare () [Corola-website/Science/302486_a_303815]
-
joncțiunii și temperatura aerului exterior diodei (R(Θ)JA), sau dintre joncțiune și contacte (R(Θ)JL), pentru o anumită putere disipată. Valoarea este exprimată în oC/W. Ideal, această valoare ar fi zero, ceea ce ar înseamna că învelișul (carcasa) diodei ar fi un conductor și radiator termic perfect, fiind capabil să transfere energie sub formă de căldură dinspre joncțiune spre mediul exterior (sau spre contacte) fără nicio diferență de temperatură existentă în grosimea carcasei. O rezistență termică ridicată se traduce
Diodă semiconductoare () [Corola-website/Science/302486_a_303815]
-
conductor și radiator termic perfect, fiind capabil să transfere energie sub formă de căldură dinspre joncțiune spre mediul exterior (sau spre contacte) fără nicio diferență de temperatură existentă în grosimea carcasei. O rezistență termică ridicată se traduce prin faptul că dioda va stoca o temperatură excesivă în jurul joncțiunii (punctul critic), în ciuda eforturilor susținute de răcire a mediului exterior diodei; acest lucru duce la limitarea puterii maxime disipate. IR - curentul maxim de polarizare inversă, reprezintă valoarea curentului prin diodă la polarizarea inversă
Diodă semiconductoare () [Corola-website/Science/302486_a_303815]
-
exterior (sau spre contacte) fără nicio diferență de temperatură existentă în grosimea carcasei. O rezistență termică ridicată se traduce prin faptul că dioda va stoca o temperatură excesivă în jurul joncțiunii (punctul critic), în ciuda eforturilor susținute de răcire a mediului exterior diodei; acest lucru duce la limitarea puterii maxime disipate. IR - curentul maxim de polarizare inversă, reprezintă valoarea curentului prin diodă la polarizarea inversă și aplicarea tensiunii de polarizare inversă maximă de curent continuu(VDC). Mai este cunoscut și sub numele de
Diodă semiconductoare () [Corola-website/Science/302486_a_303815]
-
prin faptul că dioda va stoca o temperatură excesivă în jurul joncțiunii (punctul critic), în ciuda eforturilor susținute de răcire a mediului exterior diodei; acest lucru duce la limitarea puterii maxime disipate. IR - curentul maxim de polarizare inversă, reprezintă valoarea curentului prin diodă la polarizarea inversă și aplicarea tensiunii de polarizare inversă maximă de curent continuu(VDC). Mai este cunoscut și sub numele de curent de scăpări. Ideal, această valoare ar fi zero, deoarece o diodă perfectă ar bloca toți curenții atunci când este
Diodă semiconductoare () [Corola-website/Science/302486_a_303815]
-
de polarizare inversă, reprezintă valoarea curentului prin diodă la polarizarea inversă și aplicarea tensiunii de polarizare inversă maximă de curent continuu(VDC). Mai este cunoscut și sub numele de curent de scăpări. Ideal, această valoare ar fi zero, deoarece o diodă perfectă ar bloca toți curenții atunci când este polarizată invers. În realitate, această valoarea este mică în comparație cu valoarea curentului maxim de polarizare directă. CJ - capacitatea tipică a joncțiunii, reprezintă capacitatea intrinsecă joncțiunii, datorită comportării zonei de golire precum un dielectric între
Diodă semiconductoare () [Corola-website/Science/302486_a_303815]
-
a joncțiunii, reprezintă capacitatea intrinsecă joncțiunii, datorită comportării zonei de golire precum un dielectric între anod și catod. Această valoare este de obicei foarte mică, de ordinul picofarazilor (pF). trr - timpul de revenire invers, reprezintă durata de timp necesară „stingerii” diodei atunci când tensiunea la bornele sale alternează între polarizare directă și polarizare inversă. Ideal, această valoare ar fi zero: dioda se „stinge” imediat după inversarea polarității. Pentru o diodă redresoare tipică, timpul de revenire este de ordinul zecilor de microsecunde (ms
Diodă semiconductoare () [Corola-website/Science/302486_a_303815]
-
valoare este de obicei foarte mică, de ordinul picofarazilor (pF). trr - timpul de revenire invers, reprezintă durata de timp necesară „stingerii” diodei atunci când tensiunea la bornele sale alternează între polarizare directă și polarizare inversă. Ideal, această valoare ar fi zero: dioda se „stinge” imediat după inversarea polarității. Pentru o diodă redresoare tipică, timpul de revenire este de ordinul zecilor de microsecunde (ms); pentru o diodă de comutație rapidă, acest timp poate ajunge la doar câteva nanosecunde (ns).
Diodă semiconductoare () [Corola-website/Science/302486_a_303815]
-
pF). trr - timpul de revenire invers, reprezintă durata de timp necesară „stingerii” diodei atunci când tensiunea la bornele sale alternează între polarizare directă și polarizare inversă. Ideal, această valoare ar fi zero: dioda se „stinge” imediat după inversarea polarității. Pentru o diodă redresoare tipică, timpul de revenire este de ordinul zecilor de microsecunde (ms); pentru o diodă de comutație rapidă, acest timp poate ajunge la doar câteva nanosecunde (ns).
Diodă semiconductoare () [Corola-website/Science/302486_a_303815]
-
la bornele sale alternează între polarizare directă și polarizare inversă. Ideal, această valoare ar fi zero: dioda se „stinge” imediat după inversarea polarității. Pentru o diodă redresoare tipică, timpul de revenire este de ordinul zecilor de microsecunde (ms); pentru o diodă de comutație rapidă, acest timp poate ajunge la doar câteva nanosecunde (ns).
Diodă semiconductoare () [Corola-website/Science/302486_a_303815]
-
este folosit în unitățile de stocare USB flash și, mai recent, în solid-state drive-uri care înlocuiesc unitățile de hard disk cu discuri magnetice rotitoare. Dispozitivele semiconductoare au devenit predominante în anii 1950 și 1960, în timpul tranziției de la tuburi vidate la diode, tranzistori, circuite integrate (IC) și LED-uri semiconductoare. Prezența sarcinii electrice dă naștere la o forță electrostatică: sarcinile electrice exercită o forță una asupra celeilalte, efect care a fost cunoscut, dar nu și înțeles, în antichitate. O bilă ușoară suspendată
Electricitate () [Corola-website/Science/302842_a_304171]
-
energia electrică este o formă de energie de entropie joasă și poate fi transformată în mișcare sau în multe alte forme de energie, cu randament ridicat. Electronica studiază circuite electrice care implică componente electrice active cum ar fi tuburi, tranzistoare, diode și circuite integrate, și tehnologiile de interconectare a acestora cu componente pasive. Comportamentul al componentelor active și capacitatea lor de a controla fluxurile de electroni face posibilă amplificarea semnalelor slabe, astfel dispozitivele electronice fiind utilizate pe scară largă în , telecomunicații
Electricitate () [Corola-website/Science/302842_a_304171]
-
și emitor de electroni liberi și că poate exista o placă numită "catod" care poate fi încălzită de acesta. Captarea lor va fi făcută de o altă placă, cu polaritate electrică pozitivă, numită "anod". Acest tip de lampă se numește "diodă". Ulterior au apărut și lămpi mai complexe, în funcție de cerințe: triode, pentode și altele. A urmat apoi inventarea "tuburilor electronice", sufletul electronicii; ele au dăinuit o "eternitate" de circa 50 de ani. Inventarea tuburilor electronice a făcut să se dezvolte o
Electronică () [Corola-website/Science/299461_a_300790]
-
casă, oamenii să comunice la distanță, doctorul să vadă în interiorul pacientului, imaginile să fie transmise la distanță cu ajutorul telefaxului și al televiziunii, a apărut calculatorul și multe alte aparate și dispozitive industriale. Apoi tuburile electronice au fost "detronate" de semiconductoare: (diode și tranzistoare) care, datorită mărimii constructive reduse, au micșorat și ușurat toate produsele: radiouri, televizoare, instalații de sunet, computere, aparatură medicală și multe altele. Dar și semiconductoarele discrete (tranzistoare) au început să piardă teren în fața urmașelor lor, "circuitele integrate". Apariția
Electronică () [Corola-website/Science/299461_a_300790]
-
64,6 mm sau mai 0 mare și un diametru de 18,1 mm sau mai mare, având o capacitate nominală de 1 200 mAh sau mai mare, pentru utilizare în fabricarea bateriilor reîncărcabile (a) ex 8516 90 00 31 Diodă dublă, constând dintr-o diodă redresoare de putere conectată 0 printr-un fir la o diodă de protecție a transformatorului, cu o putere de vârf în curent invers de 2 J sau mai mare, pentru utilizare în fabricarea produselor prezentate
by Guvernul Romaniei () [Corola-other/Law/90040_a_90827]
-
0 mare și un diametru de 18,1 mm sau mai mare, având o capacitate nominală de 1 200 mAh sau mai mare, pentru utilizare în fabricarea bateriilor reîncărcabile (a) ex 8516 90 00 31 Diodă dublă, constând dintr-o diodă redresoare de putere conectată 0 printr-un fir la o diodă de protecție a transformatorului, cu o putere de vârf în curent invers de 2 J sau mai mare, pentru utilizare în fabricarea produselor prezentate la subpoziția 8516 50 00
by Guvernul Romaniei () [Corola-other/Law/90040_a_90827]
-
mare, având o capacitate nominală de 1 200 mAh sau mai mare, pentru utilizare în fabricarea bateriilor reîncărcabile (a) ex 8516 90 00 31 Diodă dublă, constând dintr-o diodă redresoare de putere conectată 0 printr-un fir la o diodă de protecție a transformatorului, cu o putere de vârf în curent invers de 2 J sau mai mare, pentru utilizare în fabricarea produselor prezentate la subpoziția 8516 50 00 (a) ex 8518 29 80 20 Difuzor având o putere de
by Guvernul Romaniei () [Corola-other/Law/90040_a_90827]
-
care nu depășește 70 mm, fără a cuprinde circuite cu funcții de amplificare sau cu Taxa Cod CN TARIC Descrierea mărfii vamală autonomă (%) funcții de acționare a sursei de energie ex 8522 90 59 93 Dispozitiv optic constând dintr-o diodă laser și o fotodiodă care emite 0 lumină la o lungime de undă nominală de 780 nm, inclus într-o carcasă cu un diametru de cel mult 10 mm și o înălțime de cel mult 9 mm, cu cel mult
by Guvernul Romaniei () [Corola-other/Law/90040_a_90827]
-
mult 7 conexiuni ex 8529 90 81 40 Ansamblu cuprinzând prisme, cipuri cu dispozitive digitale microoglindă 0 (DMD) și circuite electronice de control, pentru utilizare în fabricarea proiectoarelor video (a) ex 8531 80 80 01 Lampă indicatoare, constând din 4 diode emițătoare de lumină realizate 0 din carbură de siliciu (SiC) ca material semiconductor, funcționând la o lungime de undă nominală de 481, 560 sau 630 nm, inclusă într-o carcasă ex 8531 80 80 15 Lampă indicatoare, constând din 2
by Guvernul Romaniei () [Corola-other/Law/90040_a_90827]
-
emițătoare de lumină realizate 0 din carbură de siliciu (SiC) ca material semiconductor, funcționând la o lungime de undă nominală de 481, 560 sau 630 nm, inclusă într-o carcasă ex 8531 80 80 15 Lampă indicatoare, constând din 2 diode emițătoare de lumină realizate 0 din arseniură de galiu și aluminiu (AlGaAs) sau fosfură de galiu ca material semiconductor, având o bază dreptunghiulară, inclusă într-o carcasă de tip SMD (dispozitiv montat la suprafață) și având o lentilă ex 8531
by Guvernul Romaniei () [Corola-other/Law/90040_a_90827]
-
MHz sau mai mare, dar fără a depăși 870 MHz, capabil să comute semnale VHF și UHF, constând din elemente active și pasive montate pe un circuit imprimat, inclus într-o carcasă ex 8543 89 95 49 Ansamblu redresor din diode de putere cu barieră de potențial, constând 0 din 2 diode cu un curent direct mediu ce nu depășește 600 A și o tensiune inversă repetitivă de vârf care nu depășește 40 V, fiecare inclusă într-o carcasă și conectată
by Guvernul Romaniei () [Corola-other/Law/90040_a_90827]