2,439 matches
-
subordonate. Propoziția interogativa se obține din propoziție enunțiativa cu două construcții prin care se realizează o intrebare totală: Propoziția negativă se obține prin negarea predicatului cu particulă negativă "ne" antepusa. Această formează un singur cuvânt cu verbele "imati" „a avea”, "biți" „a fi” și "hteti" „a vrea” la indicativ prezent (vezi mai sus secțiunea Formă negativă). La formele verbale compuse, verbul auxiliar neaccentuat urmează imediat dupa "ne". Exemple: "Lift ne radi" „Liftul nu functioneaza”, "Ne biste dugo čekali" „Nu ați aștepta
Limba sârbă () [Corola-website/Science/303910_a_305239]
-
pasivă), ci și cel activ folosit la timpurile compuse cu acestă: "Ptice șu letele „Păsările zburau”. Lipsește însă acordul în construcția prezentativa cu pronume demonstrativ ca subiect, care rămâne invariabil, la nominativ singular neutru, si predicatul nominal cu verbul copulativ "biți": Ovo je moja ćerka" „Aceasta e fiica mea”. Numele predicativ al predicatului nominal cu verbul copulativ "biți" este de regulă la nominativ ("Moj braț je inženjer „Fratele meu e inginer”), iar uneori la genitiv cu sau fără prepoziție: "Narukvica je
Limba sârbă () [Corola-website/Science/303910_a_305239]
-
însă acordul în construcția prezentativa cu pronume demonstrativ ca subiect, care rămâne invariabil, la nominativ singular neutru, si predicatul nominal cu verbul copulativ "biți": Ovo je moja ćerka" „Aceasta e fiica mea”. Numele predicativ al predicatului nominal cu verbul copulativ "biți" este de regulă la nominativ ("Moj braț je inženjer „Fratele meu e inginer”), iar uneori la genitiv cu sau fără prepoziție: "Narukvica je od srebra „Brățară e din argint”, "Deda je uvek bio dobre volje „Bunicul era totdeauna binevoitor”. Cand
Limba sârbă () [Corola-website/Science/303910_a_305239]
-
uvek bio dobre volje „Bunicul era totdeauna binevoitor”. Cand se exprimă prin adjectiv, acesta trebuie să fie nedefinit, adică de forma scurtă, dacă are asemenea formă: "Vaš predlog je zanimljiv „Propunerea dv. e interesantă”. Cu alte verbe numite copulative decât "biți" se folosește o parte de vorbire numită predikativna dopuna sau predikativ care este cel mai adesea la nominativ ("Zovem se Marija" „Mă numesc Marija”), dar poate fi și la alte cazuri: Complementul direct este de regulă la acuzativ fără prepoziție
Limba sârbă () [Corola-website/Science/303910_a_305239]
-
memorie semiconductoare, unde cuvântul „static” subliniază faptul că, spre deosebire de memoriile DRAM ("Dynamic Random Access Memory"), nu mai este necesar un ciclu periodic de reîmprospătare (engleză: "refresh"). Acest lucru este posibil deoarece memoriile folosesc circuite logice combinaționale pentru a memora fiecare bit. Memoriile semiconductoare sunt referite adesea ca RAM ceea ce înseamnă "Random Access Memory", sau memorii cu acces aleator. Aceasta implică faptul că orice cuvânt din memorie poate fi accesat în același timp. O memorie este constituită dintr-o arie de dispozitive
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
ceea ce înseamnă "Random Access Memory", sau memorii cu acces aleator. Aceasta implică faptul că orice cuvânt din memorie poate fi accesat în același timp. O memorie este constituită dintr-o arie de dispozitive de memorare. Fiecare dispozitiv poate stoca un bit, un byte sau un cuvânt. Dimensiunile uzuale pentru lungimea cuvintelor sunt: 8, 16, 32 și 64. Un sistem digital dispune de o memorie care poate stoca un număr mare de cuvinte. Fiecare cuvânt poate fi adresat utilizând liniile de adrese
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
trecere intră în conducție și valorile de pe liniile Data și Data' vor fi transferate către punctele A și B. O poartă NU poate fi construită cu două tranzistoare MOS, astfel o celulă RAM statică, ce este capabilă să memoreze un bit de informație, poate să fie construită cu 6 tranzistoare MOS. În figura următoare este ilustrat un model abstract al unei celule RAM statică, model ce ascunde detaliile constructive. Reprezentare abstractă a unei celule RAM statică Pentru a forma o memorie
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
celule RAM statică Pentru a forma o memorie pentru un cuvânt, se plasează în același rând atâtea celule de memorare cât este lungimea cuvântului. În figura următoare se arată cum este construit un dispozitiv pentru memorarea unui cuvânt de patru biți. Dispozitiv pentru memorarea unui cuvânt de 4 biți Se observă că prin activarea liniei R/W din stânga, toate cele patru celule sunt conectate la liniile Data si Data’. O memorie ce corespunde necesităților reale trebuie să fie capabilă să stocheze
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
pentru un cuvânt, se plasează în același rând atâtea celule de memorare cât este lungimea cuvântului. În figura următoare se arată cum este construit un dispozitiv pentru memorarea unui cuvânt de patru biți. Dispozitiv pentru memorarea unui cuvânt de 4 biți Se observă că prin activarea liniei R/W din stânga, toate cele patru celule sunt conectate la liniile Data si Data’. O memorie ce corespunde necesităților reale trebuie să fie capabilă să stocheze un număr mare de cuvinte. Aceasta se realizează
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
singur semnal R/W să fie activ. Pentru a ne asigura că un singur semnal R/W este activ, se adaugă structurii, pe partea stângă a ariei de celule, un decodor 2:4. Memorie pentru mai multe cuvinte de 4 biți În urma acestei modificări, primul cuvânt este selectat când la intrarea decodorului se aplică 00; valoarea aplicată la intrarea decodorului este numită adresă de memorie. Următorul cuvânt se află la adresa 01, iar cel mai de jos cuvânt se află la adresa 11
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
la intrarea decodorului este numită adresă de memorie. Următorul cuvânt se află la adresa 01, iar cel mai de jos cuvânt se află la adresa 11. În figura următoare este arătată reprezentarea abstractă a unei memorii de 4 cuvinte a câte 4 biți. Reprezentarea unei memorii de 4 cuvinte a câte 4 biți Modulul de memorie este funcțional, dar este dificil de utilizat din cauza celor patru linii de date și a complementelor acestora (sunt prea multe). Utilizatorul ar trebui să poată să scrie
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
se află la adresa 01, iar cel mai de jos cuvânt se află la adresa 11. În figura următoare este arătată reprezentarea abstractă a unei memorii de 4 cuvinte a câte 4 biți. Reprezentarea unei memorii de 4 cuvinte a câte 4 biți Modulul de memorie este funcțional, dar este dificil de utilizat din cauza celor patru linii de date și a complementelor acestora (sunt prea multe). Utilizatorul ar trebui să poată să scrie și să citească informație fără a mai considera și liniile
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
se adaugă un amplificator. Totodată, amplificatorul sesizează diferența dintre liniile Data și Data’. Pe lângă amplificatoare, se mai completează structura cu circuite tampon (buffer). Dispozitivul ilustrat în figura anterioară dispune de o singură linie I/O (Input/Output - Intrare-Ieșire) pentru fiecare bit al cuvântului; bitul este citit sau scris pe aceeași linie. Există memorii care au linii separate pentru a accesa un bit în mod scriere, respectiv în mod citire. Se observă că atunci când linia R/W este activă, dispozitivul este în
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
amplificator. Totodată, amplificatorul sesizează diferența dintre liniile Data și Data’. Pe lângă amplificatoare, se mai completează structura cu circuite tampon (buffer). Dispozitivul ilustrat în figura anterioară dispune de o singură linie I/O (Input/Output - Intrare-Ieșire) pentru fiecare bit al cuvântului; bitul este citit sau scris pe aceeași linie. Există memorii care au linii separate pentru a accesa un bit în mod scriere, respectiv în mod citire. Se observă că atunci când linia R/W este activă, dispozitivul este în "mod scriere", iar
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
tampon (buffer). Dispozitivul ilustrat în figura anterioară dispune de o singură linie I/O (Input/Output - Intrare-Ieșire) pentru fiecare bit al cuvântului; bitul este citit sau scris pe aceeași linie. Există memorii care au linii separate pentru a accesa un bit în mod scriere, respectiv în mod citire. Se observă că atunci când linia R/W este activă, dispozitivul este în "mod scriere", iar atunci când nu este activă, dispozitivul este în "mod citire"; nu există linii diferite pentru a selecta modurile scriere
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
citire"; nu există linii diferite pentru a selecta modurile scriere, citire. O celulă SRAM are trei stări diferite în care se poate afla: Dacă linia cuvântului nu este folosită, tranzistorii de acces M și M deconectează celula de la liniile de biți. Cele două invertoare legate în stea, formate de M-M vor continua să se reîncarce reciproc cât timp sunt conectați la sursa de curent. Presupunem că în memorie este stocată valoarea 1 în dreptul Q. Ciclul de citire este inițiat preîncărcând
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
legate în stea, formate de M-M vor continua să se reîncarce reciproc cât timp sunt conectați la sursa de curent. Presupunem că în memorie este stocată valoarea 1 în dreptul Q. Ciclul de citire este inițiat preîncărcând ambele linii de biți cu 1 logic, apoi activând linia de cuvânt WL, activând ambii tranzistori de acces. Al doilea pas are loc atunci când valorile stocate in Q și Q sunt transferate la liniile de biți lăsând BL la valoarea preîncărcată și descărcând BL
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
de citire este inițiat preîncărcând ambele linii de biți cu 1 logic, apoi activând linia de cuvânt WL, activând ambii tranzistori de acces. Al doilea pas are loc atunci când valorile stocate in Q și Q sunt transferate la liniile de biți lăsând BL la valoarea preîncărcată și descărcând BL prin M și M la 0 logic. Pe partea BL, tranzistorii M și M leagă linia de bit cu V, 1 logic. În cazul în care conținutul de memorie ar fi fost
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
are loc atunci când valorile stocate in Q și Q sunt transferate la liniile de biți lăsând BL la valoarea preîncărcată și descărcând BL prin M și M la 0 logic. Pe partea BL, tranzistorii M și M leagă linia de bit cu V, 1 logic. În cazul în care conținutul de memorie ar fi fost un 0 logic, ar fi avut loc contrariul și BL ar fi fost legat cu 1 logic, iar BL cu 0 logic. Apoi, intre liniile BL
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
fost 1 sau 0 stocat în celula de memorie. Cu cât acest amplificator are o viteză mai mare, cu atât va fi mai mare viteza de citire din memorie. Ciclul de scriere este început prin aplicarea valorilor la liniile de biți. Dacă dorim sa scriem 0, vom aplica un 0 la liniile de biți, și anume vom aplica 1 la BL și 0 la BL. Acest lucru este similar cu aplicarea unui puls de reset la un SR-latch, ceea ce conduce la
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
are o viteză mai mare, cu atât va fi mai mare viteza de citire din memorie. Ciclul de scriere este început prin aplicarea valorilor la liniile de biți. Dacă dorim sa scriem 0, vom aplica un 0 la liniile de biți, și anume vom aplica 1 la BL și 0 la BL. Acest lucru este similar cu aplicarea unui puls de reset la un SR-latch, ceea ce conduce la schimbarea stării circuitului flip-flop. Un 1 logic este scris inversând valorile liniilor de
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
și anume vom aplica 1 la BL și 0 la BL. Acest lucru este similar cu aplicarea unui puls de reset la un SR-latch, ceea ce conduce la schimbarea stării circuitului flip-flop. Un 1 logic este scris inversând valorile liniilor de biți. WL este apoi activat și valoarea ce va fi scrisă este memorată. A se nota că motivul pentru care acest ciclu are loc, este faptul ca driverele liniilor de intrare sunt mult mai puternice decât tranzistorii relativ slabi din interiorul
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
Alexandru: It was totally unpredictable. Like în Vulcan, for instance. A gentleman who didn’ț know what was going on entered the theater. He interrupted me during the monologue and asked me to sing. Stuff like this can be a bit uncomfortable, but you have to handle it somehow. You can’ț tell that person to be quiet. You have to integrate him în the performance, make him understand what’s going on. Katia: Not to mention the post-performance discussions, which
„Am înțeles care e miza mea ca actor. Nu e vorba doar despre mine, e și despre celălalt” () [Corola-website/Science/295718_a_297047]
-
also talked about women, children, the elderly. And this was something very well received. [...] [caption id="attachment 1209" align="aligncenter" width="300"] Part of the UnderGround team at the entrance to Petrila mine. Photo: Vlad Petri, 2012.[/caption] Tell uș a bit about the people whose stories you perform. Katia: I play a 90-year-old lady who was a well-known seamstress în Petrila, and who later turned to making wreaths. She talks about what it’s like to be a miner’s wife
„Am înțeles care e miza mea ca actor. Nu e vorba doar despre mine, e și despre celălalt” () [Corola-website/Science/295718_a_297047]
-
fizică și fără memorie virtuală. Un program este format din mai multe module, fiecare modul conținând un segment de cod (program), unul de date și unul de stivă. La calculatoarele la care adresarea locală a memoriei se face pe 16 biți, iar adresarea este la nivel de octet, fiecare dintre aceste segmente nu poate depăși 64 Kiocteți. Pentru a forma programul executabil aceste module sunt montate de . Dacă editorul de legături nu primește alte instrucțiuni, structura programului va fi liniară, iar
Overlay (programare) () [Corola-website/Science/336424_a_337753]