1,962 matches
-
blocat, indiferent cât de mare este impulsul negativ aplicat pe poartă. Utilizarea tiristoarelor GTO în locul celor convenționale conduce la simplificări notabile atât în circuitele de forță cât și în cele de comandă. 3.1.5. Tranzistorul bipolar de putere Tranzistorul bipolar este un dispozitiv semiconductor comandabil cu trei straturi pnp sau npn având trei terminale (colector-C, emitor-E, respectiv baza-B), Fig.3.8. În regim linear, curentul de colector IC este o funcție de curentul de bază IB. O variație liniară a curentului
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
de bază IB. O variație liniară a curentului de bază duce la o variație corespunzătoare amplificată a curentului de colector pentru o tensiune colectoremitor, UCE, dată. În Fig.3.9 este reprezentată o familie de caracteristici de ieșire ale tranzistorului bipolar npn care redau dependența curentului de colector de tensiunea colector-emitor, la curenți de bază constanți: IC=f(UCE)/IB=ct. Pentru o anumită tensiune colector emitor, la IB=0 tranzistorul este blocat și prin acesta circulă un curent de colector
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
aproximativ 10V. Datorită acestui fapt trebuie evitată funcționarea tranzistorului în invers, iar în circuitele în care există posibilitatea inversării polarității tensiunii de alimentare, se montează o diodă în serie cu circuitul de colector al tranzistorului. în aplicațiile de putere, tranzistorul bipolar funcționează, de obicei, în comutație (ca întrerupător). La curent de bază nul, tranzistorul este blocat și circuitul este considerat deschis, iar la curentul de bază care îl aduce în saturație el este practic ca un întrerupător închis, Fig.3.10a
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
tranzistorul care preia un curent mai mare decât celelalte tranzistoare legate în paralel cu el și care se încălzește mai mult să-și crească rezistența și astfel să forțeze o redistribuție a curentului pe celelalte tranzistoare. 3.1.7. Tranzistorul bipolar cu grilă izolată (IGBT) în domeniul dispozitivelor semiconductoare de putere având un terminal de comandă (bază, poartă sau grilă) pentru controlul integral (on/off) al proceselor de comutație tendința dominantă este micșorarea puterii de intrare (de comandă) necesară funcționării în
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
de comandă) necesară funcționării în diferite moduri de lucru simultan cu mărirea densității de curent comutate. Se cunoaște că dispozitivele unipolare (TEC-J, TEC MOS), care au o rezistență mare de intrare, necesită o putere extrem de redusă pentru comandă, în timp ce dispozitivele bipolare (tranzistorul bipolar, tiristorul GTO) au ca trăsătură distinctă densitatea relativ mare a curentului în conducție directă. îmbinarea acestor două caracteristici într-un singur dispozitiv s-a realizat prin integrarea funcțională bipolară-MOS. Principiul integrării funcționale Bi MOS care stă la baza
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
necesară funcționării în diferite moduri de lucru simultan cu mărirea densității de curent comutate. Se cunoaște că dispozitivele unipolare (TEC-J, TEC MOS), care au o rezistență mare de intrare, necesită o putere extrem de redusă pentru comandă, în timp ce dispozitivele bipolare (tranzistorul bipolar, tiristorul GTO) au ca trăsătură distinctă densitatea relativ mare a curentului în conducție directă. îmbinarea acestor două caracteristici într-un singur dispozitiv s-a realizat prin integrarea funcțională bipolară-MOS. Principiul integrării funcționale Bi MOS care stă la baza dispozitivelor cu
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
a curentului în conducție directă. îmbinarea acestor două caracteristici într-un singur dispozitiv s-a realizat prin integrarea funcțională bipolară-MOS. Principiul integrării funcționale Bi MOS care stă la baza dispozitivelor cu poartă izolată este ilustrat în Fig.3.12. Tranzistorul bipolar npn, respectiv MOS având canal n, conectate în configurație Darlington sunt realizate pe aceeași structură, Fig. 3.12a. O tensiune pozitivă de valoare suficient de mare aplicată pe grilă deschide tranzistorul MOS. Atunci când tensiunea grilă-sursă (VGS) a tranzistorului TEC-MOS este
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
realizate pe aceeași structură, Fig. 3.12a. O tensiune pozitivă de valoare suficient de mare aplicată pe grilă deschide tranzistorul MOS. Atunci când tensiunea grilă-sursă (VGS) a tranzistorului TEC-MOS este zero prin structura acestui dispozitiv nu trece curent, deci baza tranzistorului bipolar este în gol și în consecință structura Bi-MOS se află în starea off. Acest tip de integrare funcțională (Bi-MOS) a fost dezvoltat și în direcția structurii pnpn obținându-se un dispozitiv ce poartă denumirea de tranzistor bipolar cu poartă izolată
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
deci baza tranzistorului bipolar este în gol și în consecință structura Bi-MOS se află în starea off. Acest tip de integrare funcțională (Bi-MOS) a fost dezvoltat și în direcția structurii pnpn obținându-se un dispozitiv ce poartă denumirea de tranzistor bipolar cu poartă izolată (IGBT-Insulated Gate Bipolar Transistor), Fig. 3.12b. Avantajul esențial al dispozitivelor Bi-MOS, respectiv IGBT îl constituie puterea practic nulă consumată pe poartă în timpul funcționării și căderea de tensiune redusă în starea de conducție. 3.1.8. Tiristorul
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
gol și în consecință structura Bi-MOS se află în starea off. Acest tip de integrare funcțională (Bi-MOS) a fost dezvoltat și în direcția structurii pnpn obținându-se un dispozitiv ce poartă denumirea de tranzistor bipolar cu poartă izolată (IGBT-Insulated Gate Bipolar Transistor), Fig. 3.12b. Avantajul esențial al dispozitivelor Bi-MOS, respectiv IGBT îl constituie puterea practic nulă consumată pe poartă în timpul funcționării și căderea de tensiune redusă în starea de conducție. 3.1.8. Tiristorul controlat MOS-MCT Tiristorul controlat MOS-MCT (MOS
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
care a fost adăugat un tranzistor MOS ce are canal n pentru a asigura amorsarea și un tranzistor ce are canal p pentru a realiza blocarea. Analogia MCT cu un tiristor rămâne totuși limitată deoarece datorită integrării structurii MOS, respectiv bipolare pe același cip funcționarea lui este asemănătoare cu a unui IGBT. Densitatea de curent mare (100 A/cm2) permite MCT să funcționeze cu valori foarte ridicate ale raportului dintre puterea comutată și suprafața de siliciu. 3.2. Comparație între dispozitivele
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
a unui IGBT. Densitatea de curent mare (100 A/cm2) permite MCT să funcționeze cu valori foarte ridicate ale raportului dintre puterea comutată și suprafața de siliciu. 3.2. Comparație între dispozitivele semiconductoare de putere Dispozitivele semiconductoare de putere (tranzistoare bipolare, MOS, tiristoare) utilizate în aplicațiile electronice de putere funcționează în comutație, ca întrerupătore electronice. Aceste dispozitive, ideal, ar trebui să îndeplinească următoarele condiții: * Curentul și tensiunea nominală oricât de mari; * Curenți reziduali nuli; Timpi de comutație oricât de mici; * Pierderi
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
mari, cerință esențială pentru aceste aplicații. în cazul invertoarelor, toate dispozitivele descrise pot fi utilizate, frecvența de comutație fiind adesea criteriul de alegere. Tranzistorul MOS este singurul dispozitiv reținut dacă frecvența de comutație este superioară valorii de 100 kHz. Tranzistorul bipolar convine pentru gama de frecvență 20...100 kHz datorită prețului și pierderilor în conducție mai mici, deși pierderile în comutație sunt superioare celor ale tranzistorului MOS. În gama până la 15...20 kHz, tiristorul GTO este cel mai recomandat datorită robusteței
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
superioare celor ale tranzistorului MOS. În gama până la 15...20 kHz, tiristorul GTO este cel mai recomandat datorită robusteței, a pierderilor mici în conducție, a aptitudinii acestuia de a suporta suprasarcini și tensiuni directe și inverse de valori mari. Tranzistoarele (bipolare, TEC-MOS, IGBT) pot funcționa până la 200 0C în timp ce tiristoarele doar până la 125 0C. Pierderile și posibilitățile de răcire sunt adesea criterii importante de selecție. Comanda în tensiune specifică tranzistorului MOS, IGBT și tiristorului MCT față de comanda în curent specifică tranzistorului
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
TEC-MOS, IGBT) pot funcționa până la 200 0C în timp ce tiristoarele doar până la 125 0C. Pierderile și posibilitățile de răcire sunt adesea criterii importante de selecție. Comanda în tensiune specifică tranzistorului MOS, IGBT și tiristorului MCT față de comanda în curent specifică tranzistorului bipolar și tiristorului (clasic, GTO) este în anumite situații criteriu de selecție. Tiristorul este mult mai ușor de protejat împotriva defectelor, fapt care limitează folosirea tranzistoarelor în echipamentele ce funcționează în medii în care probabilitatea de apariție a defectelor este ridicată
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
de la 2.2V la 3V este însoțită de o creștere a capabilității de curent. Figura 4.12 Caracteristici de ieșire ale porturilor microcontrolerului MSP430G2553([34]Ă Extinderea capabilităților de curent se face prin conectarea de dispozitive externe, de genul tranzistoare bipolare sau MOS în diferite configurații, buffere inversoare sau neinversoare sau alte dispozitive electronice, după cum s-a prezentat la începutul acestui subcapitol. 4.3. Module timer În multe situații practice apare necesitatea generării unor impulsuri cu perioade și durate foarte precise
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1069]
-
de substrat. 4.1.3.2. Structura amfionică Aminoacizii sunt substanțe cu caracter amfoter conferit de prezența celor două funcțiuni chimice: funcțiunea carboxil cu caracter acid și funcțiunea amino cu caracter bazic. În soluție aminoacizii disociază formând amfiioni sau ioni bipolari: Punctele de topire ridicate ale aminoacizilor au confirmat existența amfiionilor și în stare cristalină, prin crearea unei rețele stabilizată prin forțele de atracție electrostatice între grupările cu sarcini opuse ale acestora, asemănătoarea rețelelor cristaline ale sărurilor. Din aceleași considerente aminoacizii
Biochimie by Lucia Carmen Trincă () [Corola-publishinghouse/Science/532_a_1322]
-
poate fi realizată o compensare de tip mixt organico-funcțională. Contactul dintre ‘’ eu-ri’’ se stabilește prin intermediul limbajului. Demutizarea constituie astfel elementul principal atât pentru stabilirea legăturii cu membrii societății, cât și pentru dezvoltarea psihică specific umană. Relațiliile intersistemice conduc la integrarea bipolară a deficientului de auz în societate. Comparativ cu gândirea auzitorului, cea a deficientului de auz are un conținut concret neevoluat, abstractizarea fiind mai puțin accesibilă. Unele forme ale deficienței de auz pot determina o întârziere intelectuală, ca o consecință a
Ad-Studium Nr.3 by Asociaţia Naţională a Profesorilor pentru Elevi cu Deficienţe de Auz VIRGIL FLOREA () [Corola-publishinghouse/Science/788_a_1651]
-
spre cele intrastatale, o atenție deosebită fiind acordată cauzelor violențelor între diverse etnii, condițiilor în care acestea pot fi oprite și posibilului rol al intervenției internaționale în vederea opririi războaielor interetnice. Astfel, deoarece conștiința culturală este în creștere după prăbușirea sistemului bipolar și conflicte ce implică clivaje și identități culturale sunt mai dificil de soluționat prin compromis, unii experți au lansat ipoteza potrivit căreia, în viitor, sursa primară a conflictelor va fi cultura, iar confruntarea va lua forma unei ciocniri a civilizațiilor
Perspective asupra cauzelor şi transformării războaielor. In: RELATII INTERNATIONALE by Daniel Biró, Stanislav Secrieru () [Corola-publishinghouse/Science/798_a_1528]
-
Această supoziție mai degrabă se axează pe convergența unor factori, cum ar fi caracterul pașnic al democrațiilor industriale și distructivitatea armelor nucleare, care fac un război major improbabil în lumea postmodernă. În perioada de după Războiul Rece, sub impactul dispariției competiției bipolare dintre cele două superputeri și al fenomenului complex de globalizare, contextul geopolitic a suferit mutații semnificative. Efectul cumulat al celor doi factori se pare că stă la originea a ceea ce s a numit noul val al belicozității la periferia sistemului
Perspective asupra cauzelor şi transformării războaielor. In: RELATII INTERNATIONALE by Daniel Biró, Stanislav Secrieru () [Corola-publishinghouse/Science/798_a_1528]
-
σ + NO2 NO2 complex 3. formarea produsului final Reacția de sulfonare se realizează fie cu H2SO4 concentrat fie cu oleum (H2SO4 + SO3) + HO -SO3H SO3H + H2O benzen acid benzensulfonic Caracteristici: Ionul de benzenoniu intermediar al reacției are structură de ion bipolar; Reacția are un caracter reversibil; Se lucrează cu H2SO4 concentrat sau oleum(H2SO4 + SO3) Mecanism 1.Formarea reactantului electrofil 2H2SO4 S 2. Formarea complexului σ (ion de benzenoniu) reacție endotermă (etapa lentă) Formarea produsului de substituție reacție exotermă (etapa rapidă
Chimie organică : suport pentru pregătirea examenelor de definitivat, gradul II, titularizare, suplinire by Elena Iuliana Mandiuc, Maricica Aştefănoaiei, Vasile Sorohan () [Corola-publishinghouse/Science/723_a_1371]
-
circumferențial tumora de creierul adiacent și secționând eventualele vase de drenaj, superficiale, în paralel cu decompresiunea internă a tumorii, manoperă care se poate realiza, în funcție de consistența tumorii, cu aspiratorul ultrasonic, iar în absența acestuia cu pense de tumoră, ansă electrică bipolară, aspirator sau pur și simplu cu foarfecele, se obține o reducere globală a volumului tumoral fapt ce va permite avansarea disecției spre profunzime. Vasele de pe capsula tumorală vor fi coagulate, această manoperă ducând la reducerea volumului tumoral. O atenție deosebită
Tratat de chirurgie vol. IV. Neurochirurgie by Ioan Ștefan Florian, Cristian Ionel Abrudan, Dana Mihaela Cernea, Aurel Oșlobanu, Silviu Albu () [Corola-publishinghouse/Science/92121_a_92616]
-
O leziune situată subcortical presupune o incizie corticală care se practică la nivelul unui șanț al emisferului cerebelos mai puțin vascularizat, sau în localizările supratentoriale, printrun coridor trans-sulcal. Nodulul tumoral este în mod obișnuit mai vascularizat, dar hemostaza cu coagularea bipolară și reducerea prin aspirație nu reprezintă de obicei o problemă deosebită (fig. 4.30). Localizarea astrocitomului la nivelul chiasmei optice și a diencefalului, pune o serie de probleme legate în principal de indicația operatorie care apare doar la cazurile la
Tratat de chirurgie vol. IV. Neurochirurgie by Ioan Ștefan Florian, Cristian Ionel Abrudan, Dana Mihaela Cernea, Aurel Oșlobanu, Silviu Albu () [Corola-publishinghouse/Science/92121_a_92616]
-
tubercul, diafragm selar, clinoidă, treime internă de aripă de sfenoid, alare); − Volet bifrontal (fig. 4.77) (meningioame gigante de șanț olfactiv), toate celelalte localizări tumorale pot fi complet rezecate pe un volet fronto temporal sau fronto-lateral;− Devascularizarea extradurală prin coagulare bipolară; − Rezecția exostozelor sau hiperostozelor; − Devascularizarea intradurală a bazei de implantare prin coagulare bipolară; − Identificarea și izolarea carotidei, nervilor optici, chiasmei; − Reducerea progresivă a volumului tumoral; − Coagularea și dividerea circumferențială a vaselor la nivelul pseudocapsulei; − Hemostaza definitivă; − Închidere cu plastie durală
Tratat de chirurgie vol. IV. Neurochirurgie by Ioan Ștefan Florian, Cristian Ionel Abrudan, Dana Mihaela Cernea, Aurel Oșlobanu, Silviu Albu () [Corola-publishinghouse/Science/92121_a_92616]
-
fig. 4.77) (meningioame gigante de șanț olfactiv), toate celelalte localizări tumorale pot fi complet rezecate pe un volet fronto temporal sau fronto-lateral;− Devascularizarea extradurală prin coagulare bipolară; − Rezecția exostozelor sau hiperostozelor; − Devascularizarea intradurală a bazei de implantare prin coagulare bipolară; − Identificarea și izolarea carotidei, nervilor optici, chiasmei; − Reducerea progresivă a volumului tumoral; − Coagularea și dividerea circumferențială a vaselor la nivelul pseudocapsulei; − Hemostaza definitivă; − Închidere cu plastie durală. Meningioamele de etaj mijlociu − Volet „half-and-half” sau fronto-orbito-zigomatic (meningioame sfeno-cavernoase); − Volet subtemporal; − Acces
Tratat de chirurgie vol. IV. Neurochirurgie by Ioan Ștefan Florian, Cristian Ionel Abrudan, Dana Mihaela Cernea, Aurel Oșlobanu, Silviu Albu () [Corola-publishinghouse/Science/92121_a_92616]