1,489 matches
-
memorie DRAM este mai complicată decât a circuitului SRAM de aceeași capacitate. Figura 3.10 Arhitectura unui dispozitiv de memorie DRAM Citirea unei memorii DRAM se face conform figurii 3.11 Figura 3.11 Ciclu standard de citire a memoriei DRAM Operația de scriere în memoria DRAM este similară citirii, dar se activează liniaWE* la momentul activării liniei CAS* Capitolul 3 Memoria sistemelor embedded Construcția și tehnologia sistemelor embedded 77 Figura 3.12 Ciclu standard de scriere a memoriei DRAM O
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1090]
-
a circuitului SRAM de aceeași capacitate. Figura 3.10 Arhitectura unui dispozitiv de memorie DRAM Citirea unei memorii DRAM se face conform figurii 3.11 Figura 3.11 Ciclu standard de citire a memoriei DRAM Operația de scriere în memoria DRAM este similară citirii, dar se activează liniaWE* la momentul activării liniei CAS* Capitolul 3 Memoria sistemelor embedded Construcția și tehnologia sistemelor embedded 77 Figura 3.12 Ciclu standard de scriere a memoriei DRAM O operație mai complexă este citire-modificare scriere
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1090]
-
memoriei DRAM Operația de scriere în memoria DRAM este similară citirii, dar se activează liniaWE* la momentul activării liniei CAS* Capitolul 3 Memoria sistemelor embedded Construcția și tehnologia sistemelor embedded 77 Figura 3.12 Ciclu standard de scriere a memoriei DRAM O operație mai complexă este citire-modificare scriere : Figura 3.13 Ciclu standard de citire a memoriei DRAM Operația de citire-scriere mai rapide în memoria DRAM se pot face folosind modul pagină. Figura 3.14 Cicluri de citire și scriere a
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1090]
-
activării liniei CAS* Capitolul 3 Memoria sistemelor embedded Construcția și tehnologia sistemelor embedded 77 Figura 3.12 Ciclu standard de scriere a memoriei DRAM O operație mai complexă este citire-modificare scriere : Figura 3.13 Ciclu standard de citire a memoriei DRAM Operația de citire-scriere mai rapide în memoria DRAM se pot face folosind modul pagină. Figura 3.14 Cicluri de citire și scriere a memoriei DRAM în mod pagină SRAM (Static Random-Access Memoryă Celulele de memorie statică nu necesită reîmprospătarea conținutului
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1090]
-
Construcția și tehnologia sistemelor embedded 77 Figura 3.12 Ciclu standard de scriere a memoriei DRAM O operație mai complexă este citire-modificare scriere : Figura 3.13 Ciclu standard de citire a memoriei DRAM Operația de citire-scriere mai rapide în memoria DRAM se pot face folosind modul pagină. Figura 3.14 Cicluri de citire și scriere a memoriei DRAM în mod pagină SRAM (Static Random-Access Memoryă Celulele de memorie statică nu necesită reîmprospătarea conținutului pentru că informația este stocată într-un bistabil. Timpul
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1090]
-
operație mai complexă este citire-modificare scriere : Figura 3.13 Ciclu standard de citire a memoriei DRAM Operația de citire-scriere mai rapide în memoria DRAM se pot face folosind modul pagină. Figura 3.14 Cicluri de citire și scriere a memoriei DRAM în mod pagină SRAM (Static Random-Access Memoryă Celulele de memorie statică nu necesită reîmprospătarea conținutului pentru că informația este stocată într-un bistabil. Timpul de acces este redus, 10 ns, față de 60 ns pentru DRAM. Din nefericire, memoria SRAM este mai
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1090]
-
de citire și scriere a memoriei DRAM în mod pagină SRAM (Static Random-Access Memoryă Celulele de memorie statică nu necesită reîmprospătarea conținutului pentru că informația este stocată într-un bistabil. Timpul de acces este redus, 10 ns, față de 60 ns pentru DRAM. Din nefericire, memoria SRAM este mai puțin densă și mai scumpă decât memoria DRAM de capacitate similară. Memoria SRAM se utilizează în sistemele de calcul pentru implementarea memoriei cache. La microcontrolere, memoria RAM integrată este întotdeauna SRAM. Capitolul 3 Memoria
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1090]
-
Celulele de memorie statică nu necesită reîmprospătarea conținutului pentru că informația este stocată într-un bistabil. Timpul de acces este redus, 10 ns, față de 60 ns pentru DRAM. Din nefericire, memoria SRAM este mai puțin densă și mai scumpă decât memoria DRAM de capacitate similară. Memoria SRAM se utilizează în sistemele de calcul pentru implementarea memoriei cache. La microcontrolere, memoria RAM integrată este întotdeauna SRAM. Capitolul 3 Memoria sistemelor embedded Construcția și tehnologia sistemelor embedded 78 Figura 3.15 Celula elementară a
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1090]
-
memoriei SRAM Operațiunile de scriere și citire în/din memoria SRAM se fac foarte ușor. Semnalele de comandă sunt prezentate în figura 3.16: Figura 3.6 Operații de scriere și citire în/din memoria SRAM SDRAM (Synchronous DRAMĂ Memoria DRAM sincronă este o variantă a arhitecturii DRAM ce oferă viteză superioară. Aspectul cheie al arhitecturii este sincronizarea operațiilor cu semnalul de tact. Mecanismul de control al memoriei păstrează două seturi de adrese de memorie (două bancuri de memorieă cu care
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1090]
-
în/din memoria SRAM se fac foarte ușor. Semnalele de comandă sunt prezentate în figura 3.16: Figura 3.6 Operații de scriere și citire în/din memoria SRAM SDRAM (Synchronous DRAMĂ Memoria DRAM sincronă este o variantă a arhitecturii DRAM ce oferă viteză superioară. Aspectul cheie al arhitecturii este sincronizarea operațiilor cu semnalul de tact. Mecanismul de control al memoriei păstrează două seturi de adrese de memorie (două bancuri de memorieă cu care lucrează simultan și transferă datele din ele
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1090]
-
este sincronizarea operațiilor cu semnalul de tact. Mecanismul de control al memoriei păstrează două seturi de adrese de memorie (două bancuri de memorieă cu care lucrează simultan și transferă datele din ele în mod alternativ. O îmbunătățire a performanțelor memoriei DRAM s-a obținut cu ajutorul arhitecturii SDRAM Figura 3.17 Arhitectura memoriei SDRAM Citirea acestei memorii se face după cum urmează Capitolul 3 Memoria sistemelor embedded Construcția și tehnologia sistemelor embedded 79 Figura 3.18 Citirea memoriei SDRAM Pasul următor în evoluția
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1090]
-
a obținut cu ajutorul arhitecturii SDRAM Figura 3.17 Arhitectura memoriei SDRAM Citirea acestei memorii se face după cum urmează Capitolul 3 Memoria sistemelor embedded Construcția și tehnologia sistemelor embedded 79 Figura 3.18 Citirea memoriei SDRAM Pasul următor în evoluția memoriei DRAM a fost reprezentat de DDR SDRAM, a cărei arhitectură este prezentată în figura 3.19: Figura 3.19 Arhitectura memoriei DDR SDRAM Operațiunile de citire și scriere necesită semnale mai complexe: Figura 3.20 Citirea memoriei DDR SDRAM Similar e
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1090]
-
un microprocesor. DAC Digital to Analog Converter; Convertor digital-analog. DMA Direct Memory Access; Proprietatea calculatoarelor moderne de a permite unor subsisteme sa aibă acces direct către memorie, independent de CPU și la o viteză foarte mare de transfer al datelor. DRAM Dynamic Random-Access Memory. Memorie dinamică cu acces aleator. DSP Digital Signal Processor; Procesor de semnal digital. Anumite instrucțiuni des folosite în procesarea digitală de semnal (de genul MACĂ sunt accelerate hardware. EEPROM Electrically Erasable Programmable Read Only Memory; Memorie doar
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1090]
-
de ordinul zecilor sau sutelor de MHz. Memoria RAM este de obicei de tip static (SRAMĂ datorită mecanismului de acces simplificat (nu este necesar circuit de refresh și nici circuite logice de interfațăĂ și vitezei mai ridicate față de memoria dinamică DRAM. Capacitățile uzuale încep de la 1-2Mbytes și pot ajunge la 1 Gbytes sau chiar mai mult. Memoria Flash înlocuiește memoria ROM din sistemele clasice, oferind pe lângă caracterul non volatil și posibilitatea reprogramării în sistem, făcând astfel posibilă actualizarea sistemului de operare
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1069]
-
la nivel de procesor O altă abordare în creșterea performanțelor unui microprocesor este utilizarea mai multor nuclee procesor în aceeași capsulă, fiecare cu memoria sa cache de nivel 1 și 2 și cu memorie cache nivel 3 și memorie principală DRAM comune. Un exemplu de microprocesor cu structură multicore este Intel Core i7. Capitolul 2 Unitatea centrală de prelucrare a sistemelor embedded Construcția și tehnologia sistemelor embedded 40 Figura 2.16 Structura multicore a procesorului Intel i7 Un procesor similar, dar
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1069]
-
embedded Construcția și tehnologia sistemelor embedded 46 Figura 2.24 Calculator de generație mai veche Cele două figuri, 2.24 și 2.25, ilustrează tendințele actuale în creșterea performanțelor sistemelor de calcul tip desktop - interfețe tot mai rapide cu memoria DRAM, procesări grafice mutate din procesorul sistemului în procesorul grafic GPU și asigurarea unei linii de comunicație de mare viteză între aceste două procesoare prin magistrala PCI Express x16. Figura 2.25 Calculator de generație actuală Capitolul 2 Unitatea centrală de
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1069]
-
costuri cât mai reduse. 3.2. Tipuri de memorie Circuitele de memorie se utilizează în orice echipament care procesează semnale. Rolurile diferite ale memoriilor necesită o alegere atentă între tipurile de memorie disponibile, cum ar fi PROM, EPROM, EEPROM, Flash, DRAM, SRAM, SDRAM, sau MRAM. O scurtă caracterizare a fiecărui tip este prezentată în continuare. PROM (Programmable Read-Only Memoryă Această memorie este programabilă, dar datele pot fi scrise o singură dată și nu pot fi șterse. În consecință, datele scrise sunt
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1069]
-
embedded 75 dispozitivelor. Figura 3.7 Structura unui circuit de memorie flash AMD 29LV010 Diferența între versiunile de flash NAND și NOR este ilustrată în figura 3.8. Figura 3.8 Comparație între memoriile FLASH de tip NAND și NOR DRAM (Dynamic Random-Access Memoryă Aceste memorii cu acces aleator sunt volatile pentru că utilizează un condensator pentru stocarea bitului de informație, nivelul sarcinii acumulate codificând valoarea logică unu sau zero. Celula elementară de memorie este foarte simplă, un condensator și un comutator
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1069]
-
64ms în mod uzual. Simpla citire a datelor asigură, de asemenea, reîmprospătarea. Această activitate se realizează pentru rânduri individuale sau pentru zone mari de memorie cu ajutorul unor circuite relativ simple și cauzează interferențe minime cu accesarea normală a memoriei. Dispozitivele DRAM de diferite tipuri se utilizează la majoritatea memoriilor sistemelor de calcul pentru că sunt ieftine și de dimensiuni reduse. Un alt dezavantaj, pe lângă volatilitate, este timpul de acces destul de mare, uzual peste 60 ns. Unitatea elementară de stocare a memoriei RAM
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1069]
-
reduse. Un alt dezavantaj, pe lângă volatilitate, este timpul de acces destul de mare, uzual peste 60 ns. Unitatea elementară de stocare a memoriei RAM dinamice este formată dintr-un tranzistor și un condensator electrică. Figura 3.9 Celula elementară a memoriei DRAM Arhitectura unui dispozitiv de memorie DRAM este mai complicată decât a circuitului SRAM de aceeași capacitate. Figura 3.10 Arhitectura unui dispozitiv de memorie DRAM Citirea unei memorii DRAM se face conform figurii 3.11 Figura 3.11 Ciclu standard
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1069]
-
este timpul de acces destul de mare, uzual peste 60 ns. Unitatea elementară de stocare a memoriei RAM dinamice este formată dintr-un tranzistor și un condensator electrică. Figura 3.9 Celula elementară a memoriei DRAM Arhitectura unui dispozitiv de memorie DRAM este mai complicată decât a circuitului SRAM de aceeași capacitate. Figura 3.10 Arhitectura unui dispozitiv de memorie DRAM Citirea unei memorii DRAM se face conform figurii 3.11 Figura 3.11 Ciclu standard de citire a memoriei DRAM Operația
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1069]
-
formată dintr-un tranzistor și un condensator electrică. Figura 3.9 Celula elementară a memoriei DRAM Arhitectura unui dispozitiv de memorie DRAM este mai complicată decât a circuitului SRAM de aceeași capacitate. Figura 3.10 Arhitectura unui dispozitiv de memorie DRAM Citirea unei memorii DRAM se face conform figurii 3.11 Figura 3.11 Ciclu standard de citire a memoriei DRAM Operația de scriere în memoria DRAM este similară citirii, dar se activează liniaWE* la momentul activării liniei CAS* Capitolul 3
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1069]
-
și un condensator electrică. Figura 3.9 Celula elementară a memoriei DRAM Arhitectura unui dispozitiv de memorie DRAM este mai complicată decât a circuitului SRAM de aceeași capacitate. Figura 3.10 Arhitectura unui dispozitiv de memorie DRAM Citirea unei memorii DRAM se face conform figurii 3.11 Figura 3.11 Ciclu standard de citire a memoriei DRAM Operația de scriere în memoria DRAM este similară citirii, dar se activează liniaWE* la momentul activării liniei CAS* Capitolul 3 Memoria sistemelor embedded Construcția
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1069]
-
memorie DRAM este mai complicată decât a circuitului SRAM de aceeași capacitate. Figura 3.10 Arhitectura unui dispozitiv de memorie DRAM Citirea unei memorii DRAM se face conform figurii 3.11 Figura 3.11 Ciclu standard de citire a memoriei DRAM Operația de scriere în memoria DRAM este similară citirii, dar se activează liniaWE* la momentul activării liniei CAS* Capitolul 3 Memoria sistemelor embedded Construcția și tehnologia sistemelor embedded 77 Figura 3.12 Ciclu standard de scriere a memoriei DRAM O
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1069]
-
a circuitului SRAM de aceeași capacitate. Figura 3.10 Arhitectura unui dispozitiv de memorie DRAM Citirea unei memorii DRAM se face conform figurii 3.11 Figura 3.11 Ciclu standard de citire a memoriei DRAM Operația de scriere în memoria DRAM este similară citirii, dar se activează liniaWE* la momentul activării liniei CAS* Capitolul 3 Memoria sistemelor embedded Construcția și tehnologia sistemelor embedded 77 Figura 3.12 Ciclu standard de scriere a memoriei DRAM O operație mai complexă este citire-modificare scriere
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1069]