965 matches
-
uneori numită și „"Flash RAM"”) este un tip de memorie nevolatilă cu alimentare constantă ale cărei blocuri de memorie pot fi șterse și reprogramate. Este o variantă a memoriei de tip EEPROM („"Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory"”), care, spre deosebire de memoria "flash", este ștearsă și programată la nivel de bit, ceea ce o face mai lentă. Numele de „memorie "flash"” vine de la faptul că cipul este organizat in așa fel încât o operație de ștergere se face printr-o singură acțiune sau „"flash
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
de memorie pot fi șterse și reprogramate. Este o variantă a memoriei de tip EEPROM („"Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory"”), care, spre deosebire de memoria "flash", este ștearsă și programată la nivel de bit, ceea ce o face mai lentă. Numele de „memorie "flash"” vine de la faptul că cipul este organizat in așa fel încât o operație de ștergere se face printr-o singură acțiune sau „"flash"”. Ștergerea este cauzată de fenomenul tunelare Fowler-Nordheim, prin care electronii străpung un material dielectric fin cu scopul
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
flash", este ștearsă și programată la nivel de bit, ceea ce o face mai lentă. Numele de „memorie "flash"” vine de la faptul că cipul este organizat in așa fel încât o operație de ștergere se face printr-o singură acțiune sau „"flash"”. Ștergerea este cauzată de fenomenul tunelare Fowler-Nordheim, prin care electronii străpung un material dielectric fin cu scopul de a înlătura sarcina din poarta flotantă asociată fiecărei celule de memorie. Memoria "flash" este folosită des pentru a memora cod de control
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
de ștergere se face printr-o singură acțiune sau „"flash"”. Ștergerea este cauzată de fenomenul tunelare Fowler-Nordheim, prin care electronii străpung un material dielectric fin cu scopul de a înlătura sarcina din poarta flotantă asociată fiecărei celule de memorie. Memoria "flash" este folosită des pentru a memora cod de control asemănător BIOS-ului calculatoarelor personale. Când informația din BIOS trebuie modificată memoria poate fi scrisă la nivel de bloc, ceea ce o face mai ușor de modificat. In schimb, "flash"-ul nu
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
memorie. Memoria "flash" este folosită des pentru a memora cod de control asemănător BIOS-ului calculatoarelor personale. Când informația din BIOS trebuie modificată memoria poate fi scrisă la nivel de bloc, ceea ce o face mai ușor de modificat. In schimb, "flash"-ul nu este folosit ca RAM („"Random Acces Memory"”), deoarece RAM-ul este adresat la nivel de byte. Compania Intel oferă o tehnologie "flash" care reține 2 biți într-o celulă de memorie, ceea ce dublează capacitatea la același preț. Există
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
poate fi scrisă la nivel de bloc, ceea ce o face mai ușor de modificat. In schimb, "flash"-ul nu este folosit ca RAM („"Random Acces Memory"”), deoarece RAM-ul este adresat la nivel de byte. Compania Intel oferă o tehnologie "flash" care reține 2 biți într-o celulă de memorie, ceea ce dublează capacitatea la același preț. Există două tipuri de memorie "flash": NOR ("Not Or") și NAND ("Not And"). Denumirile se referă la tipul de poartă logică folosită pentru celulele de
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
ca RAM („"Random Acces Memory"”), deoarece RAM-ul este adresat la nivel de byte. Compania Intel oferă o tehnologie "flash" care reține 2 biți într-o celulă de memorie, ceea ce dublează capacitatea la același preț. Există două tipuri de memorie "flash": NOR ("Not Or") și NAND ("Not And"). Denumirile se referă la tipul de poartă logică folosită pentru celulele de stocare. NOR înseamnă: adevărat numai dacă ambele intrări sunt false, iar NAND înseamnă: fals numai dacă ambele intrări sunt adevărate. Memoria
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
NOR ("Not Or") și NAND ("Not And"). Denumirile se referă la tipul de poartă logică folosită pentru celulele de stocare. NOR înseamnă: adevărat numai dacă ambele intrări sunt false, iar NAND înseamnă: fals numai dacă ambele intrări sunt adevărate. Memoria "flash" de tip NOR ("NOR flash") a fost introdusă de compania Intel în anul 1988, în timp ce NAND de către compania Toshiba în 1989. Cele doua cipuri lucrează in mod diferit. Cu NAND se pot realiza capacități de stocare mult mai mari decât
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
Not And"). Denumirile se referă la tipul de poartă logică folosită pentru celulele de stocare. NOR înseamnă: adevărat numai dacă ambele intrări sunt false, iar NAND înseamnă: fals numai dacă ambele intrări sunt adevărate. Memoria "flash" de tip NOR ("NOR flash") a fost introdusă de compania Intel în anul 1988, în timp ce NAND de către compania Toshiba în 1989. Cele doua cipuri lucrează in mod diferit. Cu NAND se pot realiza capacități de stocare mult mai mari decât cu NOR. Tehnologia NAND și-
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
bit și mărirea capacității unui cip astfel încât să poată concura cu dispozitive de stocare magnetice ca de ex. discurile dure. Noile tehnologii NAND au dus la un cip mai mic, au micșorat voltajul dar au mărit ciclul de scriere-citire. Memoria "flash" tip NOR are o speranță de viață de 10.000 la 100.000 de cicluri de scriere-ștergere. Deși are viteze mici de scriere și de ștergere, permite un acces aleatoriu pentru citire și scriere, făcând-o adecvată pentru stocarea datelor
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
memorie sunt „bune” și au același număr garantat de cicluri de ștergere-programare. Mai mult, în faza de fabricație se prevăd un număr destul de mare de locații „de rezervă”, care sunt utilizate pentru repararea prin înlocuire a eventualelor locații defecte. Memoria "flash" tip NAND are viteze de scriere și de ștergere mai mari, o mai mare densitate de memorie, un cost mai mic pe bit și o speranță de viață mult mai lungă, suportând de aproximativ 10 ori mai multe cicluri de
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
viteze de scriere și de ștergere mai mari, o mai mare densitate de memorie, un cost mai mic pe bit și o speranță de viață mult mai lungă, suportând de aproximativ 10 ori mai multe cicluri de scriere-ștergere decât memoria "flash" tip NOR. Dezavantajul constă în interfața de intrare-ieșire care permite numai un acces secvențial la date. La un circuit "NAND Flash", producătorul NU garantează că toate locațiile de memorie sunt „bune” și au același număr garantat de cicluri de ștergere-programare
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
locațiilor defecte, cipul putând fi livrat, din considerente economice, cu locații defecte din fabrică! Mai mult chiar, este posibil ca unele celule de memorie să-și epuizeze posibilitățile de ștergere-programare mai devreme decât altele, pe parcursul utilizării circuitului. Funcționarea unui "NAND Flash" este similară altor dispozitive de intrare-ieșire, cum ar fi și discul dur pe care acesta dorește să-l înlocuiască. Datorită acestei interfețe indirecte un sistem de calcul nu poate executa codul memorat într-un "NAND Flash" decât prin intermediul unui controler
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
un "NOR Flash" și îl poate executa. Memoria NOR suportă acces aleatoriu pe un bait, ceea ce permite sistemului să ia datele și să le execute direct de pe cip în același fel cum un PC ia datele din memoria principală. "NOR flash" are o interfață SRAM ce conține suficienți pini de adresă pentru a mapa întregul cip, dând astfel acces către fiecare bait. Spre deosebire de alte circuite de memorie, pentru utilizatorul tehnologiei "flash" există și o componentă software, a cărei prezență este obligatorie
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
fel cum un PC ia datele din memoria principală. "NOR flash" are o interfață SRAM ce conține suficienți pini de adresă pentru a mapa întregul cip, dând astfel acces către fiecare bait. Spre deosebire de alte circuite de memorie, pentru utilizatorul tehnologiei "flash" există și o componentă software, a cărei prezență este obligatorie, mai ales în cazul circuitelor "NAND Flash". Există două nivele diferite pentru suportul software: un nivel de bază pentru operațiile de citire - ștergere - scriere și un nivel superior, pentru emularea
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
este obligatorie, mai ales în cazul circuitelor "NAND Flash". Există două nivele diferite pentru suportul software: un nivel de bază pentru operațiile de citire - ștergere - scriere și un nivel superior, pentru emularea unui disc dur și gestionarea algoritmilor specifici tehnologiei "flash" (mărirea duratei de viață, uniformizarea uzurii, optimizarea performanței etc.). Pentru a citi informație și eventual a executa cod dintr-o memorie "NOR Flash" nu este practic nevoie de niciun suport software. Pentru a executa însă cod dintr-o memorie NAND
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
NOR Flash". TrueFFS este disponibil, ca surse și/sau executabile, pentru toate sistemele de operare majore cum ar fi: VxWorks, Windows CE, Linux, QNX/Neutrino, Windows XP/XPE, Windows NT/NTE, DOS și multe altele. Deși la prima vedere memoriile "flash" par a înmagazina informația permanent, informațiile se pot totuși pierde dacă nu sunt folosite mult timp. Pentru memoriile "flash" durata de timp după care informația se poate pierde este de ordinul zecilor de ani. O limitare și mai importantă o
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
VxWorks, Windows CE, Linux, QNX/Neutrino, Windows XP/XPE, Windows NT/NTE, DOS și multe altele. Deși la prima vedere memoriile "flash" par a înmagazina informația permanent, informațiile se pot totuși pierde dacă nu sunt folosite mult timp. Pentru memoriile "flash" durata de timp după care informația se poate pierde este de ordinul zecilor de ani. O limitare și mai importantă o constituie însă faptul că memoria "flash" are un număr limitat de cicluri citire-scriere, din cauza acumulării de electroni la poarta
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
informațiile se pot totuși pierde dacă nu sunt folosite mult timp. Pentru memoriile "flash" durata de timp după care informația se poate pierde este de ordinul zecilor de ani. O limitare și mai importantă o constituie însă faptul că memoria "flash" are un număr limitat de cicluri citire-scriere, din cauza acumulării de electroni la poarta tranzistoarelor MOS, ceea ce, după citiri și scrieri repetate, reduce tensiunea de prag logic atât de mult, încât devine imposibil de detectat dacă respectivul bit este un „1
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
de prag logic atât de mult, încât devine imposibil de detectat dacă respectivul bit este un „1” sau un „0”. Fenomenul poate apărea după un număr de ordinul zecilor de mii până la ordinul milioanelor de operații de citire/scriere. Memoriile "flash" se utilizează în primul rând pentru memoriile propriu-zise ale diverselor echipamente electronice cum ar fi, în engleză: "USB flash drive, thumb drive, handy drive, memory stick, flash stick, jump drive, „Cap N' Go”" - care încă nu dispun de un termen
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
0”. Fenomenul poate apărea după un număr de ordinul zecilor de mii până la ordinul milioanelor de operații de citire/scriere. Memoriile "flash" se utilizează în primul rând pentru memoriile propriu-zise ale diverselor echipamente electronice cum ar fi, în engleză: "USB flash drive, thumb drive, handy drive, memory stick, flash stick, jump drive, „Cap N' Go”" - care încă nu dispun de un termen românesc consacrat. Exemple de aplicații ale "flash"-urilor:
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
ordinul zecilor de mii până la ordinul milioanelor de operații de citire/scriere. Memoriile "flash" se utilizează în primul rând pentru memoriile propriu-zise ale diverselor echipamente electronice cum ar fi, în engleză: "USB flash drive, thumb drive, handy drive, memory stick, flash stick, jump drive, „Cap N' Go”" - care încă nu dispun de un termen românesc consacrat. Exemple de aplicații ale "flash"-urilor:
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
memoriile propriu-zise ale diverselor echipamente electronice cum ar fi, în engleză: "USB flash drive, thumb drive, handy drive, memory stick, flash stick, jump drive, „Cap N' Go”" - care încă nu dispun de un termen românesc consacrat. Exemple de aplicații ale "flash"-urilor:
Memorie flash () [Corola-website/Science/312038_a_313367]
-
HTTP, formulare, CSS, și capabilități de bază ale JavaScript. Versiunea 2.50 adaugă Unicode (UTF-8) character encoding și Auto-Select ca opțiune în meniu, dar și abilitatea de a salva și auto-completa formulare. Versiunea 2.70 introduce posibilitatea de a rula Flash în browser. Acesta rulează Flash 6, cu cinci variante în urmă față de varianta de desktop, 11, făcând unele site-uri dificil de urmărit. Sunt trei moduri de randare: „Normal”, „Just-Fit„ și „Smart-Fit”. „Normal” va afișa pagina fără schimbări, „Just-Fit” va
PlayStation Portable () [Corola-website/Science/311872_a_313201]
-
, deseori abreviat că HTF este o serie de desene animate flash create de Mondo Mini Shows. De la debutul sau, a devenit un fenomen de pe internet. Deși personajele par a fi din desene pentru copii, sfârșitul fiecărui episod este sângeros, murind mai multe personaje în urma unor evenimente foarte violente, de aceea acest
Happy Tree Friends () [Corola-website/Science/311395_a_312724]