1,190 matches
-
suplinitor (1 Februarie 1974) la profesor plin (1 Martie 1992) la Catedra de Dispozitive, Circuite și Aparate Electronice la Facultatea de Electronică, Institutul Politehnic din București. Activitatea sa științifică a fost în principal orientată către următoarele domenii: Dispozitive Electronice, Fizica Semiconductorilor, Aparate și Circuite Electronice, Optoelectronică. În domeniul Dispozitivelor Electronice, Prof. Silard a proiectat și realizat la întreprinderile românești de profil (IPRS - Băneasa, Microelectronica) peste 20 de Dispozitive Electronice noi, în special Dispozitive de Putere. Pot fi menționate: Tiristoare cu Blocare
Andrei P. Silard () [Corola-website/Science/307152_a_308481]
-
diferite procese tehnologice: difuzie, implantare ionică. Principalele sale contribuții șiințifice originale sunt pe scurt: formularea unitară a teoriei străpungerii dispozitivelor semiconductoare de putere și verificarea sa experimentală, introducerea conceptului de interdigitare, clasificarea teoretică a particularităților câmpurilor electrice interne în joncțiuni semiconductoare VLSI, introducerea de soluții originale la proiectarea și realizarea celulelor solare de mare eficiență, elaborarea de noi metode pentru controlul răspunsului spectral al senzorilor optici, investigarea electrotermică a dispozitivelor și circuitelor integrate analogice de putere. Pentru activitatea sa științifică, Prof.
Andrei P. Silard () [Corola-website/Science/307152_a_308481]
-
noi metode pentru controlul răspunsului spectral al senzorilor optici, investigarea electrotermică a dispozitivelor și circuitelor integrate analogice de putere. Pentru activitatea sa științifică, Prof. Silard a primit Premiul "Traian Vuia" al Academiei Române (1981) "pentru contribuții la investigarea electrotermică a dispozitivelor semiconductoare de putere", iar în 1993 a fost ales Membru Corespondent al Academiei Române. În 1990 a fost ales Fellow IEEE (Membru—1975, Membru Senior—1982), "pentru contribuții la dezvoltarea dispozitivelor de putere și fotonice pe siliciu". Activitatea didactică a Prof. Silard
Andrei P. Silard () [Corola-website/Science/307152_a_308481]
-
siliciu". Activitatea didactică a Prof. Silard a fost strâns legată de cea științifică. Înafară de cursurile tradiționale pe care le-a predat (Aparate Electronice de Măsură și Control, Dispozitive și Circuite Electronice), Prof. Silard a introdus 3 noi discipline: "Dispozitive Semiconductoare de Putere", "Dispozitive Optoelectronice de Putere" (la Faculatea de Electronică) și "Dispozitive Optoelectronice și de Putere" (la Facultatea de Electrotehnică); aceste cursuri au fost bazate în mare măsură pe rezultatele sale originale. Între 1974—1992 Prof. Silard a condus un
Andrei P. Silard () [Corola-website/Science/307152_a_308481]
-
descrisă ca o undă. Din acest motiv, un electron poate fi văzut ca o undă, ca sunetul sau undele de pe suprafața apei. Această tehnică este similară cu difracția razelor X și difracția neutronilor. este cel mai adesea folosită în fizica semiconductorilor și în chimie pentru a studia structura cristalină a solidelor. Aceste experimente sunt de regulă efectuate într-un microscop electronic cu transmisie (MET), sau cu scanare (MES). În aceste instrumente, electronii sunt accelerați de un potențial electrostatic pentru a căpăta
Difracția electronilor () [Corola-website/Science/310989_a_312318]
-
Un (din , însemnând "diodă emițătoare de lumină") este o diodă semiconductoare ce emite lumină la polarizarea directă a joncțiunii p-n. Efectul este o formă de electroluminescență. Un este o sursă de lumină mică, de cele mai multe ori însoțită de un circuit electric ce permite modularea formei radiației luminoase. De cele mai multe ori
LED () [Corola-website/Science/312074_a_313403]
-
Pe lângă iluminare, LED-urile sunt folosite din ce în ce mai des într-o serie mare de dispozitive electronice. Electroluminescența a fost descoperită în anul 1907 de către H. J. Round, folosind un cristal de carbură de siliciu și un detector primitiv dintr-un metal semiconductor. Rusul Oleg Vladimirovich Losev a fost primul care a creat primul LED prin anii 1920. Cercetarea sa a făcut înconjurul lumii, însă nu s-a găsit nici o întrebuințare a acesteia timp de câteva decenii. În anul 1961, Bob Biar și
LED () [Corola-website/Science/312074_a_313403]
-
fost realizat de cercetătorul Shuji Nakamura în anul 1993 dintr-un aliaj de InGaN. Acesta a fost premiat în anul 2006 cu Milennium Technology Prize pentru invenția sa. In anul 2008, cel mai puternic LED comercializat aparținea firmei sud-coreene Seoul Semiconductor. Un singur LED din seria Z-Power P7 atinge performanța de 900 Lumen la 10 Watt, deci o eficiența de 90 lm/W, echivalând cu un bec obișnuit de 75W. La 12 mai 2010, firma Nexxus Lighting a prezentat cea mai
LED () [Corola-website/Science/312074_a_313403]
-
la proiectarea și construirea unui oscilator cuantic în domeniul optic. Un grup de teoriticieni și cercetători au început să studieze posibilitățile realizării unui oscilator cuantic prin intermediul semiconductoarelor. Popov a investigat condițiile de producere a stărilor cu o temperatură negativă în semiconductori și a sugerat utilizarea unui puls răspândit. În 1961, împreună cu O.N. Krokhin și Yu.M. Popov, Basov a propus trei metode diferite pentru a obtine temperaturi negative în semiconductori în prezența directă și indirectă a tranzițiilor (excitare optică, utilizarea
Nikolai Basov () [Corola-website/Science/311184_a_312513]
-
condițiile de producere a stărilor cu o temperatură negativă în semiconductori și a sugerat utilizarea unui puls răspândit. În 1961, împreună cu O.N. Krokhin și Yu.M. Popov, Basov a propus trei metode diferite pentru a obtine temperaturi negative în semiconductori în prezența directă și indirectă a tranzițiilor (excitare optică, utilizarea unui fascicul cu electroni rapizi). În 1964, laserii cu semiconductori și excitații electronice au fost realizați (împreună cu O.V. Bogdankevich și A.N. Devyatkov); și ceva mai tarziu, laserii cu
Nikolai Basov () [Corola-website/Science/311184_a_312513]
-
împreună cu O.N. Krokhin și Yu.M. Popov, Basov a propus trei metode diferite pentru a obtine temperaturi negative în semiconductori în prezența directă și indirectă a tranzițiilor (excitare optică, utilizarea unui fascicul cu electroni rapizi). În 1964, laserii cu semiconductori și excitații electronice au fost realizați (împreună cu O.V. Bogdankevich și A.N. Devyatkov); și ceva mai tarziu, laserii cu excitații optice au fost construiți (împreună cu A.Z. Grasiuk și V.A. Katulin). Pentru aceste realizări ale grupului de cercetători
Nikolai Basov () [Corola-website/Science/311184_a_312513]
-
sub microscop, care a tot fost necesară, în pofida încercărilor repetate de automatizare a fabricației. Totuși, în timp costul a scăzut de la circa 1 USD pe bit la circa 1 cent pe bit. Apariția la sfîrșitul anilor 1960 a memoriilor cu semiconductori de tip SRAM, respectiv a memoriilor DRAM, ca INTEL 1103, apărute în 1972 la un cost de 1 cent pe bit au diminuat drastic după 1974 aplicațiile pentru memoriile cu ferite. Forma toroidală a feritelor este preferată deoarece circuitul magnetic
Memorie cu ferite () [Corola-website/Science/336421_a_337750]
-
mai mare. Un corp sau material care nu permite în mod semnificativ trecerea sarcinilor electrice se numește izolator (de exemplu sticla, vidul, apa deionizată etc.). O valoare a conductivității electrice între cea a conductorilor și cea a izolatorilor o au semiconductorii. Adesea conductivitatea semiconductorilor poate fi ajustată în limite largi, atît permanent prin procesul de fabricație, de obicei prin dopare, cît și dinamic prin aplicarea unor cîmpuri electrice exterioare, prin variația temperaturii, prin iluminare, prin expunere la radiație ionizantă etc. Materialele
Conductivitate electrică () [Corola-website/Science/297155_a_298484]
-
corp sau material care nu permite în mod semnificativ trecerea sarcinilor electrice se numește izolator (de exemplu sticla, vidul, apa deionizată etc.). O valoare a conductivității electrice între cea a conductorilor și cea a izolatorilor o au semiconductorii. Adesea conductivitatea semiconductorilor poate fi ajustată în limite largi, atît permanent prin procesul de fabricație, de obicei prin dopare, cît și dinamic prin aplicarea unor cîmpuri electrice exterioare, prin variația temperaturii, prin iluminare, prin expunere la radiație ionizantă etc. Materialele electroizolante prezintă o
Conductivitate electrică () [Corola-website/Science/297155_a_298484]
-
Această clasificare cuprinde în fiecare grupă materiale de aceeași formă și stare finală, care necesită pentru utilizare același mod de prelucrare. Din punctul de vedere al proprietăților lor electrice, materialele semiconductoare se situează între materialele conductoare și materialele electroizolante. Materialele semiconductoare au o rezistivitate electrică ρ cuprinsă în intervalul (10÷10)[Ω cm]. Caracteristicile de bază ale materialelor semiconductoare sunt următoarele: Materialele semiconductoare se pot clasifica, la rândul lor, după mai multe criterii. Astfel după gradul de puritate distingem: După felul
Conductivitate electrică () [Corola-website/Science/297155_a_298484]
-
mod de prelucrare. Din punctul de vedere al proprietăților lor electrice, materialele semiconductoare se situează între materialele conductoare și materialele electroizolante. Materialele semiconductoare au o rezistivitate electrică ρ cuprinsă în intervalul (10÷10)[Ω cm]. Caracteristicile de bază ale materialelor semiconductoare sunt următoarele: Materialele semiconductoare se pot clasifica, la rândul lor, după mai multe criterii. Astfel după gradul de puritate distingem: După felul impurităților pe care le conțin, semiconductorii extrinseci pot fi: "donori", dacă impuritatea are valența mai mare decât cea
Conductivitate electrică () [Corola-website/Science/297155_a_298484]
-
cuprinsă în intervalul (10÷10)[Ω cm]. Caracteristicile de bază ale materialelor semiconductoare sunt următoarele: Materialele semiconductoare se pot clasifica, la rândul lor, după mai multe criterii. Astfel după gradul de puritate distingem: După felul impurităților pe care le conțin, semiconductorii extrinseci pot fi: "donori", dacă impuritatea are valența mai mare decât cea a semiconductorului; "acceptori", dacă impuritatea are valența mai mică decât cea a semiconductorului. Materialele conductoare au o rezistivitate care nu depășește 10÷10[Ω cm]. După natura conductibilității
Conductivitate electrică () [Corola-website/Science/297155_a_298484]
-
formate de obicei din aliaje și se utilizează pentru rezistențe electrice, elemente de încălzire electrică, instrumente de măsură etc. La majoritatea materialelor conductivitatea electrică depinde mult de temperatură. Astfel, în cazul celor mai multe metale, conductivitatea scade cu temperatura, iar în cazul semiconductorilor conductivitatea crește cu temperatura. Pe intervale de temperatură mici în general această dependență se poate aproxima printr-o relație liniară. La temperaturi foarte joase, apropiate de 0 K, unele materiale prezintă fenomenul cuantic de supraconducție, în care conductivitatea are valoare
Conductivitate electrică () [Corola-website/Science/297155_a_298484]
-
mandate Alianța 90/Ecologiști 6 mandate Independenți 5 mandate Economia orașului cuprinde circa 1000 de întreprinderi, din care 24 de mărime medie, având un număr de 2200 de angajați. Cele mai importante ramuri industriale sunt: construcțiile de mașini, producția de semiconductori, confecții metalice, mase și materiale plastice, materiale și componente magnetice pentru industria electronică, vopsele și încălțăminte. Gara din Donaueschingen este un nod regional de cale ferată; patru magistrale feroviare trec prin oraș. Magistrala electrificată Pădurea Neagră, care leagă Offenburg de
Donaueschingen () [Corola-website/Science/304685_a_306014]
-
(n. 11 iunie 1933 (22 mai) d. 2 aprilie 2014) doctor habilitat, profesor universitar, membru corespondent al Academiei de Științe a Moldovei, în trecut: șeful Catedrei Microelectronica și Dispozitive cu Semiconductori din cadrul Facultății de Calculatoare, Informatică și Microelectronică a Universității Tehnice a Moldovei. Domeniile cercetărilor științifice: Fizica și Tehnica Semiconductorilor și Dielectricilor; Dispozitive Semiconductoare; Microelectronica. A publicat peste 200 lucrări științifice, 5 monografii, peste 80 referate la Conferințe Științifice Internaționale și
Teodor Șișianu () [Corola-website/Science/311100_a_312429]
-
2014) doctor habilitat, profesor universitar, membru corespondent al Academiei de Științe a Moldovei, în trecut: șeful Catedrei Microelectronica și Dispozitive cu Semiconductori din cadrul Facultății de Calculatoare, Informatică și Microelectronică a Universității Tehnice a Moldovei. Domeniile cercetărilor științifice: Fizica și Tehnica Semiconductorilor și Dielectricilor; Dispozitive Semiconductoare; Microelectronica. A publicat peste 200 lucrări științifice, 5 monografii, peste 80 referate la Conferințe Științifice Internaționale și Naționale.
Teodor Șișianu () [Corola-website/Science/311100_a_312429]
-
universitar, membru corespondent al Academiei de Științe a Moldovei, în trecut: șeful Catedrei Microelectronica și Dispozitive cu Semiconductori din cadrul Facultății de Calculatoare, Informatică și Microelectronică a Universității Tehnice a Moldovei. Domeniile cercetărilor științifice: Fizica și Tehnica Semiconductorilor și Dielectricilor; Dispozitive Semiconductoare; Microelectronica. A publicat peste 200 lucrări științifice, 5 monografii, peste 80 referate la Conferințe Științifice Internaționale și Naționale.
Teodor Șișianu () [Corola-website/Science/311100_a_312429]
-
Seiko Corporation (Seikō Epuson Kabushiki-gaisha), sau , este un concern japonez mare producător de imprimante inkjet, imprimante matriceale, imprimante laser, POS-uri, case de marcat, scanere, videoproiectoare, ecrane LCD și OLED, cipuri și circuite integrate, dispozitive cu cuarț, semiconductori, roboți industriali și echipamente de precizie. Compania a fost cunoscută inițial că producător de ceasuri marka Seiko, astăzi portofoliul de produse și tehnologii fiind mult diversificat. Cu sediul central în prefectura Nagano, Japonia, Seiko Epson este un grup de 107
Epson () [Corola-website/Science/314676_a_316005]
-
pentru aluminiu (1975). Sub conducerea prof. P. G. Spacu au fost efectuate cercetări fundamentale și aplicative de importanta deosebita și au fost rezolvate o serie de probleme ale industriei chimice privind: valorificarea superioara a minereurilor indigene pentru obținerea unor produse semiconductoare; obținerea de materii prime indigene necesare la turnarea unor aliaje de aluminiu, magneziu și cupru; recuperarea platinei din catalizatori uzați. Astfel a obținut sase brevete de invenție, care se aplica și astăzi în industria chimica. Rezultatele cercetărilor sale au fost
Petru George Spacu () [Corola-website/Science/306375_a_307704]
-
O diodă tunel sau diodă Esaki este un tip de diodă semiconductoare capabilă de operare la viteze foarte mari, în domeniul microundelor (frecvențe de ordinul gigahertzilor), utilizând efecte cuantice. Numele de "diodă Esaki" vine de la Leo Esaki, care în 1973 a primit Premiul Nobel pentru Fizică pentru descoperirea tunelării electronilor, efect folosit
Diodă tunel () [Corola-website/Science/311221_a_312550]