1,190 matches
-
întârziere de câteva zile ar putea duce la eșecul unui atac-surpriză. Pentru a accelera procesul, filmul poate fi înlocuit de un dispozitiv cu semiconductori fotosensibili cunoscut sub numele circuit cu cuplaj de sarcină (CCD). Odată ce lumina atinge unul dintre acești semiconductori, se produce un semnal electric proporțional cu intensitatea luminii. Măsurând magnitudinea acestor semnale asupra unor elemente individuale ale CCD și notând cu exactitate unde anume în grilă se află un anumit element, un procesor poate reconstitui din aceste informații o
[Corola-publishinghouse/Science/2146_a_3471]
-
pentru dezvoltarea telemecanicii. Devenind posibilă conducerea de la distanță a diferitelor instalații cu ajutorul undelor radio, au fost puse bazele radiotelemecanicii. • Secolul al XX-lea O dezvoltare din ce în ce mai rapidă a dispozitivelor automate și telemecanice. Perfecționarea tuburilor electronice și a celulelor fotoelectrice, folosirea semiconductorilor și a izotopilor radioactivi au făcut posibil un progres uriaș în domeniul automatizării și telemecanizării. • 1920 (1921) Este introdusă denumirea de robot de către scriitorul ceh Karel Capek, în piesa numită "Robotul universal al lui Kossum", plecând de la cuvântul rus “robota
AUTOMATIZAREA şi ROBOTIZAREA PROCESELOR TEHNOLOGICE by VASILE V. MERTICARU () [Corola-publishinghouse/Science/347_a_619]
-
în urma respirației este sau nu folosită, în totalitate, de către celulele de drojdie. 1. Materiale Materialele folosite pentru desfășurarea acestui experiment sunt următoarele: unitate Cobra 3 Basic sursă de tensiune de 12 V cablu de date soft Cobra 3 - Temperatură senzor semiconductor pentru temperatură (20 - 110˚ C) termometru cu mercur sticlărie: pahar Berzelius de volum 1000 mL două termosuri de 0,5 L dopuri de cauciuc drojdie zahăr sub formă de cristale. 2. Setarea parametrilor experimentali (utilizând unitatea Chem) Se va deschide
BIOFIZICA ȘI BIOENERGETICA SISTEMELOR VII by Claudia Gabriela Chilom () [Corola-publishinghouse/Science/1580_a_2899]
-
interne a crescut prin utilizarea unor matrice în care inelele de ferită au fost înlocuite de straturi magnetice subțiri. Această tendință s-a modificat din nou în anii ‘70, când progresele în miniaturizarea componentelor active au impus memoriile interne cu semiconductori în tehnologie bipolară sau MOS. În sfârșit, memoriile externe își păstrează configurația clasică, dar apariția capetelor magnetice integrate și a mediilor metalice subțiri a dus la creșterea spectaculoasă a performanțelor de înregistrare. În momentul de față, se constată o efervescență
Fenomene de înregistrare magnetică by GabrielaRodica Burlacu () [Corola-publishinghouse/Science/1160_a_1948]
-
ușoare și rezistente pentru rola de cabestan. Controlul vitezei se face cu un traductor digital fotoelectric. Servosistemele de rolă asigură antrenarea fără șocuri a suportului informației, în condițiile unor accelerări și frânări puternice datorate cabestanului. Dezvoltarea rapidă a memoriilor cu semiconductori și a microprocesoarelor a dus la scăderea costului și la reducerea gabaritului unității centrale. A trebuit ca memoriile magnetice externe să țină pasul cu această evoluție; așa au apărut unitățile de disc flexibil, de cartuș și de casetă magnetică, destinate
Fenomene de înregistrare magnetică by GabrielaRodica Burlacu () [Corola-publishinghouse/Science/1160_a_1948]
-
al materialelor magnetice. Procese de magnetizare în materialele cu structură de particule. Modelarea proceselor de magnetizare. Materiale magnetice nanostructurate. Structuri multistrat, preparare, proprietăți funcționale, aplicații. Materiale magnetice funcțional nanostructurate pentru aplicații avansate. Magnetism molecular. -Cercetări privind fenomenele de transport în semiconductori. Studiul fenomenelor de transport și a proprietăților optice și fotoelectrice ale unor compuși semiconductori în structuri cu dimensionalitate redusă. Studiul mecanismelor de transport electronic în semiconductori organici cu conductivitate electrică ridicată. Aplicații în tehnologia dispozitivelor cu corp solid. -Materiale dielectrice
O privire asupra învăţământului de fizică la Universitatea "Alexandru Ioan Cuza" din Iaşi : file de istorie şi tendinţe de viitor by Mihai TOMA () [Corola-publishinghouse/Memoirs/100991_a_102283]
-
de magnetizare. Materiale magnetice nanostructurate. Structuri multistrat, preparare, proprietăți funcționale, aplicații. Materiale magnetice funcțional nanostructurate pentru aplicații avansate. Magnetism molecular. -Cercetări privind fenomenele de transport în semiconductori. Studiul fenomenelor de transport și a proprietăților optice și fotoelectrice ale unor compuși semiconductori în structuri cu dimensionalitate redusă. Studiul mecanismelor de transport electronic în semiconductori organici cu conductivitate electrică ridicată. Aplicații în tehnologia dispozitivelor cu corp solid. -Materiale dielectrice. Procese de polarizare în materiale dielectrice. Modelarea proceselor de polarizare în dielectrici și feroelectrici
O privire asupra învăţământului de fizică la Universitatea "Alexandru Ioan Cuza" din Iaşi : file de istorie şi tendinţe de viitor by Mihai TOMA () [Corola-publishinghouse/Memoirs/100991_a_102283]
-
magnetice funcțional nanostructurate pentru aplicații avansate. Magnetism molecular. -Cercetări privind fenomenele de transport în semiconductori. Studiul fenomenelor de transport și a proprietăților optice și fotoelectrice ale unor compuși semiconductori în structuri cu dimensionalitate redusă. Studiul mecanismelor de transport electronic în semiconductori organici cu conductivitate electrică ridicată. Aplicații în tehnologia dispozitivelor cu corp solid. -Materiale dielectrice. Procese de polarizare în materiale dielectrice. Modelarea proceselor de polarizare în dielectrici și feroelectrici. Studiul proprietăților unor materiale dielectrice la frecvențe înalte. -Cercetări privind interacțiunea radiațiilor
O privire asupra învăţământului de fizică la Universitatea "Alexandru Ioan Cuza" din Iaşi : file de istorie şi tendinţe de viitor by Mihai TOMA () [Corola-publishinghouse/Memoirs/100991_a_102283]
-
Ioan Gottlieb, prof. Georgeta Ioniță, prof. Margareta Ignat, prof. Ioan Mercheș, prof. Ciprian Dariescu; - Fizica plasmei și aplicații - prof. Mircea Sanduloviciu, prof. Gh. Popa, prof. Erzilia Lozneanu, prof. Mihai Toma, prof. Leopold Biborosch, prof. Nicoleta Dumitrașcu; - Fizica și tehnologia materialelor semiconductoare - prof. Ioan Golovcenco, prof. Gh. I. Rusu, prof. Mihaela Rusu; - Fizica și tehnologia materialelor dielectrice, feroelectrice și multiferoice - prof. Constantin Păpușoi, prof. Liliana Mitoșeriu; - Biofizica și Fizica medicală - prof. Petru Frangopol, prof. Tudor Luchian, prof. Viorel Melnig, prof. Dorina Creangă
O privire asupra învăţământului de fizică la Universitatea "Alexandru Ioan Cuza" din Iaşi : file de istorie şi tendinţe de viitor by Mihai TOMA () [Corola-publishinghouse/Memoirs/100991_a_102283]
-
didactică cu activitatea de cercetare științifică. A fost autor sau coautor la un număr de cinci cărți, publicate în edituri centrale. Dintre acestea remarcăm: Electreții și aplicațiile lor (1977), Editura Științifică și Enciclopedică, versiunea în limba română a monografiei Fizica semiconductorilor, autor P. S. Kireev, Editura Științifică și Enciclopedică (1977), Fizica pentru studenții străini, Editura Didactică și Pedagogică, București, 1983, Fizica și viața, Editura Științifică, București, 1997. De asemenea, a editat, la Editura Universității, pentru studenți, trei cursuri: Curs de informare tehnică
O privire asupra învăţământului de fizică la Universitatea "Alexandru Ioan Cuza" din Iaşi : file de istorie şi tendinţe de viitor by Mihai TOMA () [Corola-publishinghouse/Memoirs/100991_a_102283]
-
tehnologiilor noi. Voi trece în revistă câteva exemple. Frontierele micro- și macroscopului pot fi atinse numai cu aparate, instrumente și instalații de mare performanță care includ materiale și tehnologii speciale. Dezvoltarea științei informației a fost posibilă datorită descoperirilor în domeniul semiconductorilor care au permis miniaturalizarea mijloacelor de calcul și creșterea continuă a performanțelor echipamentelor, atât ca viteză, cât și ca volum de calcul. Dezvoltarea unor domenii de interes, cum ar fi cel al sănătății sau al științelor biologice, dezvoltarea mijloacelor de
O privire asupra învăţământului de fizică la Universitatea "Alexandru Ioan Cuza" din Iaşi : file de istorie şi tendinţe de viitor by Mihai TOMA () [Corola-publishinghouse/Memoirs/100991_a_102283]
-
o serie de atuuri: o piață internă bine protejată, un control al calității extrem de exigent, un raport de schimb favorabil cu dolarul și o forță de muncă conștiincioasă și plină de ambiție. O victorie răsunătoare a fost obținută în domeniul semiconductorilor, când Japonia s-a angajat în producția supercomputerelor din generația a cincea, mașinării extrem de scumpe și sofisticate. Dar, în același timp, a dezvoltat producția de masă în materie de televizoare în culori, fotocopiatoare, faxuri, aparate de filmat și fotografiat, cucerind
[Corola-publishinghouse/Science/2353_a_3678]
-
rolul de forță de aplatizare majoră, cu condiția ca instabilitatea politică să nu disturbe procesul. Într-adevăr, În timp ce mă documentam pentru capitolul de față, am dat peste o publicație cu știri online numită Inquirer, care trata aspecte legate de industria semiconductorilor. Ceea ce mi-a atras atenția a fost articolul său din 5 noiembrie 2001, intitulat „China va deveni centrul lumii“. Acesta cita un articol din China People’s Daily unde se susținea că 400 din cele 500 de companii Forbes au
[Corola-publishinghouse/Memoirs/2108_a_3433]
-
decât cel al moleculelor și ionilor din soluții, numărul de sarcini electrice transportate este mai mic și deci, conductibilitatea electrică este și ea mult mai mică decât cea a conductorilor, apropiindu-se mai mult de cea a dielectricilor și a semiconductorilor. La suprafața de contact dintre cele două faze ale unui sistem coloidal apar spontan sarcini electrice care formează un strat electric dublu și prezintă o diferență de potențial datorită schimbului de ioni. În cazul coloizilor, la care fazele în contact
CHIMIE FIZICĂ ȘI COLOIDALĂ by Alina Trofin () [Corola-publishinghouse/Science/703_a_1091]
-
proprietățile triodei de amplificare, redresare (detectare) și oscilatoare. parametrii triodei: sunt mărimi cu valori constante, care îi determină calitățile și funcțiile: a) pantă: . Unitatea de măsură: . b) factorul de amplificare: constant c) rezistența internă:. ecuația internă a triodei: Cap.4. Semiconductori semiconductorii - corpuri solide a căror rezistivitate este cuprinsă între cea a metalelor și cea a izolatoarelor . Rezistivitatea ρ la semiconductori scade puternic cu creșterea temperaturii T, iar energia minimă necesară pentru trecerea electronilor din starea de electroni legați de atom
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
triodei de amplificare, redresare (detectare) și oscilatoare. parametrii triodei: sunt mărimi cu valori constante, care îi determină calitățile și funcțiile: a) pantă: . Unitatea de măsură: . b) factorul de amplificare: constant c) rezistența internă:. ecuația internă a triodei: Cap.4. Semiconductori semiconductorii - corpuri solide a căror rezistivitate este cuprinsă între cea a metalelor și cea a izolatoarelor . Rezistivitatea ρ la semiconductori scade puternic cu creșterea temperaturii T, iar energia minimă necesară pentru trecerea electronilor din starea de electroni legați de atom în
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
funcțiile: a) pantă: . Unitatea de măsură: . b) factorul de amplificare: constant c) rezistența internă:. ecuația internă a triodei: Cap.4. Semiconductori semiconductorii - corpuri solide a căror rezistivitate este cuprinsă între cea a metalelor și cea a izolatoarelor . Rezistivitatea ρ la semiconductori scade puternic cu creșterea temperaturii T, iar energia minimă necesară pentru trecerea electronilor din starea de electroni legați de atom în stare de electroni liberi este mai mică de 3 eV. conductivitatea la semiconductoare: reprezintă inversul rezistivității , iar unitatea de
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
alt gol. Se deplasează astfel, electronii liberi într-un sens, iar golurile se comportă ca niște particule fictive cu sarcină pozitivă, +e, având așa denumita mișcare 145 aparentă. În semiconductoare participă la condiția electronii (negativi) și golurile (pozitive). tipuri de semiconductori: a) intrinseci (puri) și b) extrinseci (impuri). La semiconducotii intrinseci concentrația electronilor este egală cu cea a golurilor: n0 = p0 = ni, iar la cei extrinseci concentrațiile purtătoare de sarcină mobili electroni și goluri sunt diferite. semiconductori cu impurități: 1) tip
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
golurile (pozitive). tipuri de semiconductori: a) intrinseci (puri) și b) extrinseci (impuri). La semiconducotii intrinseci concentrația electronilor este egală cu cea a golurilor: n0 = p0 = ni, iar la cei extrinseci concentrațiile purtătoare de sarcină mobili electroni și goluri sunt diferite. semiconductori cu impurități: 1) tip n și 2) tip p. Un semiconductor tip n se obține când în cristalul de Ge se introduc atomi pentavalenți (arsen, fosfor). Purtătorii de sarcină majoritari sunt electronii, iar minoritari sunt golurile, încât concentrația totală a
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
impuri). La semiconducotii intrinseci concentrația electronilor este egală cu cea a golurilor: n0 = p0 = ni, iar la cei extrinseci concentrațiile purtătoare de sarcină mobili electroni și goluri sunt diferite. semiconductori cu impurități: 1) tip n și 2) tip p. Un semiconductor tip n se obține când în cristalul de Ge se introduc atomi pentavalenți (arsen, fosfor). Purtătorii de sarcină majoritari sunt electronii, iar minoritari sunt golurile, încât concentrația totală a electronilor liberi la echilibru termic este mai mare decât concentrația golurilor
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
când în cristalul de Ge se introduc atomi pentavalenți (arsen, fosfor). Purtătorii de sarcină majoritari sunt electronii, iar minoritari sunt golurile, încât concentrația totală a electronilor liberi la echilibru termic este mai mare decât concentrația golurilor, încât ??0 ≫ ?0. Un semiconductor tip p se obține când în cristalul de Ge se introduc atomi trivalenți (bor, aluminiu, indiu). În acest caz, majoritarii purtători de sarcină electrică sunt golurile, pe când purtătorii de sarcină electrică minoritară sunt electronii. La echilibru termic, concentrația golurilor este
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
obligând purtâtorii de sarcină să nu mai treacă prin stratul de baraj. Stratul de baraj odată format, prin câmpul electric ? intens, nu mai permite purtătorilor mobili majoritari să mai treacă dintr-o regiune în altă regiune. 4.1. Dioda semiconductoare: este tocmai joncțiunea pn căreia i se poate aplica o tensiune directă sau inversă. a) Tensiunea ?? aplicată direct: Când se aplică o tensiune electrică ?? directă, stratul de baraj se micșorează, iar purtătorii majoritari pot să se deplaseze, pătrunzând
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
a tensiunii ?? , câmpul electric a stratului de baraj devine mai intens, numărul purtătorilor majoritari se micșorează foarte mult la trecerea prin stratul de baraj și la un moment dat, intensitatea curentului electric poate deveni nulă. Rezistența internă a diodei semiconductoare este . Când dioda este polarizată invers, ?? are valoare foarte mare, iar când este polarizată direct valoarea ei este mică. redresarea cu diode semiconductoare se bazează pe proprietatea de conducție unidirecționată, încât permit transformarea curentului alternativ în curent continuu. Montaje
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
baraj și la un moment dat, intensitatea curentului electric poate deveni nulă. Rezistența internă a diodei semiconductoare este . Când dioda este polarizată invers, ?? are valoare foarte mare, iar când este polarizată direct valoarea ei este mică. redresarea cu diode semiconductoare se bazează pe proprietatea de conducție unidirecționată, încât permit transformarea curentului alternativ în curent continuu. Montaje electrice cu diode semiconductoare se realizează în general pentru redresarea ambelor alternanțe ale curentului alternativ. Montajul electric pentru redresarea ambelor alternanțe, prevăzut cu filtru
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
este polarizată invers, ?? are valoare foarte mare, iar când este polarizată direct valoarea ei este mică. redresarea cu diode semiconductoare se bazează pe proprietatea de conducție unidirecționată, încât permit transformarea curentului alternativ în curent continuu. Montaje electrice cu diode semiconductoare se realizează în general pentru redresarea ambelor alternanțe ale curentului alternativ. Montajul electric pentru redresarea ambelor alternanțe, prevăzut cu filtru de netezire a tensiunii redresate: Graficul tensiunii electrice u redresate fără filtru și a intensității curentului electric i filtrat: 148
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]