397 matches
-
electronică a blocului de detecție, iar în figura 2.11 este reprezentat trenul de impulsuri generat de acest bloc, având fronturile centrate pe trecerile prin zero ale tensiunii de alimentare a tiristorului. Blocul de impunere a unghiului de comandă al tiristorului este dezvoltat având ca suport counterul unei cartele de achiziție de date. Rolul acestui bloc este de a asigura o întârziere comandată software a semnalului digital furnizat de blocul precedent. Această întârziere reprezintă unghiul de comandă al tiristorului. Legătura lanțului
Sisteme video by Codrin Donciu () [Corola-publishinghouse/Science/84096_a_85421]
-
comandă al tiristorului este dezvoltat având ca suport counterul unei cartele de achiziție de date. Rolul acestui bloc este de a asigura o întârziere comandată software a semnalului digital furnizat de blocul precedent. Această întârziere reprezintă unghiul de comandă al tiristorului. Legătura lanțului de comandă la grila tiristorului s-a realizat prin intermediul unui optocuplor, cu rol de asigurare a unui separări galvanice între elementele interconectate. Cartela de date utilizată este de tip NI-USB 6251, având un counter pe 32 de
Sisteme video by Codrin Donciu () [Corola-publishinghouse/Science/84096_a_85421]
-
suport counterul unei cartele de achiziție de date. Rolul acestui bloc este de a asigura o întârziere comandată software a semnalului digital furnizat de blocul precedent. Această întârziere reprezintă unghiul de comandă al tiristorului. Legătura lanțului de comandă la grila tiristorului s-a realizat prin intermediul unui optocuplor, cu rol de asigurare a unui separări galvanice între elementele interconectate. Cartela de date utilizată este de tip NI-USB 6251, având un counter pe 32 de biți. S-au folosit drept intrări counter
Sisteme video by Codrin Donciu () [Corola-publishinghouse/Science/84096_a_85421]
-
perioadei bazei de timp selectate, după care se generează impulsul. Referința de timp este dată de frontul selectat al semnalului Gate (Trigger Source). În figura 2.13 este prezentată diagrama bloc a instrumentului virtual care stabilește unghiul de comandă al tiristorului. În figura 2.14 sunt prezentate evoluțiile semnalelor Gate și Output, preluate cu ajutorul unui osciloscop. Întârzierea față de semnalul de referință a impulsului generat este de 20us și este întârzierea minimă care se poate aplica pentru baza de timp selectată, în
Sisteme video by Codrin Donciu () [Corola-publishinghouse/Science/84096_a_85421]
-
ale redresoarelor (utilizarea punților redresoare trifazate duble). Alimentarea punților redresoare prin intermediul unor transformatoare care să aibă tensiunile secundare defazate cu 30ș. Așa cum se observă din figura 5.17. Se realizează cu ajutorul filtrelor de armonici. Acestea cuprind circuite LC și eventual tiristoare (pentru compensare dinamică) și au impedanță mică pentru una sau mai multe armonici. Instalarea filtrelor poate fi prevăzută în faza de proiectare, dacă din calcule rezultă că valorile indicatorilor de regim deformant depășesc valorile admise, sau în exploatare dacă în urma
CALITATEA ENERGIEI ELECTRICE by Gheorghe Hazi () [Corola-publishinghouse/Science/488_a_1170]
-
Fourier). Această comportare conduce la anumite riscuri, de exemplu, supraîncărcarea condensatoarelor, dar poate fi un avantaj la utilizarea filtrelor pasive. 7.4. Tipuri de filtre În funcția de prezența sau nu a unor elemente active (în general bazate pe utilizarea tiristoarelor), filtrele pot fi active sau pasive. Filtrele active (Active Harmonic Conditioners AHC) sunt, în mod normal, conectate paralel cu rețeaua. Însă situația este puțin diferită. Aceste echipamente electronice analizează curentul armonic pe partea consumatorului neliniar și generează exact reziduul deformant
CALITATEA ENERGIEI ELECTRICE by Gheorghe Hazi () [Corola-publishinghouse/Science/488_a_1170]
-
și tensiune generate de unități eoliene Grupurile eoliene pot fi racordate la rețea direct sau prin intermediul unui convertor. În primul caz nu apar, în mod normal, armonice de curent în rețeaua electrică. În cazul în care pornirea se face prin tiristoare apare o ”injecție” de armonice de scurtă durată în rețeaua electrică care totuși nu constituie o problemă atâta timp cât ele nu apar prea frecvent și atâta timp cât durata lor este sub câteva zecimi de secundă. 10.2. Evaluarea nivelului de flicker în
CALITATEA ENERGIEI ELECTRICE by Gheorghe Hazi () [Corola-publishinghouse/Science/488_a_1170]
-
analiza dilatometrică se face cu ajutorul unui dilatometru diferențial tip LINSEIS L75H/1400. Aparatul este compus din următoarele părți principale (figura 3): * ansamblul cuptor - sistem de măsurare - panou control (1); * sistemul de achiziție și de prelucrare a datelor experimentale (2); * controler (tiristor - 3). În principiu, probele, așezate pe suportul de probe din cuptor, sunt încălzite sau răcite liniar. Temperatura probei este înregistrată cu un termocuplu (până la 2050șC). După cum se observă în figura 6 dilatarea probei (3) (solide, lichide, pulberi, materiale în vrac
Tehnici de analiză în ingineria materialelor by Ioan Rusu () [Corola-publishinghouse/Science/91606_a_93477]
-
diametru 165 mm 1 buc. 53 21. D021 Difuzor, putere 76-150 W, diametru 165 mm 1 buc. 59 22. D022 Difuzor, putere peste 151 W, diametru 160 mm 1 buc. 293 23. D023 Diluant 1 kg 15 24. D024 Dioda, tiristor, tranzistor 1 buc. 5 25. D025 Disc încălzitor pentru plita electrică 1 buc. 9 26. D026 Disc video 1 buc. 18 27. D027 Dispozitiv filtraj color, adaptabil la aparatul 1 buc. 50 de mărit fotografii color 28. D028 Dispozitiv cu
ORDIN nr. 687 din 17 aprilie 2001 pentru aprobarea valorilor în vamă. In: EUR-Lex () [Corola-website/Law/134193_a_135522]
-
la borne și contorul este lăsat în repaus până revine la temperatura sa inițială (aproximativ o oră). Contoarele trebuie să suporte șoc de curent (obținut, de exemplu, prin descărcarea unui condensator sau de la rețea printr-un circuit de comandă cu tiristor) cu o valoare de vârf egală cu de 50 de ori curentul maxim (până la cel mult 7.000 A) și care se menține la o valoare de 25 de ori mai mare decât curentul maxim (sau cel mult 3.500
NORMA din 13 decembrie 2001 DE METROLOGIE LEGALĂ CEE "NML CEE-76/891 - Contoare de energie electrica". In: EUR-Lex () [Corola-website/Law/140486_a_141815]
-
90 --- Pentru o intensitate peste 2 A - 15 8536.49.00 -- Altele - 15 8536.50 - Alte întrerupătoare, separatoare și comutatoare: 8536.50.03 -- Întrerupătoare de curent alternativ constând din circuite input și output cuplate optic (întrerupătoare de curent alternativ cu tiristor izolat) - ex 8536.50.05 -- Întrerupătoare electronice, inclusiv întrerupătoare electronice izolate termic, constând dintr-un tranzistor și un circuit logic (tehnologie chip-on-chip) - ex 8536.50.07 -- Întrerupătoare electromecanice cu arc pentru curenți de maximum 11 A - ex -- Altele: --- Pentru o
ORDONANŢA DE URGENŢĂ nr. 204 din 18 decembrie 2002 pentru modificarea denumirii şi clasificarii mărfurilor din Tariful vamal de import al României şi a taxelor vamale aferente acestora. In: EUR-Lex () [Corola-website/Law/146940_a_148269]
-
in figurile 4.3 și 4.4. Figura 4.3 Posibilități de extindere a capabilității de curent a pinilor de ieșire folosind tranzistoare discrete Figura 4.4 Posibilități de extindere a capabilității de curent a pinilor de ieșire folosind triac/tiristor sau buffere Pentru economisirea numărului de linii de ieșire ale unui sistem embedded Capitolul 4 Dispozitivele periferice ale sistemelor embedded Construcția și tehnologia sistemelor embedded 84 folosite la comanda unor dispozitive cu funcții similare se poate utiliza tehnica multiplexării. Un
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1090]
-
arc și a instalațiilor de sudare electrică și poluarea armonică, introdusă de instalații de electroliză de mare putere. Crește gradul de utilizare al sistemelor electronice în automatizări, fenomen accelerat încă prin apariția unor dispozitive semiconductoare de bază, ca tranzistorul și tiristorul. Puterea consumată în instalațiile de protecție și automatizare scade, ceea ce permite proliferarea acestora. Astfel, instalațiile de curenți slabi, din ce în ce mai numeroase, funcționează tot mai aproape, sub raport geometric, de instalațiile de curenți tari, fapt care introduce disfuncții datorate interacțiunilor electromagnetice dintre
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
Fig.2.27c). Capitolul 3 PERTURBAȚII SPECIFICE DISPOZITIVELOR SEMICONDUCTOARE ȘI CONVERTOARELOR ELECTRONICE DE PUTERE 3.1. Dispozitive semiconductoare de putere Dispozitivele semiconductoare de putere sunt rezistoare, comandate sau nu, cu caracter puternic nelinear. Principalele dispozitive semiconductoare de putere sunt: dioda, tiristorul, triacul, tiristorul cu blocare pe poartă (GTO), tranzistorul bipolar de putere, tranzistorul cu grilă izolată (IGBT), tiristorul controlat MOS (MCT). 3.1.1. Dioda Dioda este formată dintr-o joncțiune pn, realizată într-un monocristal de siliciu sau germaniu, având
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
27c). Capitolul 3 PERTURBAȚII SPECIFICE DISPOZITIVELOR SEMICONDUCTOARE ȘI CONVERTOARELOR ELECTRONICE DE PUTERE 3.1. Dispozitive semiconductoare de putere Dispozitivele semiconductoare de putere sunt rezistoare, comandate sau nu, cu caracter puternic nelinear. Principalele dispozitive semiconductoare de putere sunt: dioda, tiristorul, triacul, tiristorul cu blocare pe poartă (GTO), tranzistorul bipolar de putere, tranzistorul cu grilă izolată (IGBT), tiristorul controlat MOS (MCT). 3.1.1. Dioda Dioda este formată dintr-o joncțiune pn, realizată într-un monocristal de siliciu sau germaniu, având contacte metalice
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
semiconductoare de putere Dispozitivele semiconductoare de putere sunt rezistoare, comandate sau nu, cu caracter puternic nelinear. Principalele dispozitive semiconductoare de putere sunt: dioda, tiristorul, triacul, tiristorul cu blocare pe poartă (GTO), tranzistorul bipolar de putere, tranzistorul cu grilă izolată (IGBT), tiristorul controlat MOS (MCT). 3.1.1. Dioda Dioda este formată dintr-o joncțiune pn, realizată într-un monocristal de siliciu sau germaniu, având contacte metalice atașate celor două regiuni, anod (pe zona p), respectiv catod (atașat zonei n), Fig.2
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
pierderile de comutație, ceea ce duce la încălzirea excesivă a dispozitivului în timpul funcționării. Raportat la durata timpului de revenire al diodei, se poate considera că tranziția unei diode din starea blocată în starea de conducție este practic instantanee. 3.1.2. Tiristorul Tiristorul, numit și diodă comandată, este un dispozitiv semiconductor cu siliciu care are o structură formată din patru straturi semiconductoare în serie pnpn ce formează astfel trei joncțiuni. Tiristorul are trei electrozi: anodul A, conectat la stratul marginal p, catodul
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
de comutație, ceea ce duce la încălzirea excesivă a dispozitivului în timpul funcționării. Raportat la durata timpului de revenire al diodei, se poate considera că tranziția unei diode din starea blocată în starea de conducție este practic instantanee. 3.1.2. Tiristorul Tiristorul, numit și diodă comandată, este un dispozitiv semiconductor cu siliciu care are o structură formată din patru straturi semiconductoare în serie pnpn ce formează astfel trei joncțiuni. Tiristorul are trei electrozi: anodul A, conectat la stratul marginal p, catodul K
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
blocată în starea de conducție este practic instantanee. 3.1.2. Tiristorul Tiristorul, numit și diodă comandată, este un dispozitiv semiconductor cu siliciu care are o structură formată din patru straturi semiconductoare în serie pnpn ce formează astfel trei joncțiuni. Tiristorul are trei electrozi: anodul A, conectat la stratul marginal p, catodul K, atașat stratului marginal n și electrodul de comandă G numit poartă sau grilă, conectat la stratul p dinspre catod (Fig.3.4a). În lipsa semnalului de comandă, tiristorul blochează
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
joncțiuni. Tiristorul are trei electrozi: anodul A, conectat la stratul marginal p, catodul K, atașat stratului marginal n și electrodul de comandă G numit poartă sau grilă, conectat la stratul p dinspre catod (Fig.3.4a). În lipsa semnalului de comandă, tiristorul blochează trecerea curentului în ambele sensuri, iar sub acțiunea semnalului de comandă el trece în conducție, permițând circulația curentului într-un singur sens. Structura pnpn, în stare blocată poate suporta tensiuni de ordinul miilor de volți, iar în conducție permite
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
Structura pnpn, în stare blocată poate suporta tensiuni de ordinul miilor de volți, iar în conducție permite circulația unor curenți de sute de amperi, căderea de tensiune la borne având valori reduse. În Fig.3.5a se prezintă caracteristica unui tiristor cu poarta în gol (IG=0). În acest caz, joncțiunile pn ale tiristorului pot fi înlocuite cu o schemă echivalentă compusă din trei joncțiuni înseriate. Caracteristica inversă (K+) a tiristorului seamănă cu cea a unei diode, iar caracteristica directă (A
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
iar în conducție permite circulația unor curenți de sute de amperi, căderea de tensiune la borne având valori reduse. În Fig.3.5a se prezintă caracteristica unui tiristor cu poarta în gol (IG=0). În acest caz, joncțiunile pn ale tiristorului pot fi înlocuite cu o schemă echivalentă compusă din trei joncțiuni înseriate. Caracteristica inversă (K+) a tiristorului seamănă cu cea a unei diode, iar caracteristica directă (A+) arată că numai curentul rezidual direct (ID) circulă până la atingerea tensiunii de străpungere
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
valori reduse. În Fig.3.5a se prezintă caracteristica unui tiristor cu poarta în gol (IG=0). În acest caz, joncțiunile pn ale tiristorului pot fi înlocuite cu o schemă echivalentă compusă din trei joncțiuni înseriate. Caracteristica inversă (K+) a tiristorului seamănă cu cea a unei diode, iar caracteristica directă (A+) arată că numai curentul rezidual direct (ID) circulă până la atingerea tensiunii de străpungere în avalanșă (tensiunea de întoarcere sau basculare), VBO (breakover voltage), a joncțiunii mediane de comandă, J2. Odată
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
unei diode, iar caracteristica directă (A+) arată că numai curentul rezidual direct (ID) circulă până la atingerea tensiunii de străpungere în avalanșă (tensiunea de întoarcere sau basculare), VBO (breakover voltage), a joncțiunii mediane de comandă, J2. Odată atinsă tensiunea de întoarcere, tiristorul intră în conducție și dispozitivul se comportă ca o diodă (cu două joncțiuni înseriate) în conducție, ceea ce dă o cădere de tensiune în direct de aproximativ două ori mai mare decât în cazul unei diode. Curentul care parcurge tiristorul în
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
întoarcere, tiristorul intră în conducție și dispozitivul se comportă ca o diodă (cu două joncțiuni înseriate) în conducție, ceea ce dă o cădere de tensiune în direct de aproximativ două ori mai mare decât în cazul unei diode. Curentul care parcurge tiristorul în această situație va fi dictat, în special, de sarcina circuitului. Deoarece tensiunea de întoarcere este de ordinul sutelor de volți, amorsarea prin atingerea acestei tensiuni nu este permisă deoarece se disipă puteri foarte mari, care distrug tiristorul după câteva
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]