952 matches
-
numele de arhitectura von Neumann sau „arhitectură cu program memorat“. Aceasta stă la baza aproape tuturor mașinilor de calcul actuale. Primul sistem construit pe arhitectura von Neumann a fost EDSAC. În anii 1960 lămpile (tuburile electronice) au fost înlocuite de tranzistori, mult mai eficienți, mai mici, mai ieftini și mai fiabili, ceea ce a dus la miniaturizarea și ieftinirea calculatoarelor. Din anii 1970, adoptarea circuitelor integrate a coborât și mai mult prețul și dimensiunea calculatoarelor, permițând printre altele și apariția calculatoarelor personale
Calculator () [Corola-website/Science/296716_a_298045]
-
ocupau mult spațiu și consumau cantități mari de curent. Deși erau incredibil de rapide față de releele electromecanice, aveau și ele totuși o viteză de operare relativ limitată. Astfel că începând din anii 1960 lămpile (tuburile electronice) au fost înlocuite cu tranzistori, dispozitive ce funcționau asemănător, însă erau mult mai mici, mai rapide, mai fiabile, mai puțin consumatoare de curent și mult mai ieftine. Din anii 1960-'70, tranzistorul a fost și el înlocuit cu circuitul integrat, care conținea mai mulți tranzistori
Calculator () [Corola-website/Science/296716_a_298045]
-
Astfel că începând din anii 1960 lămpile (tuburile electronice) au fost înlocuite cu tranzistori, dispozitive ce funcționau asemănător, însă erau mult mai mici, mai rapide, mai fiabile, mai puțin consumatoare de curent și mult mai ieftine. Din anii 1960-'70, tranzistorul a fost și el înlocuit cu circuitul integrat, care conținea mai mulți tranzistori, și firele de interconectare corespunzătoare, pe o singură plăcuță de siliciu (numită cip). Din anii '70, UAL-urile combinate cu unități de control (UC) au fost produse
Calculator () [Corola-website/Science/296716_a_298045]
-
tranzistori, dispozitive ce funcționau asemănător, însă erau mult mai mici, mai rapide, mai fiabile, mai puțin consumatoare de curent și mult mai ieftine. Din anii 1960-'70, tranzistorul a fost și el înlocuit cu circuitul integrat, care conținea mai mulți tranzistori, și firele de interconectare corespunzătoare, pe o singură plăcuță de siliciu (numită cip). Din anii '70, UAL-urile combinate cu unități de control (UC) au fost produse unitar ca circuite integrate, numite microprocesoare, sau "CPU " ("Central Processing Unit"/unitate de
Calculator () [Corola-website/Science/296716_a_298045]
-
pe o singură plăcuță de siliciu (numită cip). Din anii '70, UAL-urile combinate cu unități de control (UC) au fost produse unitar ca circuite integrate, numite microprocesoare, sau "CPU " ("Central Processing Unit"/unitate de procesare centrală). În timp, densitatea tranzistorilor din circuitele integrate a crescut incredibil, de la câteva zeci, în anii 70, până la peste 100 de milioane de tranzistoare pe circuit integrat, la procesoarele Intel și AMD din anul 2005. Lămpile electronice și tranzistorii pot fi folosite și pentru construirea
Calculator () [Corola-website/Science/296716_a_298045]
-
au fost produse unitar ca circuite integrate, numite microprocesoare, sau "CPU " ("Central Processing Unit"/unitate de procesare centrală). În timp, densitatea tranzistorilor din circuitele integrate a crescut incredibil, de la câteva zeci, în anii 70, până la peste 100 de milioane de tranzistoare pe circuit integrat, la procesoarele Intel și AMD din anul 2005. Lămpile electronice și tranzistorii pot fi folosite și pentru construirea de memorii - așa-numitele circuite flip-flop sau „basculante bistabile” (CBB), și chiar sunt folosite pentru mici circuite de memorie
Calculator () [Corola-website/Science/296716_a_298045]
-
de procesare centrală). În timp, densitatea tranzistorilor din circuitele integrate a crescut incredibil, de la câteva zeci, în anii 70, până la peste 100 de milioane de tranzistoare pe circuit integrat, la procesoarele Intel și AMD din anul 2005. Lămpile electronice și tranzistorii pot fi folosite și pentru construirea de memorii - așa-numitele circuite flip-flop sau „basculante bistabile” (CBB), și chiar sunt folosite pentru mici circuite de memorie de mare viteză, numite „cu acces direct”. Însă puține designuri de calculatoare au folosit bistabile
Calculator () [Corola-website/Science/296716_a_298045]
-
a cărui rezistivitate este cuprinsă între cea a conductoarelor și izolatoarelor. Un câmp electric poate schimba rezistivitatea semiconductorilor. Dispozitivele fabricate din materiale semiconductoare sunt baza electronicii moderne, fiind părți componente în radiouri, computere, telefoane și multe altele. Dispozitivele semiconductoare sunt: tranzistorul, celulele solare, mai multe tipuri de diode, inclusiv dioda luminiscenta și circuit integrat. fotovoltaice sunt dispozitive semiconductoare care transformă energia luminii în energie electrică. Într-un conductor metalic, curentul este reprezentat de fluxul de electroni. Într-un semiconductor curentul este
Semiconductor () [Corola-website/Science/317120_a_318449]
-
de tip p și de tip n; spațiul dintre aceste regiuni sunt responsabile de comportamentul electric. Unele proprietăți ale materialelor semiconductoare au fost observate de la jumatatea secolului XIX până la prima decadă a secolului XX. Dezvoltarea fizicii cuantice a permis dezvoltarea tranzistorilor în 1947. Deși unele elemente pure și multi compuși au proprietăți semiconductoare, siliciul, germaniul și compuși ai galiului sunt cele mai folosite în dispozitivele electrice. Elementele aproape de “scară metalelor” în sistemul periodic al elementelor sunt de obicei folosite în semiconductori
Semiconductor () [Corola-website/Science/317120_a_318449]
-
S-a anticipat că doar 40% din capabilitățile bateriilor să fie necesare pe durata de viață a navei. Calculatorul principal al "MRO" este un procesor RAD750 pe 32 de biți, cu o frecvență de 133 MHz, 10,4 milioane de tranzistoare. Acest procesor este o versiune rezistență la radiații a unor procesoare PowerPC 750 sau G3 cu o placă de bază special construită. RAD750 este un succesor al lui RAD6000. Acest procesor poate părea de mică putere prin comparație cu un
Mars Reconnaissance Orbiter () [Corola-website/Science/317128_a_318457]
-
minate de armatele germane în retragere. Fiind o operațiune de cercetare militară, acest detector a fost ținut secret câteva decenii, până când câteva firme au preluat ideea și au început fabricarea detectoarelor de metale până la modelele din prezent. <br/br>Introducerea tranzistorului, circuitului integrat, procesoarelor, a dat posibilitatea construirii de detectoare mai mici ca mărime și greutate, mai performante și mai usor de utilizat. În prezent se folosesc în diverse domenii cum ar fi: Din punct de vedere al principiului de funcționare
Detector de metale () [Corola-website/Science/319264_a_320593]
-
sănătății (medicamente etc.), al produselor alimentare și al furajelor, alternative promițătoare în industria chimică. Microelectronica este o ramură a electronicii care se ocupă cu miniaturizarea circuitelor și componentelor electronice. Nanoelectronica se referă la utilizarea nanotehnologiilor la componente electronice, în special tranzistori. Industria microelectronică și nanoelectronică include două subcategorii distincte. Primul segment al industriei este definit prin focalizarea pe micșorarea continuă a dimensiunilor fizice ale funcționalităților digitale (stocare de logică și memorie) pentru a îmbunătăți densitatea și performanța (viteză, putere) și a
Tehnologii generice () [Corola-website/Science/320163_a_321492]
-
dintre toate memoriile ROM reinscriptibile, până la 15 MB&s (70 ns/bit), permițând blocuri mari de celule de memorie pentru a fi scrise simultan. Întrucât acestea sunt scrise prin "forțarea" electronilor printr-un strat de izolare electrică pe o poartă tranzistor plutitoare, memoriile ROM reinscripționabile pot rezista doar un număr limitat de cicluri de scriere și ștergere înainte ca izolația să fie permanet deteriorată. În primele memorii EAROM aceasta putea să apară după mai puțint o mie de cicluri de scriere
Memorie ROM () [Corola-website/Science/321157_a_322486]
-
folosesc astfel de memorii program datorită dificultății de programare a lor. Pot fi folosite în schimb ca memorii program externe, legate printr-o magistrală externă la un microcontroller. Această memorie (erasable programmable read only memory = ștergibil și programabil ROM) folosește tranzistoare MOS ca element programabil. Aceste tranzistoare conțin câte o poartă flotantă ceea ce înseamnă că poarta nu este conectată. Programarea are loc prin injectarea de electroni în poarta flotantă folosind o tensiune mai mare decât cea obișnuită (uzual între 12V și
Memoria Program la Microcontrollere () [Corola-website/Science/321151_a_322480]
-
dificultății de programare a lor. Pot fi folosite în schimb ca memorii program externe, legate printr-o magistrală externă la un microcontroller. Această memorie (erasable programmable read only memory = ștergibil și programabil ROM) folosește tranzistoare MOS ca element programabil. Aceste tranzistoare conțin câte o poartă flotantă ceea ce înseamnă că poarta nu este conectată. Programarea are loc prin injectarea de electroni în poarta flotantă folosind o tensiune mai mare decât cea obișnuită (uzual între 12V și 25V). Ștergerea se produce prin scoaterea
Memoria Program la Microcontrollere () [Corola-website/Science/321151_a_322480]
-
EPROM(Erasable programmable read-only memory) este un tip de memorie chip care își reține datele atunci când este întreruptă alimentarea cu energie electrica.Cu alte cuvinte este o memorie non-volatila.O memorie EPROM reprezintă, prin construție, o serie de tablouri de tranzistoare (porți logice) programate individual de un dispozitiv electronic care furnizează tensiuni mai înalte decât cele normale folosite la circuite digitale. Odată programat, un EPROM poate fi șters doar prin expunerea lui la lumină ultravioleta puternică. EPROM-urile sunt ușor de
Circuite de memorie EPROM () [Corola-website/Science/321160_a_322489]
-
poate realiza și astfel nu mai pot fi reprogramate.Memoriile EPROM OTP sunt memorii programabile o singură datĂ, fiind însă mai ieftine decât omoloagele EPROM. Memoriile EPROM, OTPROM, EEPROM sunt fabricate în tehnologie NMOS și mai ales CMOS. Cele 4 tranzistoare MOȘ formează sarcinile active pentru tranzistoarele utilizate în nodurile matricii de memorare. S-a ales această variantă în locul unor rezistente de sarcină deoarece un tranzistor MOȘ ocupă un spațiu mai redus în aria de siliciu, iar consumul de putere este
Circuite de memorie EPROM () [Corola-website/Science/321160_a_322489]
-
pot fi reprogramate.Memoriile EPROM OTP sunt memorii programabile o singură datĂ, fiind însă mai ieftine decât omoloagele EPROM. Memoriile EPROM, OTPROM, EEPROM sunt fabricate în tehnologie NMOS și mai ales CMOS. Cele 4 tranzistoare MOȘ formează sarcinile active pentru tranzistoarele utilizate în nodurile matricii de memorare. S-a ales această variantă în locul unor rezistente de sarcină deoarece un tranzistor MOȘ ocupă un spațiu mai redus în aria de siliciu, iar consumul de putere este mai mic. Dacă tranzistoarele matricei de
Circuite de memorie EPROM () [Corola-website/Science/321160_a_322489]
-
Memoriile EPROM, OTPROM, EEPROM sunt fabricate în tehnologie NMOS și mai ales CMOS. Cele 4 tranzistoare MOȘ formează sarcinile active pentru tranzistoarele utilizate în nodurile matricii de memorare. S-a ales această variantă în locul unor rezistente de sarcină deoarece un tranzistor MOȘ ocupă un spațiu mai redus în aria de siliciu, iar consumul de putere este mai mic. Dacă tranzistoarele matricei de memorare ar fi tranzistoare MOȘ obișnuite, la activarea liniei de cuvânt Wi, toate ieșirile ar fi puse la masa
Circuite de memorie EPROM () [Corola-website/Science/321160_a_322489]
-
active pentru tranzistoarele utilizate în nodurile matricii de memorare. S-a ales această variantă în locul unor rezistente de sarcină deoarece un tranzistor MOȘ ocupă un spațiu mai redus în aria de siliciu, iar consumul de putere este mai mic. Dacă tranzistoarele matricei de memorare ar fi tranzistoare MOȘ obișnuite, la activarea liniei de cuvânt Wi, toate ieșirile ar fi puse la masa puse la masa (0000). Pentru a trece una din liniile de bit pe 1 ar fi necesar că tranzistorul
Circuite de memorie EPROM () [Corola-website/Science/321160_a_322489]
-
matricii de memorare. S-a ales această variantă în locul unor rezistente de sarcină deoarece un tranzistor MOȘ ocupă un spațiu mai redus în aria de siliciu, iar consumul de putere este mai mic. Dacă tranzistoarele matricei de memorare ar fi tranzistoare MOȘ obișnuite, la activarea liniei de cuvânt Wi, toate ieșirile ar fi puse la masa puse la masa (0000). Pentru a trece una din liniile de bit pe 1 ar fi necesar că tranzistorul din nodul ce corespunde liniei Wi
Circuite de memorie EPROM () [Corola-website/Science/321160_a_322489]
-
tranzistoarele matricei de memorare ar fi tranzistoare MOȘ obișnuite, la activarea liniei de cuvânt Wi, toate ieșirile ar fi puse la masa puse la masa (0000). Pentru a trece una din liniile de bit pe 1 ar fi necesar că tranzistorul din nodul ce corespunde liniei Wi să nu conducă atunci cand Wi = 1, iar programarea ar trebui realizată fără întreruperea legăturii fizice a grilei la linia de cuvânt. Pentru aceasta este necesara folosirea unui nou tip de tranzistor MOȘ, si anume
Circuite de memorie EPROM () [Corola-website/Science/321160_a_322489]
-
fi necesar că tranzistorul din nodul ce corespunde liniei Wi să nu conducă atunci cand Wi = 1, iar programarea ar trebui realizată fără întreruperea legăturii fizice a grilei la linia de cuvânt. Pentru aceasta este necesara folosirea unui nou tip de tranzistor MOȘ, si anume tranzistorul MOȘ cu grila flotanta, dezvoltare tehnologică care a permis realizarea memoriei EPROM. Caracteristică iD - Ugs a unui astfel de tranzistor MOȘ depinde de încărcarea cu sarcini negative a grilei flotante. Tranzistoarele din nodurile corespunzătoare unei linii
Circuite de memorie EPROM () [Corola-website/Science/321160_a_322489]
-
din nodul ce corespunde liniei Wi să nu conducă atunci cand Wi = 1, iar programarea ar trebui realizată fără întreruperea legăturii fizice a grilei la linia de cuvânt. Pentru aceasta este necesara folosirea unui nou tip de tranzistor MOȘ, si anume tranzistorul MOȘ cu grila flotanta, dezvoltare tehnologică care a permis realizarea memoriei EPROM. Caracteristică iD - Ugs a unui astfel de tranzistor MOȘ depinde de încărcarea cu sarcini negative a grilei flotante. Tranzistoarele din nodurile corespunzătoare unei linii de bit care trebuie
Circuite de memorie EPROM () [Corola-website/Science/321160_a_322489]
-
fizice a grilei la linia de cuvânt. Pentru aceasta este necesara folosirea unui nou tip de tranzistor MOȘ, si anume tranzistorul MOȘ cu grila flotanta, dezvoltare tehnologică care a permis realizarea memoriei EPROM. Caracteristică iD - Ugs a unui astfel de tranzistor MOȘ depinde de încărcarea cu sarcini negative a grilei flotante. Tranzistoarele din nodurile corespunzătoare unei linii de bit care trebuie să fie pe 1 trebuie să aibă poartă flotanta încărcată cu sarcina negativă q-. Programarea este făcută prin încărcarea grilei
Circuite de memorie EPROM () [Corola-website/Science/321160_a_322489]