952 matches
-
folosirea unui nou tip de tranzistor MOȘ, si anume tranzistorul MOȘ cu grila flotanta, dezvoltare tehnologică care a permis realizarea memoriei EPROM. Caracteristică iD - Ugs a unui astfel de tranzistor MOȘ depinde de încărcarea cu sarcini negative a grilei flotante. Tranzistoarele din nodurile corespunzătoare unei linii de bit care trebuie să fie pe 1 trebuie să aibă poartă flotanta încărcată cu sarcina negativă q-. Programarea este făcută prin încărcarea grilei flotante cu ajutorul unui impuls de programare (10V-15V, tipic 12 V sau
Circuite de memorie EPROM () [Corola-website/Science/321160_a_322489]
-
trebuie să fie pe 1 trebuie să aibă poartă flotanta încărcată cu sarcina negativă q-. Programarea este făcută prin încărcarea grilei flotante cu ajutorul unui impuls de programare (10V-15V, tipic 12 V sau uneori 12,5 V) între drena și sursa tranzistorului, cu durata de câteva zeci de ms, după selectarea liniei de cuvânt Wi = UH . Ștergerea informațiilor se face iradiind matricea CD cu radiații UV (ultraviolete) un interval de timp de ordinul zecilor de minute. Deoarece aceasta ștergere nu se poate
Circuite de memorie EPROM () [Corola-website/Science/321160_a_322489]
-
un timp nedefinit, presupunând că dispozitivul este alimentat tot acest timp. Considerând cele descrise, dispozitivul este un dispozitiv static. Valoarea punctelor A și B poate fi inițializată utilizând circuitul reprezentat în figura: Dispozitiv static de memorare cu circuit de inițializare Tranzistoarele, numite și "tranzistoare de trecere", plasate pe partea dreaptă și pe partea stângă a circuitului de memorare, permit înscrierea unei stări în punctele A și B atunci când linia Read/Write este activă. Dacă linia Read/Write nu este activă, tranzistoarele
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
presupunând că dispozitivul este alimentat tot acest timp. Considerând cele descrise, dispozitivul este un dispozitiv static. Valoarea punctelor A și B poate fi inițializată utilizând circuitul reprezentat în figura: Dispozitiv static de memorare cu circuit de inițializare Tranzistoarele, numite și "tranzistoare de trecere", plasate pe partea dreaptă și pe partea stângă a circuitului de memorare, permit înscrierea unei stări în punctele A și B atunci când linia Read/Write este activă. Dacă linia Read/Write nu este activă, tranzistoarele de trecere nu
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
Tranzistoarele, numite și "tranzistoare de trecere", plasate pe partea dreaptă și pe partea stângă a circuitului de memorare, permit înscrierea unei stări în punctele A și B atunci când linia Read/Write este activă. Dacă linia Read/Write nu este activă, tranzistoarele de trecere nu conduc și liniile Data și Data' nu sunt conectate spre dispozitivul de memorare, ceea ce face informația plasată pe liniile de date să nu poată ajunge la punctele A și B. Pentru ca o operație de scriere să aibă
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
să nu poată ajunge la punctele A și B. Pentru ca o operație de scriere să aibă loc, se plasează valoarea dorită a fi înscrisă pe linia Data și complementul acesteia pe linia Data', după care se activează linia Read/Write. Tranzistoarele de trecere intră în conducție și valorile de pe liniile Data și Data' vor fi transferate către punctele A și B. O poartă NU poate fi construită cu două tranzistoare MOS, astfel o celulă RAM statică, ce este capabilă să memoreze
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
acesteia pe linia Data', după care se activează linia Read/Write. Tranzistoarele de trecere intră în conducție și valorile de pe liniile Data și Data' vor fi transferate către punctele A și B. O poartă NU poate fi construită cu două tranzistoare MOS, astfel o celulă RAM statică, ce este capabilă să memoreze un bit de informație, poate să fie construită cu 6 tranzistoare MOS. În figura următoare este ilustrat un model abstract al unei celule RAM statică, model ce ascunde detaliile
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
și Data' vor fi transferate către punctele A și B. O poartă NU poate fi construită cu două tranzistoare MOS, astfel o celulă RAM statică, ce este capabilă să memoreze un bit de informație, poate să fie construită cu 6 tranzistoare MOS. În figura următoare este ilustrat un model abstract al unei celule RAM statică, model ce ascunde detaliile constructive. Reprezentare abstractă a unei celule RAM statică Pentru a forma o memorie pentru un cuvânt, se plasează în același rând atâtea
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
mod scriere", iar atunci când nu este activă, dispozitivul este în "mod citire"; nu există linii diferite pentru a selecta modurile scriere, citire. O celulă SRAM are trei stări diferite în care se poate afla: Dacă linia cuvântului nu este folosită, tranzistorii de acces M și M deconectează celula de la liniile de biți. Cele două invertoare legate în stea, formate de M-M vor continua să se reîncarce reciproc cât timp sunt conectați la sursa de curent. Presupunem că în memorie este
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
reciproc cât timp sunt conectați la sursa de curent. Presupunem că în memorie este stocată valoarea 1 în dreptul Q. Ciclul de citire este inițiat preîncărcând ambele linii de biți cu 1 logic, apoi activând linia de cuvânt WL, activând ambii tranzistori de acces. Al doilea pas are loc atunci când valorile stocate in Q și Q sunt transferate la liniile de biți lăsând BL la valoarea preîncărcată și descărcând BL prin M și M la 0 logic. Pe partea BL, tranzistorii M
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
ambii tranzistori de acces. Al doilea pas are loc atunci când valorile stocate in Q și Q sunt transferate la liniile de biți lăsând BL la valoarea preîncărcată și descărcând BL prin M și M la 0 logic. Pe partea BL, tranzistorii M și M leagă linia de bit cu V, 1 logic. În cazul în care conținutul de memorie ar fi fost un 0 logic, ar fi avut loc contrariul și BL ar fi fost legat cu 1 logic, iar BL
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
inversând valorile liniilor de biți. WL este apoi activat și valoarea ce va fi scrisă este memorată. A se nota că motivul pentru care acest ciclu are loc, este faptul ca driverele liniilor de intrare sunt mult mai puternice decât tranzistorii relativ slabi din interiorul celulei. Astfel se suprascrie ușor starea precedentă a invertoarelor legate in stea. Pentru a se asigura funcționarea corectă a memoriilor SRAM, este necesară o dimensionare atentă a tranzistoarelor. Memoria SRAM este mai scumpă, dar mai rapidă
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
liniilor de intrare sunt mult mai puternice decât tranzistorii relativ slabi din interiorul celulei. Astfel se suprascrie ușor starea precedentă a invertoarelor legate in stea. Pentru a se asigura funcționarea corectă a memoriilor SRAM, este necesară o dimensionare atentă a tranzistoarelor. Memoria SRAM este mai scumpă, dar mai rapidă și cu un consum de curent mult redus față de memoria DRAM. Din aceaste cauze este folosită în aplicații ce necesită un consum mic de curent, o lățime de bandă mare sau ambele
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
condensatoarele se descarcă, informația se poate șterge în cazul în care prin semnalele de comandă nu se specifică reîncărcarea celulelor cu un anumit conținut. Această operație se numește „reîmprospătarea memoriei” (refreshing memory). Avantajul memoriei DRAM este simplitatea structurii: doar un tranzistor si un condensator sunt necesare pe bit, spre deosebire de memoria SRAM care are nevoie de șase tranzistoare. Acest lucru permite memoriei DRAM să atingă o densitate de stocare foarte înaltă. Spre deosebire de memoria flash, este o memorie volatilă, pentru că își pierde datele
Memorie DRAM () [Corola-website/Science/321163_a_322492]
-
se specifică reîncărcarea celulelor cu un anumit conținut. Această operație se numește „reîmprospătarea memoriei” (refreshing memory). Avantajul memoriei DRAM este simplitatea structurii: doar un tranzistor si un condensator sunt necesare pe bit, spre deosebire de memoria SRAM care are nevoie de șase tranzistoare. Acest lucru permite memoriei DRAM să atingă o densitate de stocare foarte înaltă. Spre deosebire de memoria flash, este o memorie volatilă, pentru că își pierde datele atunci când nu mai este alimentată. Tranzistoarele si condensatoarele folosite sunt extrem de mici astfel încat pe un
Memorie DRAM () [Corola-website/Science/321163_a_322492]
-
pe bit, spre deosebire de memoria SRAM care are nevoie de șase tranzistoare. Acest lucru permite memoriei DRAM să atingă o densitate de stocare foarte înaltă. Spre deosebire de memoria flash, este o memorie volatilă, pentru că își pierde datele atunci când nu mai este alimentată. Tranzistoarele si condensatoarele folosite sunt extrem de mici astfel încat pe un singur chip de memorie pot încăpea milioane. DRAM este aranjat in mod obișnuit într-o matrice pătratică dintr-un condensator și un tranzistor pe celulă. Poza din dreapta arată un simplu
Memorie DRAM () [Corola-website/Science/321163_a_322492]
-
pierde datele atunci când nu mai este alimentată. Tranzistoarele si condensatoarele folosite sunt extrem de mici astfel încat pe un singur chip de memorie pot încăpea milioane. DRAM este aranjat in mod obișnuit într-o matrice pătratică dintr-un condensator și un tranzistor pe celulă. Poza din dreapta arată un simplu exemplu cu 4×4 celule. (O martice DRAM modernă poate fi alcătuită din mii de celule în lățime/lungime.) Liniile lungi care conectează fiecare linie sunt cunoscute ca linii de cuvinte. Fiecare coloană
Memorie DRAM () [Corola-website/Science/321163_a_322492]
-
fost disponibile încă din anul 1969, valoarea celulelor de bit depinzând de arderea unui condensator aflat la intersecția liniilor conductoare. Texas Instruments a realizat circuitul folosind tehnologia "MOSFET" în 1979. În 1982 s-a trecut de la folosirea condensatoarelor la folosirea tranzistorilor. Cu toate aceste avansuri tehnologice, principiul de ardere propriu-zisă a circuitelor a ridicat o serie de probleme de scalare, programare, mărime și fabricație ce au condus la producția acestora în volume mici. Un circuit tipic PROM neprogramat are valoarea tuturor
PROM () [Corola-website/Science/321167_a_322496]
-
Apariția diodei, inventată în 1904 de către fizicianul englez John Ambrose Fleming (1849 - 1945), poate fi considerată începutul electronicii. În 1906, americanul Greenleaf Whittier Pickard (1877 - 1956) realizează primul detector cu cristal de siliciu, precursor al diodei semiconductoare de mai târziu. Tranzistorii au fost concepuți, pe la jumătatea secolului XX, la Laboratoarele Bell Telephone Company, de fizicienii americani Walter Houser Brattain (1902 - 1987), John Bardeen (1908 - 1991) și William Bradford Shockley (1910 - 1989). Utilizarea electricității în transportul feroviar a condus la dispariția locomotivelor
Istoria electricității () [Corola-website/Science/320539_a_321868]
-
având valori cuprinse între 1 și 3, în funcție de materialul utilizat. Materialele cu permitivitate dielectrică ridicată se folosesc ca și dielectrici pentru condensatoare, precum și în componentele electronice semiconductoare ca înlocuitor pentru dioxidul de siliciu (SiO2) folosit ca și izolator la poarta tranzistoarelor MOS, în special în aplicațiile cu consum redus. Dacă pelicula de oxid de sub poarta tranzistorului este sub 2 nm, curentul de pierderi este semnificativ. În această situație se impune creșterea grosimii stratului de dielectric, fără a reduce capacitatea. Permitivitatea dielectrică
Permitivitate relativă () [Corola-website/Science/321737_a_323066]
-
se folosesc ca și dielectrici pentru condensatoare, precum și în componentele electronice semiconductoare ca înlocuitor pentru dioxidul de siliciu (SiO2) folosit ca și izolator la poarta tranzistoarelor MOS, în special în aplicațiile cu consum redus. Dacă pelicula de oxid de sub poarta tranzistorului este sub 2 nm, curentul de pierderi este semnificativ. În această situație se impune creșterea grosimii stratului de dielectric, fără a reduce capacitatea. Permitivitatea dielectrică relativă depinde de temperatură, umiditate, de solicitările mecanice, de parametrii tensiunii aplicate, etc.
Permitivitate relativă () [Corola-website/Science/321737_a_323066]
-
partea mai puțin semnificativă de adrese sau date în timpul accesului la programul extern și la datele din memorie. Portul 0 este de asemenea cel care primește codul în timpul programării Flash și dă ca rezultat biții în urma programului de verificare. Închiderea tranzistorului este obligatorie pe perioada verificării programului. Port 1 (1-8): Portul 1 este de asemenea un port bidirecțional de intrare/ieșire având pull-up intern(trazistorul este automat închis). Buferele de ieșire ale portului 1 pot suporta 4 intrări TTL. Când portul
AT89S52 () [Corola-website/Science/320962_a_322291]
-
1-8): Portul 1 este de asemenea un port bidirecțional de intrare/ieșire având pull-up intern(trazistorul este automat închis). Buferele de ieșire ale portului 1 pot suporta 4 intrări TTL. Când portul 1 este înscris cu valoarea 1 logic, adică tranzistorul este închis, putem utiliza portul pentru citire, altfel, pentru cazul în care tranzistorul este deschis utilizăm portul pentru scriere. Portul 1 primește de asemenea partea mai puțin semnificativă a biților adresei în timpul programării și verificării Flash. În plus, pinii 0
AT89S52 () [Corola-website/Science/320962_a_322291]
-
pull-up intern(trazistorul este automat închis). Buferele de ieșire ale portului 1 pot suporta 4 intrări TTL. Când portul 1 este înscris cu valoarea 1 logic, adică tranzistorul este închis, putem utiliza portul pentru citire, altfel, pentru cazul în care tranzistorul este deschis utilizăm portul pentru scriere. Portul 1 primește de asemenea partea mai puțin semnificativă a biților adresei în timpul programării și verificării Flash. În plus, pinii 0 și 1 ai portului 1, pot fi configurați ca timer-e și counter-e, iar
AT89S52 () [Corola-website/Science/320962_a_322291]
-
pinii 5, 6, 7 sunt utilizați pentru Interfața de Programare. Port 2 (21-28): Portul 2 este, de asemenea, un port bidirecțional de intrare/iețire pe 8 biți cu pull-up intern. Având același mod de funcționare ca și portul 1, în raport cu tranzistorul existent. Portul 2 este cel care ne da biții cei mai semnificativi ai adresei in timpul extragerii din memoria externă și în timpul accesului la memoria externă de date care utilizează adrese de 16 biți. În acest mod de utilizare, Port
AT89S52 () [Corola-website/Science/320962_a_322291]