345 matches
-
curentul de poartă se poate anula, tiristorul fiind în conducție nu mai este influențat de condițiile din circuitul de poartă. Creșterea curentului de poartă duce la micșorarea tensiunii de amorsare a tiristorului. Pentru ca tiristorul ce este adus în starea de conducție (amorsat) să nu se blocheze (stingă) trebuie ca valoarea curentului să atingă nivelul de agățare, pe durata amorsării și să nu scadă sub nivelul curentului de menținere (IH holding current), după amorsare. Curentul de agățare, IL (latching current), este de
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
3.6c. Potrivit structurii triacului, caracteristica sa rezultă simetrică față de origine (Fig.3.6d). Triacul este blocat în ambele sensuri atât timp cât IG=0 și tensiunea aplicată între terminalele T1 și T2 nu depășește tensiunea de întoarcere. Trecerea din blocare în conducție se poate face atât în cadranul I cât și în cadranul III, indiferent de polaritatea semnalului aplicat pe poartă. Astfel rezultă patru moduri de amorsare a triacului, Tab.3 .1. Este avantajoasă folosirea modurilor I(+) și III(-) care necesită semnale
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
Tiristorul cu blocare pe poartă GTO(Gate Turn-Off Thyristor) este un dispozitiv cu structura pnpn denumit și tiristor bioperațional, care poate fi comandat (amorsat, respectiv blocat) integral prin aplicarea de semnale pe poartă: cu semnal pozitiv poate fi trecut în conducție, iar cu semnal negativ poate fi blocat. Deși este un dispozitiv semiconductor cu trei joncțiuni, tiristorul GTO se aseamănă cu tranzistorul bipolar npn prin polaritatea tensiunii de alimentare anod-catod și prin polaritatea semnalelor de amorsare, respectiv blocare. În comparație cu tranzistorul bipolar
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
întrerupător electronic și deci acesta funcționează în comutație. În lipsa tensiunii de comandă VGS, curentul de drenă ID este practic neglijabil și astfel punctul de funcționare al tranzistorului se află pe dreapta OA (întrerupător deschis), Fig. 3.11b. În starea de conducție a tranzistorului este necesar ca pierderile să fie minime, ceea ce înseamnă că tensiunea VDS trebuie să fie cât mai mică. Acest lucru se obține dacă tensiunea VGS este astfel reglată încât punctul de funcționare al tranzistorului să se afle în
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
general, tensiunea grilă-sursă este limitată la 20 V în cazul tranzistoarelor MOS de putere. Pentru a funcționa în zona de saturație la curentul nominal al tranzistorului valoarea tensiunii VGS este de aproximativ 15 V. Rezistența drenă-sursă a dispozitivului aflat în conducție (dreapta OB) are valori mici care depind de tensiunea limită de străpungere a acestuia. De exemplu, pentru un tranzistor MOS de 100 V rezistența este 0,1 Ω, iar pentru unul de 500 V ea este 0,5 Ω. Coeficientul
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
comutate. Se cunoaște că dispozitivele unipolare (TEC-J, TEC MOS), care au o rezistență mare de intrare, necesită o putere extrem de redusă pentru comandă, în timp ce dispozitivele bipolare (tranzistorul bipolar, tiristorul GTO) au ca trăsătură distinctă densitatea relativ mare a curentului în conducție directă. îmbinarea acestor două caracteristici într-un singur dispozitiv s-a realizat prin integrarea funcțională bipolară-MOS. Principiul integrării funcționale Bi MOS care stă la baza dispozitivelor cu poartă izolată este ilustrat în Fig.3.12. Tranzistorul bipolar npn, respectiv MOS
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
poartă denumirea de tranzistor bipolar cu poartă izolată (IGBT-Insulated Gate Bipolar Transistor), Fig. 3.12b. Avantajul esențial al dispozitivelor Bi-MOS, respectiv IGBT îl constituie puterea practic nulă consumată pe poartă în timpul funcționării și căderea de tensiune redusă în starea de conducție. 3.1.8. Tiristorul controlat MOS-MCT Tiristorul controlat MOS-MCT (MOS Controlled Thyristor), este un dispozitiv semiconductor de putere, de ultimă oră, care permite obținerea unei densități de curent de 2,5 ori mai mare ca cea a unui IGBT. MCT
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
tiristoare) utilizate în aplicațiile electronice de putere funcționează în comutație, ca întrerupătore electronice. Aceste dispozitive, ideal, ar trebui să îndeplinească următoarele condiții: * Curentul și tensiunea nominală oricât de mari; * Curenți reziduali nuli; Timpi de comutație oricât de mici; * Pierderi în conducție și în comutație nule; * Putere de comandă nulă; * Capabilitatea de a suporta supracurenți și supratensiuni; * Ușor de protejat împotriva defectelor sau a amorsărilor parazite; * Preț mic. Având în vedere aceste condiții, cele mai importante criterii în alegerea dispozitivelor de putere
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
suporta supracurenți și supratensiuni; * Ușor de protejat împotriva defectelor sau a amorsărilor parazite; * Preț mic. Având în vedere aceste condiții, cele mai importante criterii în alegerea dispozitivelor de putere, pentru o aplicație sau alta, sunt: valorile parametrilor nominali, pierderile în conducție, pierderile în comutație, timpii de comutație, posibilitățile de comandă, prețul. Tiristorul clasic are cele mai mari valori ale parametrilor nominali dintre toate dispozitivele semiconductoare de putere. El este robust (capabil să suporte suprasarcini), pierderile în conducție sunt mici, are preț
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
parametrilor nominali, pierderile în conducție, pierderile în comutație, timpii de comutație, posibilitățile de comandă, prețul. Tiristorul clasic are cele mai mari valori ale parametrilor nominali dintre toate dispozitivele semiconductoare de putere. El este robust (capabil să suporte suprasarcini), pierderile în conducție sunt mici, are preț scăzut, dar amorsarea este lentă și nu poate fi dezamorsat decât anulând curentul anodic. Pentru aplicațiile de frecvența industrială de 50 Hz sau 60 Hz (redresoarele comandate), tiristorul clasic este cel mai recomandat datorită capabilității sale
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
utilizate, frecvența de comutație fiind adesea criteriul de alegere. Tranzistorul MOS este singurul dispozitiv reținut dacă frecvența de comutație este superioară valorii de 100 kHz. Tranzistorul bipolar convine pentru gama de frecvență 20...100 kHz datorită prețului și pierderilor în conducție mai mici, deși pierderile în comutație sunt superioare celor ale tranzistorului MOS. În gama până la 15...20 kHz, tiristorul GTO este cel mai recomandat datorită robusteței, a pierderilor mici în conducție, a aptitudinii acestuia de a suporta suprasarcini și tensiuni
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
frecvență 20...100 kHz datorită prețului și pierderilor în conducție mai mici, deși pierderile în comutație sunt superioare celor ale tranzistorului MOS. În gama până la 15...20 kHz, tiristorul GTO este cel mai recomandat datorită robusteței, a pierderilor mici în conducție, a aptitudinii acestuia de a suporta suprasarcini și tensiuni directe și inverse de valori mari. Tranzistoarele (bipolare, TEC-MOS, IGBT) pot funcționa până la 200 0C în timp ce tiristoarele doar până la 125 0C. Pierderile și posibilitățile de răcire sunt adesea criterii importante de
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
electrică a unui variator monofazat de c.a., comandat prin tren de impulsuri. Capacitatea de compensare C se conectează în amonte de tiristoarele T1, T2, astfel încât acestea să nu fie solicitate de supracurenții care ar apărea la trecerea tiristoarelor în conducție, prin conectarea condensatoarelor. Această cerință introduce însă dezavantajul apariției fenomenului de flicker care apare ca variație periodică a tensiunii UC ( Fig.3.39), considerată între cele două stări (blocate, în conducție) ale tiristoarelor din schemă. În Fig.3.40 este
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
de supracurenții care ar apărea la trecerea tiristoarelor în conducție, prin conectarea condensatoarelor. Această cerință introduce însă dezavantajul apariției fenomenului de flicker care apare ca variație periodică a tensiunii UC ( Fig.3.39), considerată între cele două stări (blocate, în conducție) ale tiristoarelor din schemă. În Fig.3.40 este reprezentată curba tensiunii UC=UC(t), exprimată în unități relative (prin raportare la tensiunea nominală), obținută prin simularea în mediul software EMTP a fenomenului de flicker, produs cu frecvență variabilă. Combaterea
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
potențialului electric, ∆V=0. în cazuri particulare în care potențialul vector are numai una din componente nenulă și depinde numai de anumite coordonate, e posibilă separarea variabilelor și pentru alte sisteme de coordonate. în general, câmpul magnetic al curenților de conducție în conductoare masive se poate calcula integrând ecuația Poisson-Laplace pentru potențialul vector A sau pentru intensitatea câmpului magnetic H, alegerea fiind impusă de particularitățile problemei. De exemplu, în problema plan-paralelă a câmpului magnetic la curent de conducție în conductoare drepte
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
al curenților de conducție în conductoare masive se poate calcula integrând ecuația Poisson-Laplace pentru potențialul vector A sau pentru intensitatea câmpului magnetic H, alegerea fiind impusă de particularitățile problemei. De exemplu, în problema plan-paralelă a câmpului magnetic la curent de conducție în conductoare drepte este preferabil să se rezolve ecuația lui Poisson pentru potențialul vector, aceasta având numai componentă axială; alternativa rezolvării ecuației ∆H=0 nu e recomandabilă nici în coordonate carteziene, întrucât ar necesita integrarea a două ecuații, ∆Hx=∆Hy
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
având înălțimea de 2...3 m deasupra solului, componenta orizontală a câmpului este neglijabilă, în timp ce componenta verticală se caracterizează printr-un grad ridicat de uniformitate. 5.3. Câmpul magnetic Câmpul magnetic este produs de: corpuri cu magnetizație permanentă, curenți de conducție și convecție, curenți de deplasare (datorită variației în timp a câmpului electric) și curenți Roentgen. Relațiile fundamentale în care apar mărimile de stare magnetică sunt date de: * legea circuitului magnetic: ; (5.19) * legea fluxului magnetic: ; (5.20) * legea de legătură
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
5.19) * legea fluxului magnetic: ; (5.20) * legea de legătură dintre inducție, intensitate și polarizație în câmp magnetic și legea magnetizației temporare:. (5.21) Regimul câmpului magnetic în care contribuția curenților de deplasare este neglijabilă în comparație cu cea a curenților de conducție se numește regim cvasistaționar sau cvasipermanent. Regimuri cvasipermanente se realizează în general la variația în timp cu frecvențe suficient de mici a mărimilor de stare magnetică, astfel încât dimensiunile corpurilor să fie mici în raport cu lungimea de undă corespunzătoare. Relațiile fundamentale (5
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
regimul cvasipermanent al câmpului magnetic în aer, devin de forma: . (5.22) Conform teoremei de unicitate a câmpului magnetic cvasipermanent, acesta este unic determinat într-un domeniu liniar și izotrop cu permeabilitate magnetică dată, dacă se cunosc: * distribuția curentului de conducție J ; * intensitatea câmpului magnetic H ; * componentele tangențiale ale intensității câmpului magnetic respectiv potențialului magnetic vector, pe o suprafață de frontieră. Potrivit teoremei superpoziției câmpurilor magnetice cvasipermanente, într-un mediu linear și izotrop, reuniunii unor ansambluri de condiții de unicitate îi
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
pe direcția câmpului, depind foarte mult și de aceasta, așa cum se arată în Fig.5.15. Admițând un contur circular de rază r amplasat într un mediu infinit izotrop, ecuațiile lui Maxwell conduc, pentru intensitatea câmpului electric al curenților de conducție la expresia, [Compatibilité], [Cristescu 93], [Gary], [Javerzac 16], [Lambrozo]: 2 r dBE dt = . (5.47) Ținând seama de (5.43), pentru densitatea de curent se obține: , (5.48) σ fiind conductivitatea electrică a țesuturilor, iar ω pulsația intensității câmpului magnetic. Cercetări recente
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
de curent: intensitatea curentului electric prin unitate de suprafață transversală a conductorului, având formula de definiție: j = ? ? = nev, unde n reprezintă concentrația electronilor, e reprezintă sarcina electrică a electronului, iar v reprezintă viteza de transport a electronilor. legea conducției electrice: ? = ?? (vectorial) sau j = ?E în modul; unde ? se numește conductivitate electrică a materialului din care e construit conductorul. rezistivitatea electrică: reprezintă inversul conductivității electrice a materialului, definită prin relația:. rezistența electrică: proprietatea unui conductor de a
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
intensitatea curentului electric poate deveni nulă. Rezistența internă a diodei semiconductoare este . Când dioda este polarizată invers, ?? are valoare foarte mare, iar când este polarizată direct valoarea ei este mică. redresarea cu diode semiconductoare se bazează pe proprietatea de conducție unidirecționată, încât permit transformarea curentului alternativ în curent continuu. Montaje electrice cu diode semiconductoare se realizează în general pentru redresarea ambelor alternanțe ale curentului alternativ. Montajul electric pentru redresarea ambelor alternanțe, prevăzut cu filtru de netezire a tensiunii redresate: Graficul
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
alternanțe, realizându-se redreasarea. Cu acest tip de redresare în punte, se obțin tensiuni continui mari și de joasă frecvență. 4.2. Tranzitorul Tranzitorul este format dintr-un cristal de germaniu sau siliciu, cu trei regiuni a căror tip de conducție alternează. Cele trei regiuni sunt: emițător (E), bază (B) și colector (C). tipuri de tranzitoare: pnp și npn: curent de goluri curent de electroni. montaj electric de amplificare cu tranzitor pnp: În circuitul emitorului se introduce o sursă de tensiune
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
publicată la 24 de ani, Principiile fizicii ale teoriei cuantice la 25 de ani și Fizica și filozofia la vârsta de 57 de ani. schema formării benzilor energetice din nivelele energetice discrete ale atomului: banda de valență și banda de conducție: banda energetică provenită de la nivelul energetic discret al atomului pe care se află electronii de valență. Banda de valență este separată de banda de conducție printr-o bandă interzisă în care nu există nivele energetice pentru electroni. clasificarea corpurilor solide
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
formării benzilor energetice din nivelele energetice discrete ale atomului: banda de valență și banda de conducție: banda energetică provenită de la nivelul energetic discret al atomului pe care se află electronii de valență. Banda de valență este separată de banda de conducție printr-o bandă interzisă în care nu există nivele energetice pentru electroni. clasificarea corpurilor solide în metale, semiconductori și dielectrici (izolatoare): a) pentru metale: Funcție de gradul de ocupare cu electroni a benzilor de energie, corpurile solide pot fi împărțite în
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]