1,190 matches
-
ieșire sau CW care depășește 2,5 W; sau ... c) O lungime de undă egală sau mai mare de 1900 nm și având o putere medie la ieșire sau CW care depășește 1 W. ... 3. Rețele formate din "laseri" cu semiconductori individuali, având oricare din caracteristicile următoare: a. O lungime de undă mai mică de 1400 nm și având o putere medie la ieșire sau CW care depășește 80 W; b. O lungime de undă egală sau mai mare de 1400
EUR-Lex () [Corola-website/Law/171459_a_172788]
-
sau CW care depășește 25 W; sau c. O lungime de undă egală sau mai mare de 1900 nm și având o putere medie la ieșire sau CW care depășește 10 W. 4. Seturi de rețele formate din "laseri" cu semiconductori conținând cel putin o rețea care este controlată de 6A005.b.3. Note tehnice: 1. "Laserii" cu semiconductori se numesc în mod obișnuit diode "laser". 2. O 'rețea' constă din emitori "laseri" cu semiconductori multipli, fabricați că un singur chip
EUR-Lex () [Corola-website/Law/171459_a_172788]
-
nm și având o putere medie la ieșire sau CW care depășește 10 W. 4. Seturi de rețele formate din "laseri" cu semiconductori conținând cel putin o rețea care este controlată de 6A005.b.3. Note tehnice: 1. "Laserii" cu semiconductori se numesc în mod obișnuit diode "laser". 2. O 'rețea' constă din emitori "laseri" cu semiconductori multipli, fabricați că un singur chip, astfel că centrele fasciculelor de lumină emise sunt pe un traiect paralel. 3. Un 'set de rețele' este
EUR-Lex () [Corola-website/Law/171459_a_172788]
-
de rețele formate din "laseri" cu semiconductori conținând cel putin o rețea care este controlată de 6A005.b.3. Note tehnice: 1. "Laserii" cu semiconductori se numesc în mod obișnuit diode "laser". 2. O 'rețea' constă din emitori "laseri" cu semiconductori multipli, fabricați că un singur chip, astfel că centrele fasciculelor de lumină emise sunt pe un traiect paralel. 3. Un 'set de rețele' este fabricat prin așezarea în teanc, sau asamblarea rețelelor, astfel că centrele fasciculelor de lumină emise sunt
EUR-Lex () [Corola-website/Law/171459_a_172788]
-
lumină emise sunt pe un traiect paralel. 3. Un 'set de rețele' este fabricat prin așezarea în teanc, sau asamblarea rețelelor, astfel că centrele fasciculelor de lumină emise sunt pe un traiect paralel. Notă 1: 6A005.b include "laserii" cu semiconductori cu conectoare optice de ieșire (de ex. dispozitive pentru fibre optice). Notă 2: Statutul de control al "laserilor" cu semiconductori special concepuți pentru alte echipamente, este determinat de statutul de control al acelor echipamente. c. "Laseri" cu solid, după cum urmează
EUR-Lex () [Corola-website/Law/171459_a_172788]
-
rețelelor, astfel că centrele fasciculelor de lumină emise sunt pe un traiect paralel. Notă 1: 6A005.b include "laserii" cu semiconductori cu conectoare optice de ieșire (de ex. dispozitive pentru fibre optice). Notă 2: Statutul de control al "laserilor" cu semiconductori special concepuți pentru alte echipamente, este determinat de statutul de control al acelor echipamente. c. "Laseri" cu solid, după cum urmează: 1. "Laseri" "acordabili" având una din următoarele caracteristici: Notă: 6A005.c.1 include "laseri" cu titan-safir [Ți: Al(2)O
EUR-Lex () [Corola-website/Law/171459_a_172788]
-
putin; 2. Tuburi cu baleiaj pentru camerele supuse controlului prin 6A203.b.1; 3. Camere electronice (sau cu obturare electronică) cu imagine secvențiala, capabile de un timp de expunere de 50 ns sau mai mic; 4. Tuburi integrate și dispozitive semiconductoare de formare a imaginii utilizate pentru camerele supuse controlului prin 6A203.b.3, după cum urmează: a. Tuburi intensificatoare de imagine având fotocatodul depus pe un strat transparent conductor în vederea descreșterii rezistenței plăcii fotocatodului; b. Tuburi intensificatoare vidicon bazate pe siliciu
EUR-Lex () [Corola-website/Law/171459_a_172788]
-
b. Tuburi intensificatoare vidicon bazate pe siliciu (SIT), cu grila în care un sistem rapid permite ghidarea fotoelectrozilor de pe fotocatod înainte de atingerea țintei multiplicatoare SIT; c. Cu obturatoare electro-optice cu celule Kerr sau Pockel; d. Alte tuburi integrate și dispozitive semiconductoare de formare a imaginii având un timp de rezoluție mai mic de 50 ns, special concepute pentru camerele supuse controlului prin 6A203.b.3; c. Camere TV rezistente la radiații, sau lentile pentru acestea, special concepute sau adaptate să suporte
EUR-Lex () [Corola-website/Law/171459_a_172788]
-
marilor corporații transnaționale de a avea o prezență fizică pe principalele piețe, ca parte a strategiei lor globale de producție și marketing. Astfel, cea mai mare parte a transnaționalelor din sectoarele dominate de mari oligopoliști (de exemplu, petrol, cauciucuri, farmacie, semiconductori și publicitate) operează atât În unități productive În fiecare din zonele Triadei (America de Nord, Europa Occidentalâ, Asia de Est și Sud-Est), cât și se angajează, din ce În ce mai mult, În activități de cercetare-dezvoltare În această zonă. Asemenea ISD pot fi realizate din rațiuni
INVESTIŢII INTERNAŢIONALE by ANATOLIE CARAGANCIU () [Corola-publishinghouse/Science/1243_a_2691]
-
mondiale și selectează acele tehnologii pe care le pot asimila În dependență de potențialul național; Necesitatea specializării aptitudinilor - cînd produsul inovațional devine complex sau multimodular se cere un larg spectru de aptitudini și specializări (cum ar fi proiectele În industria semiconductoarelor) și devine impracticabil ca o singură Întreprindere să dețină controlul asupra cercetărilor tehnico-științifice la toate etapele și aplicabilitate. Produsul inovațional devine separat pe verticală pentru mai multe companii. Creșterea aspectului multidisciplinar și multitehnologic al inovațiilor - această particularitate este veridică pentru
INVESTIŢII INTERNAŢIONALE by ANATOLIE CARAGANCIU () [Corola-publishinghouse/Science/1243_a_2691]
-
comenzilor (circuite integrate specializate, microcontrolere, etc) principiul de generarea a semnalelor de comandă are la bază una din strategiile modulație PWM (sinusoidală, fazorială, etc). Structura de forță poate fi implementată clasic (utilizând punți monofazate sau trifazate care conțin doar dispozitive semiconductoare de putere) sau folosind module de putere inteligente IPM, care conțin pe lângă dispozitivele de putere o serie de circuite aferente de comandă, protecție si diagnoză a funcționării. Acest ultim mod de realizare a părții de forță urmărește realizarea unor sisteme
Aplicaţii în electronica de putere by Ovidiu Ursaru, Cristian Aghion, Mihai Lucanu () [Corola-publishinghouse/Science/311_a_653]
-
punerea sub tensiune, linie serială Rs232 full-duplex, conectare directă a unui afișor cu cristale lichide. Programele pot fi realizate atât în ansambler cât și în limbaje de nivel înalt și sunt încărcate de la un PC prin linia serială. Deoarece dispozitivele semiconductoare nu sunt perfecte, există întotdeauna o durată de timp între trimiterea comenzi și realizarea sa. În consecință, pentru a evita cross conduction (conducția simultană a două dispozitive semiconductoare care se găsesc pe același braț al punții), se realizează o întârziere
Aplicaţii în electronica de putere by Ovidiu Ursaru, Cristian Aghion, Mihai Lucanu () [Corola-publishinghouse/Science/311_a_653]
-
de timp între trimiterea comenzi și realizarea sa. În consecință, pentru a evita cross conduction (conducția simultană a două dispozitive semiconductoare care se găsesc pe același braț al punții), se realizează o întârziere între comanda de blocarea a unui dispozitiv semiconductor și comanda de amorsare a celuilalt dispozitiv semiconductor. Acest timp de securitate se reflectă direct asupra momentelor de comutație și este denumit timpul mort. Principiul de generare a semnalelor de comanda a IGBT-urilor de pe un braț al punții și
Aplicaţii în electronica de putere by Ovidiu Ursaru, Cristian Aghion, Mihai Lucanu () [Corola-publishinghouse/Science/311_a_653]
-
În consecință, pentru a evita cross conduction (conducția simultană a două dispozitive semiconductoare care se găsesc pe același braț al punții), se realizează o întârziere între comanda de blocarea a unui dispozitiv semiconductor și comanda de amorsare a celuilalt dispozitiv semiconductor. Acest timp de securitate se reflectă direct asupra momentelor de comutație și este denumit timpul mort. Principiul de generare a semnalelor de comanda a IGBT-urilor de pe un braț al punții și definirea timpului mort (τ), poate fi urmărit comod
Aplicaţii în electronica de putere by Ovidiu Ursaru, Cristian Aghion, Mihai Lucanu () [Corola-publishinghouse/Science/311_a_653]
-
umplere ,,d,, a comenzii comutatorului, iar tensiunea de ieșire va scădea. Astfel, tensiunea de ieșire va apărea constantă, menținută de reacția negativă la valoarea dorită. Aplicația practică, prezentată în continuare, folosește pentru comandă circuitul integrat MC34166 produs de compania ON Semiconductor și are următorii parametri: tensiune de alimentare: 7,5V - 40V; curent de standby redus; limitare de current; curent de ieșire până la 3A; tensiune de ieșire reglabilă; referință de tensiune internă cu precizie de 2% (1,25V); În figura 10.6
Aplicaţii în electronica de putere by Ovidiu Ursaru, Cristian Aghion, Mihai Lucanu () [Corola-publishinghouse/Science/311_a_653]
-
și convertorul boost (stepup), este un convertor care lucrează în comutație furnizând pe sarcină o tensiune constantă și de valoare superioară celei de alimentare. Asemenea convertorului buck, convertorul boost conține cinci componente de bază: comutatorul S implementat cu un dispozitiv semiconductor de putere, o diodă de comutație, o inductanță, o capacitate și un controler PWM. Circuitul de bază este prezentat în figura 11.1. Când comutatorul S este închis (tranzistor saturat-ON), curentul iL prin inductanță crește, crescând concomitent și energia înmagazinată
Aplicaţii în electronica de putere by Ovidiu Ursaru, Cristian Aghion, Mihai Lucanu () [Corola-publishinghouse/Science/311_a_653]
-
majoritatea FTIR. Pentru obținerea unor sensibilități mărite se utilizează detectoare fotoconductoare din telurură de mercur și cadmiu, absorbția radiației IR promovează electronii neconductori din banda de valență pe nivele de energie superioare, din banda de conducție. Rezistența electrică a materialului semiconductor scade. Acești detectori îmbină caracteristicile unor pirodetectori cu fotodetectori Pregătirea probelor Probele solide se pot prepara în 3 moduri 1. prin amestecarea lor cu o substanță numită nujol (rășină organică transparentă IR, cu maximele 2950-2800, 1465-1450, si 1380-1370 cm-1), pasta
Aplicaţii practice privind sinteza şi caracterizarea compuşilor anorganici by Prof. dr. ing.Daniel Sutiman, Conf. dr. ing. Adrian Căilean, Ş.l. dr. ing. Doina Sibiescu, Ş.l. dr. chim. Mihaela Vizitiu, Asist. dr.chim. Gabriela Apostolescu () [Corola-publishinghouse/Science/314_a_634]
-
fenomenelor pe care aceste teorii mai primitive le pot descrie. Acest lucru nu mai este valabil pentru așa-numita teorie a electronului liber, care dă o imagine uimitor de precisă despre multe, dacă nu chiar foarte multe, proprietăți ale metalelor, semiconductorilor și izolatorilor. În particular, acest lucru explică faptul, niciodată înțeles cum trebuie pe baza teoriei "reale", că izolatorii prezintă o rezistență specifică la electricitate ce poate fi de 1026 ori mai mare decât cea a metalelor. De fapt, nu există
by VIOREL BARBU [Corola-publishinghouse/Science/1112_a_2620]
-
prejudicii: 1. Violența. De cele mai multe ori se concretizează prin amplasarea bombelor sau provocarea de incendii în centrele de prelucrare automată a datelor. 2. Furtul de obiecte. Aici intră sustragerea unor obiecte cum sunt suporturile magnetice, terminalele, calculatoarele personale, îndeosebi laptopurile, semiconductorii, și nu banii. 3. Delapidarea. Angajații „șterpelesc” bani din sistemul informatic. 4. Escrocheria. Furnizorii de hard și soft înșeală printr-o descriere eronată a produselor pe care le comercializează. 5. Abuzul. Angajații, apelând la statutul de utilizatori ai sistemului, folosesc
[Corola-publishinghouse/Science/2140_a_3465]
-
Super 301 din Acordul Comercial cu SUA din 1989; discuțiile bilaterale referitoare la Inițiativele privind Impedimentele Structurale (SII) din 1990; și disputele privind dezvoltarea în comun a unor avioane de vânătoare; precum și tensiunile crescute referitoare la comerțul cu automobile și semiconductori (Sasae, 1994, pp. 22-23; vezi și Mastanduno, 1991; Bhagwati, 1996; Hook ș.a., 2001, pp. 109-113). În anii 1990 a existat și o tendință a japonezilor de a-și deschide piețele ca reacție la gaitsu presiunile externe. Într-un studiu asupra
by Ewan Harrison [Corola-publishinghouse/Science/1059_a_2567]
-
din |Tăierea obiectelor de sticlă cu | | | |sticlă pentru conserve, dopuri, |condiția că valoarea totală a sticlei | | | |capace și alte dispozitive de |netăiata folosită să nu depășească 50%| | | |închidere, din sticlă |din prețul de uzina al produsului | | +------------+---------------------------------+--------------------------------------+----------------------+ | *) SEMII - Institutul de Echipamente Semiconductoare și Materiale (Semiconductor Equipment and Materials | |Institute Incorporated). | +------------+---------------------------------+--------------------------------------+----------------------+ | 7013 |Obiecte din sticlă pentru |Fabricare din materiale de la orice | | | |serviciu de masă, pentru |poziție, cu excepția celei la care se | | | |bucătărie, baie, birou, pentru |încadrează produsul | | | |decorarea apartamentelor sau |sau | | | |pentru scopuri
EUR-Lex () [Corola-website/Law/173656_a_174985]
-
uzina al produsului | | | |capitolul 90, ca și aparatele cu | | | | |control numeric, altele decât | | | | |aparatele de comutare de la | | | | |poziția 8517 | | | | ex 8541 |Diode, tranzistori și alte |Fabricare: |Fabricare la care | | |dispozitive similare cu |- din materiale de la orice poziție cu|valoarea tuturor | | |semiconductori, cu excepția |excepția celei la care se |materialelor folosite | | |discurilor nedecupate încă în |încadrează produsul și |nu trebuie să | | |microplachete |- la care valoarea tuturor |depășească 25% din | | | |materialelor folosite nu trebuie să |prețul de uzina al | | | |depășească 40% din prețul de
EUR-Lex () [Corola-website/Law/173656_a_174985]
-
depășească 25% din | | | |tuturor materialelor folosite de la |prețul de uzina al | | | |poziția 8541 și 8542 nu trebuie să |produsului | | | |depășească 10% din prețul de uzina al | | | | |produsului | | | | |sau | | | | |operațiunea de difuzie (la care | | | | |circuitele integrate sunt formate pe | | | | |un substrat semiconductor prin | | | | |introducerea selectivă a unui | | | | |stimulator corespunzător), chiar | | | | |asamblata și/sau testată într-o țară, | | | | |alta decât cele specificate la | | | | |articolele 3 și 4 | | | |- Altele |Fabricare la care: |Fabricare la care | | | |- valoarea tuturor materialelor |valoarea tuturor | | | |folosite nu trebuie să
EUR-Lex () [Corola-website/Law/173656_a_174985]
-
Tuburi catodice pentru televizoare și monitoare video 8540(.1 -.6) 3210.42 Tuburi pentru frecvente înalte 8540(.7, .8) 3210.5 Diode și tranzistori 3210.51 Diode, tranzistori, tiristori, diaci și triaci 8541(.10-.30) 3210.52 Dispozitive fotosensibile cu semiconductori, 8541 (.40-.60) celule fotovoltaice asamblate în module sau constituite în panouri; diode emițătoare de lumină; alte dispozitive cu semiconductori, cristale piezoelectrice montate 3210.6 Circuite electronice integrate 3210.61 Cartele care încorporează un circuit electronic 8542.1 integrat ('cartele
EUR-Lex () [Corola-website/Law/151323_a_152652]
-
5 Diode și tranzistori 3210.51 Diode, tranzistori, tiristori, diaci și triaci 8541(.10-.30) 3210.52 Dispozitive fotosensibile cu semiconductori, 8541 (.40-.60) celule fotovoltaice asamblate în module sau constituite în panouri; diode emițătoare de lumină; alte dispozitive cu semiconductori, cristale piezoelectrice montate 3210.6 Circuite electronice integrate 3210.61 Cartele care încorporează un circuit electronic 8542.1 integrat ('cartele inteligente') 3210.62 Alte circuite integrate 8542(.2 -.7) 3210.7 Părți de componente electronice 3210.71 Elemente pentru condensatori
EUR-Lex () [Corola-website/Law/151323_a_152652]