1,252 matches
-
având câțiva micrometri în diametru. "Circuitul integrat monolitic" (3) reprezintă o combinație de "elemente de circuit" pasive sau active sau ambele care: a. Sunt formate cu ajutorul proceselor de difuzie, de implementare sau de depunere în sau pe o singură bucată semiconductoare de material, așa-zisul "cip" b. Pot fi considerate ca fiind asociate indivizibil; și c. Îndeplinesc funcția/funcțiile unui circuit. N. B. "Elementul circuitului" este o singură parte funcțională activă sau pasivă a unui circuit electronic, ca de exemplu o diodă
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
de5 kW sau mai mult; b. Furnizorii de tensiune, cu o ieșire de tensiune specifică de 5 kW sau mai mult, special destinată pentru cuptoarele specificate la 2B226. a. Notă: 2B226. a. nu are în vedere cuptoarele destinate prelucrării plăcuțelor semiconductoare. 2B227 Atmosferă vidată sau altă atmosferă controlată pentru topirea metalurgică, pentru cuptoare de turnare și echipamentul referitor la acestea, cum ar fi: a. Arc de retopire și cuptoare de turnare având amândouă din următoarele caracteristici: 1. Capacitățile electronului consumabil între
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
întârziere de bază de mai puțin de 0,3 ns; sau c. O frecvență de operare peste 3 GHz; 11. Circuite integrate digitale altele decât cele din 3A001a.3. la 3A001a.10. și 3A001.a.12. bazate pe orice compus semiconductor și având una din următoarele: a. Un electrod poartă echivalent cu mai mult de 3000; b. O frecvență declanșatoare de peste 1,2GHz; 12. Procesoare FFT având una din următoarele: a. Cu un timp nominal de execuție pentru un punct complex
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
următoarele: 1. Echipamente capabile de producerea unui strat de grosime uniformă mai mică de ± 2,5 % peste o distanță de 75 mm sau mai mare; 2. Reactoare de depunere de vapori chimici organici metalici (MOCVD) special proiectate pentru mărirea cristalelor semiconductoare compuse de reacția chimică între materialele specificate în 3C003 sau 3C004; 3. Echipamente de creștere epitaxială a fluxului molecular folosind surse solide sau de gaz; continuare 3B001 b. Echipament cu "program intern controlat" destinat pentru implementarea ionilor, care are oricare
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
2. Este special proiectat și optimizat pentru a funcționa cu o energie dirijată (tensiune de accelerație) de maximum 2 KeV; 3. Capabilitate de scriere directă; sau 4. Este capabil să implanteze oxigenul de mare energie într-un "substrat" din material semiconductor încălzit; c. Echipament cu "program intern controlat"pentru gravarea uscată cu plasmă anizotropă, după cum urmează: 1. Echipament cu operare casetă-la-casetă și opritor-încărcare, și care are oricare din următoarele: a. Limitare magnetică; sau b. Rezonanță ciclotron de electroni (ECR); 2. Echipament
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
intern controlat" pentru manipularea cu placă centrală, cu mai multe celule pentru încărcare automată, care are tot ceea ce urmează: 1. Interfețe pentru intrare și ieșire la nivelul plăcii, la care sunt conectate cel puțin două piese ale echipamentului de procesare semiconductor; și 2. Proiectate pentru a forma un sistem integrat în mediu vidat pentru procesarea cu placă, multiplă secvențială; Notă: 3B001. e. nu reglementează sistemele de manipulare cu placă, automate și robotizate care nu sunt proiectate pentru a opera în mediu
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
minimă" de 0, 5 m sau mai puțin; Notă tehnică: Mărimea "caracteristică rezolvabilă minimă" se calculează cu următoarea formulă: unde factorul K = 0, 7 MRF = mărimea caracteristică rezolvabilă minimă 2. Echipament destinat în special pentru execuția măștilor sau pentru dispozitivele semiconductoare, care procesează cu ajutorul unui fascicul de electroni focalizat și refractat, fascicul de ioni sau fascicul "laser", care are oricare din următoarele: a. O mărime a spotului mai mică de 0, 2 m; b. Capabilitate de a realiza un model cu
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
din tabelul periodic al lui Mendeleev (arseniură de galiu, arseniură de galiu-aluminiu, fosfură de indiu). 3C002 Materiale pentru straturi de protecție, după cum urmează, și "substraturi" acoperite cu straturi de protecție controlate: a. Straturi de protecție pozitive destinate pentru litografiere cu semiconductori special ajustați (optimizați) pentru utilizare la lungimi de undă mai mici de 350 nm; b. Toate straturile de protecție destinate pentru utilizare cu fascicule de electroni sau cu fascicule de ioni, cu o sensibilitate de 0, 01 coulomb/mm2 sau
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
producerea" echipamentului specificat de la 3A001. b. până la 3A002. g. sau 3B. 3D002 "Software" destinat în special pentru "utilizare" la echipamentul cu "program intern controlat" specificat la 3B. 3D003 "Software" pentru proiectare asistată de calculator (CAD) destinată dispozitivelor sau circuitelor integrate semiconductoare, care are oricare din următoarele: a. Reguli de proiectare sau reguli de verificare a circuitelor; b. Simulare a circuitelor trasate fizic; sau c. ‚Simulatori de procesare litografică" pentru proiectare; Notă tehnică: Un simulator de procesare litografică" este un pachet "software
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
proiectare; Notă tehnică: Un simulator de procesare litografică" este un pachet "software" utilizat în faza de proiectare pentru a defini succesiunea pașilor de litografiere, gravare și depunere pentru translația modelelor măștilor în modele topografice specifice, la conductori dielectrici sau material semiconductor. Nota 1: 3D003 nu reglementează "software"-ul destinat în special pentru intrarea schematică, simularea și aranjarea logică, traseul logic, verificarea proiectului sau banda de generare a modelului. Nota 2: Bibliotecile de date, atributele proiectului sau datele asociate pentru proiectarea dispozitivelor
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
și componentele sau accesoriile proiectate special de aceea, proiectate special pentru "dezvoltarea", "producerea" sau folosirea echipamentului, funcțiilor sau trăsăturilor specificate în 5A001, 5B001, 5D001 sau 5E001. Notă: 5B001. a. nu controlează echipamentul de caracterizare al fibrei optice nefolosind "laseri" cu semiconductori. b. Echipamentul și componentele sau accesoriile special proiectate de aceea, special proiectate pentru "dezvoltarea" oricărui dintre următoarele echipamente de comutație a transmisiei telecomunicațiilor sau a "programelor stocate controlate": 1. Echipament ce folosește tehnici digitale, incluzând "Modul de Transfer Asincron" ("ATM
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
15 microni sau mai puțin; și 3. Fotocatozi, după cum urmează: a. S-20, S-25 sau fotocatozi multialcalini cu o senzitivitate luminoasă ce depășește 240 microA/lm; b. GaAs sau GaInAs fotocatozi; sau c. Alte componente III-V ale fotocatozilor semiconductori; Notă: 6A002. a. 2. a. 3. c. nu controlează componenta fotocatozilor semiconductori cu o senzitivitate maximă radiantă de 10mA/W sau mai puțin. b. Componente special proiectate, cupă cum urmează: 1. Armură microcanal având o gaură (centru la centru spațiu
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
20, S-25 sau fotocatozi multialcalini cu o senzitivitate luminoasă ce depășește 240 microA/lm; b. GaAs sau GaInAs fotocatozi; sau c. Alte componente III-V ale fotocatozilor semiconductori; Notă: 6A002. a. 2. a. 3. c. nu controlează componenta fotocatozilor semiconductori cu o senzitivitate maximă radiantă de 10mA/W sau mai puțin. b. Componente special proiectate, cupă cum urmează: 1. Armură microcanal având o gaură (centru la centru spațiu) de 15 microm sau mai puțin; 2. GaAs sau GaInAs fotocatozi; 3
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
10mA/W sau mai puțin. b. Componente special proiectate, cupă cum urmează: 1. Armură microcanal având o gaură (centru la centru spațiu) de 15 microm sau mai puțin; 2. GaAs sau GaInAs fotocatozi; 3. Alte componente III-V ale fotocatozilor semiconductori; Notă: 6A002. a. 2. b. 3. nu controlează componenta fotocatozilor semiconductori cu o senzitivitate maximă radiantă de 10mA/W sau mai puțin. 3. "Radare focale plane" ne"caliuficate în sapțiu", după cum urmează: Note tehnice: Radare detectoare multielement liniare sau în
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
urmează: 1. Armură microcanal având o gaură (centru la centru spațiu) de 15 microm sau mai puțin; 2. GaAs sau GaInAs fotocatozi; 3. Alte componente III-V ale fotocatozilor semiconductori; Notă: 6A002. a. 2. b. 3. nu controlează componenta fotocatozilor semiconductori cu o senzitivitate maximă radiantă de 10mA/W sau mai puțin. 3. "Radare focale plane" ne"caliuficate în sapțiu", după cum urmează: Note tehnice: Radare detectoare multielement liniare sau în două dimensiuni sunt referite ca "radare focale plane". Nota 1: 6A002
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
1. O ușurare de mai puțin de 20 % a ''densității echivalente'' comparată cu piesă brută de aceeași apertură și grosime; 2. Substraturi neprelucrate și prelucrate având învelișuri protectoare superficiale (cu un singur strat sau mai multe, metalic sau dielectric, conductor, semiconductor sau izolator) sau având filme protectoare; 3. Segmente sau ansambluri de oglinzi proiectate pentru a fi asamblate în spațiu într-un sistem optic cu o apertură colectoare echivalentă sau mai largă decât 1 m în diametru; 4. Produse din materiale
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
sau 2. Putere de ieșire medie sau CW care depășește 0 W; d. Un domeniu al lungimii de undă de ieșire care depășește 1,400 nm și o putere medie de ieșire sau CW care depășește 1 W. b. ''Laseri'' semiconductori având un domeniu al lungimii de undă mai mic de 950 nm dar mai mare de 2,000 nm. ca următorii: 1. ''Laseri'' semiconductori cu mod singur transversal individual având o putere medie de ieșire sau CW care depășește 100
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
400 nm și o putere medie de ieșire sau CW care depășește 1 W. b. ''Laseri'' semiconductori având un domeniu al lungimii de undă mai mic de 950 nm dar mai mare de 2,000 nm. ca următorii: 1. ''Laseri'' semiconductori cu mod singur transversal individual având o putere medie de ieșire sau CW care depășește 100 mW; 2. ''Laseri'' semiconductori cu mod multiplu-transversal individual și rețele de laseri semiconductori individuali, având oricare din următoarele: a. O energie de ieșire care
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
al lungimii de undă mai mic de 950 nm dar mai mare de 2,000 nm. ca următorii: 1. ''Laseri'' semiconductori cu mod singur transversal individual având o putere medie de ieșire sau CW care depășește 100 mW; 2. ''Laseri'' semiconductori cu mod multiplu-transversal individual și rețele de laseri semiconductori individuali, având oricare din următoarele: a. O energie de ieșire care depășește 500 μJ pe impuls și o ''putere de vârf'' pulsatorie care depășește 10 W; sau b. O putere medie
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
dar mai mare de 2,000 nm. ca următorii: 1. ''Laseri'' semiconductori cu mod singur transversal individual având o putere medie de ieșire sau CW care depășește 100 mW; 2. ''Laseri'' semiconductori cu mod multiplu-transversal individual și rețele de laseri semiconductori individuali, având oricare din următoarele: a. O energie de ieșire care depășește 500 μJ pe impuls și o ''putere de vârf'' pulsatorie care depășește 10 W; sau b. O putere medie d eieșire sau CW care depășește 10 W. Notă
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
oricare din următoarele: a. O energie de ieșire care depășește 500 μJ pe impuls și o ''putere de vârf'' pulsatorie care depășește 10 W; sau b. O putere medie d eieșire sau CW care depășește 10 W. Notă tehnică: ''Laseri'' semiconductori sunt numiți diode ''laseri''. Nota 1: 6A005.b. include ''laseri'' semiconductori având conectori optici de ieșire. Nota 2: Poziția de control a ''laserilor'' semiconductori special proiectați pentru alte echipamente este determinată de poziția de control a altor echipamente. c. ''Laseri
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
μJ pe impuls și o ''putere de vârf'' pulsatorie care depășește 10 W; sau b. O putere medie d eieșire sau CW care depășește 10 W. Notă tehnică: ''Laseri'' semiconductori sunt numiți diode ''laseri''. Nota 1: 6A005.b. include ''laseri'' semiconductori având conectori optici de ieșire. Nota 2: Poziția de control a ''laserilor'' semiconductori special proiectați pentru alte echipamente este determinată de poziția de control a altor echipamente. c. ''Laseri'' în stare solidă, ca următorii: 1. ''Laseri'' ''acordabili'' având oricare din
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
sau b. O putere medie d eieșire sau CW care depășește 10 W. Notă tehnică: ''Laseri'' semiconductori sunt numiți diode ''laseri''. Nota 1: 6A005.b. include ''laseri'' semiconductori având conectori optici de ieșire. Nota 2: Poziția de control a ''laserilor'' semiconductori special proiectați pentru alte echipamente este determinată de poziția de control a altor echipamente. c. ''Laseri'' în stare solidă, ca următorii: 1. ''Laseri'' ''acordabili'' având oricare din următoarele: Notă: 6A005,c,1, include titan-safir (Ti: Al2O3), tuliu - YAG (Tm: YAG
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
din materiale de la nr. 7001 7006 Sticlă de la nr. 7003, 7004 sau 7005, curbată, bizotată, gravată, perforată, emailată sau altfel prelucrată, dar neînrămată și necombinată cu alte materiale: - plăci din sticlă (substraturi) acoperite cu un film subțire de metalic dielectric, semiconductoare în conformitate cu standardele SEMII 11 Fabricare din plăci din sticla neacoperite (substraturi) de la nr. 7006 - altele Fabricare din materiale de la nr. 7001 7007 Geam securit, constând din sticlă călită sau stratificată Fabricare din materiale de la nr. 7001 7008 Geamuri izolante cu
jrc6107as2003 by Guvernul României () [Corola-website/Law/91279_a_92066]
-
depășească 40 % din prețul franco fabrică al produsului, și - în limita indicată mai sus, valoarea tuturor materialelor de la nr. 8538 utilizate nu trebuie să depășească 10 % din prețul franco fabrică al produsului ex 8541 Diode, tranzistori și dispozitive similare cu semiconductori, cu excepția discurilor (wafers) nedecupate încă în microplachete Fabricare: Fabricare în care valoarea tuturor materialelor utilizate nu trebuie să depășească 25 % din prețul franco fabrică al produsului - din materiale de la orice poziție, cu excepția materialelor de la aceeași poziție cu produsul, și - în
jrc6107as2003 by Guvernul României () [Corola-website/Law/91279_a_92066]