1,252 matches
-
(n. 11 iunie 1933 (22 mai) d. 2 aprilie 2014) doctor habilitat, profesor universitar, membru corespondent al Academiei de Științe a Moldovei, în trecut: șeful Catedrei Microelectronica și Dispozitive cu Semiconductori din cadrul Facultății de Calculatoare, Informatică și Microelectronică a Universității Tehnice a Moldovei. Domeniile cercetărilor științifice: Fizica și Tehnica Semiconductorilor și Dielectricilor; Dispozitive Semiconductoare; Microelectronica. A publicat peste 200 lucrări științifice, 5 monografii, peste 80 referate la Conferințe Științifice Internaționale și
Teodor Șișianu () [Corola-website/Science/311100_a_312429]
-
2014) doctor habilitat, profesor universitar, membru corespondent al Academiei de Științe a Moldovei, în trecut: șeful Catedrei Microelectronica și Dispozitive cu Semiconductori din cadrul Facultății de Calculatoare, Informatică și Microelectronică a Universității Tehnice a Moldovei. Domeniile cercetărilor științifice: Fizica și Tehnica Semiconductorilor și Dielectricilor; Dispozitive Semiconductoare; Microelectronica. A publicat peste 200 lucrări științifice, 5 monografii, peste 80 referate la Conferințe Științifice Internaționale și Naționale.
Teodor Șișianu () [Corola-website/Science/311100_a_312429]
-
universitar, membru corespondent al Academiei de Științe a Moldovei, în trecut: șeful Catedrei Microelectronica și Dispozitive cu Semiconductori din cadrul Facultății de Calculatoare, Informatică și Microelectronică a Universității Tehnice a Moldovei. Domeniile cercetărilor științifice: Fizica și Tehnica Semiconductorilor și Dielectricilor; Dispozitive Semiconductoare; Microelectronica. A publicat peste 200 lucrări științifice, 5 monografii, peste 80 referate la Conferințe Științifice Internaționale și Naționale.
Teodor Șișianu () [Corola-website/Science/311100_a_312429]
-
ascensiune în cadrul aceluiași institut - cercetător științific superior (1983-1989); cercetător științific coordonator (1989-1991); cercetător științific principal (1991-1992); șef de Laborator Fizica Temperaturilor Joase (1992-1996); șef de Laborator LISES (1996-2006). În 1990 susține teza de doctor habilitat in stiințe fizico-matematice, specialitatea „Fizica semiconductorilor și dielectricilor”. După divizarea IFA și crearea Institutului de Inginerie Electronică și Tehnologii Industriale ocupă, din 2006 și până în prezent, funcția de cercetător științific principal în cadrul acestuia [1]. Paralel, efectuează stagii de perfecționare și postdoctorale la Centrul Internațional de Cercetări
Valeriu Canțer () [Corola-website/Science/311109_a_312438]
-
științifico-didactic de profesor universitar, la Universitatea de Stat din Moldova [1]. Valeriu Canțer a dezvoltat direcția științifică „Fizica proceselor electronice în materiale și nanostructuri cu anizotropie a caracteristicilor cvasiparticulelor”. Cercetările legate de dezvoltarea teoriei structurii și proprietăților electronice ale compușilor semiconductori și supraconductori, precum și ale structurilor cuantice, investigarea efectelor electronice de ordonare și coexistența mai multor faze, elaborarea tehnologiilor și principiilor fizice noi în proiectarea microdispozitivelor electronice s-au materializat într-o serie de rezultate valoroase. Dintre ele pot fi menționate
Valeriu Canțer () [Corola-website/Science/311109_a_312438]
-
fizice noi în proiectarea microdispozitivelor electronice s-au materializat într-o serie de rezultate valoroase. Dintre ele pot fi menționate următoarele: în baza conceptului de ierarhizare a ordonărilor în rețeaua unui compus, a fost dezvoltată teoria structurii electronice a unor semiconductori complecși; a fost identificat efectul de inversie a spectrului în aliaje de semiconductori de simetrie diferită și efectul de inversie dublă; a fost generalizată metoda variațională de studiu a fenomenelor de transport în cristalele anizotrope; au fost prezise și studiate
Valeriu Canțer () [Corola-website/Science/311109_a_312438]
-
rezultate valoroase. Dintre ele pot fi menționate următoarele: în baza conceptului de ierarhizare a ordonărilor în rețeaua unui compus, a fost dezvoltată teoria structurii electronice a unor semiconductori complecși; a fost identificat efectul de inversie a spectrului în aliaje de semiconductori de simetrie diferită și efectul de inversie dublă; a fost generalizată metoda variațională de studiu a fenomenelor de transport în cristalele anizotrope; au fost prezise și studiate stări electronice topologice și efecte noi termoelectrice și spintronice în structurile semiconductoare cuantice
Valeriu Canțer () [Corola-website/Science/311109_a_312438]
-
de studiu a fenomenelor de transport în cristalele anizotrope; au fost prezise și studiate stări electronice topologice și efecte noi termoelectrice și spintronice în structurile semiconductoare cuantice; au fost evidențiate mecanisme noi de formare a stărilor de interfață în nanostructuri semiconductoare și supraconductoare; a fost propus un model nou al stărilor de impurități în heterojoncțiuni și gropi cuantice; a fost identificat efectul de amplificare a cuantificării dimensionale prin anizotropie; a fost propusă o metodă nouă de caracterizare a fenomenelor de transport
Valeriu Canțer () [Corola-website/Science/311109_a_312438]
-
Republican de Expertiză de pe lîngă Consiliului Suprem pentru Știință și Dezvoltare Tehnologică (1999-2003); membru al Colegiului Ministerului Economiei (2002-2004); membru al Plenarei Comisiei Supreme de Atestare (2002-2004); membru al Comisiei de Expertiză a CNAA (1993-2008); membru al Consiliilor Specializate „Fizica Semiconductorilor și dielectricilor”,“Fizica teoretică”,“Fizica corpului solid” pentru conferirea gradelor științifice (1990 - 2004); membru al Consiliului Guvernamental pentru Energie Regenerabilă (2006-prezent) ș.a. [1]. Participă la organizarea conferințelor internaționale desfășurate în Republica Moldova, fiind președintele Comitetului de Program al Conferinței Internaționale "Știința
Valeriu Canțer () [Corola-website/Science/311109_a_312438]
-
la proiectarea și construirea unui oscilator cuantic în domeniul optic. Un grup de teoriticieni și cercetători au început să studieze posibilitățile realizării unui oscilator cuantic prin intermediul semiconductoarelor. Popov a investigat condițiile de producere a stărilor cu o temperatură negativă în semiconductori și a sugerat utilizarea unui puls răspândit. În 1961, împreună cu O.N. Krokhin și Yu.M. Popov, Basov a propus trei metode diferite pentru a obtine temperaturi negative în semiconductori în prezența directă și indirectă a tranzițiilor (excitare optică, utilizarea
Nikolai Basov () [Corola-website/Science/311184_a_312513]
-
condițiile de producere a stărilor cu o temperatură negativă în semiconductori și a sugerat utilizarea unui puls răspândit. În 1961, împreună cu O.N. Krokhin și Yu.M. Popov, Basov a propus trei metode diferite pentru a obtine temperaturi negative în semiconductori în prezența directă și indirectă a tranzițiilor (excitare optică, utilizarea unui fascicul cu electroni rapizi). În 1964, laserii cu semiconductori și excitații electronice au fost realizați (împreună cu O.V. Bogdankevich și A.N. Devyatkov); și ceva mai tarziu, laserii cu
Nikolai Basov () [Corola-website/Science/311184_a_312513]
-
împreună cu O.N. Krokhin și Yu.M. Popov, Basov a propus trei metode diferite pentru a obtine temperaturi negative în semiconductori în prezența directă și indirectă a tranzițiilor (excitare optică, utilizarea unui fascicul cu electroni rapizi). În 1964, laserii cu semiconductori și excitații electronice au fost realizați (împreună cu O.V. Bogdankevich și A.N. Devyatkov); și ceva mai tarziu, laserii cu excitații optice au fost construiți (împreună cu A.Z. Grasiuk și V.A. Katulin). Pentru aceste realizări ale grupului de cercetători
Nikolai Basov () [Corola-website/Science/311184_a_312513]
-
O diodă tunel sau diodă Esaki este un tip de diodă semiconductoare capabilă de operare la viteze foarte mari, în domeniul microundelor (frecvențe de ordinul gigahertzilor), utilizând efecte cuantice. Numele de "diodă Esaki" vine de la Leo Esaki, care în 1973 a primit Premiul Nobel pentru Fizică pentru descoperirea tunelării electronilor, efect folosit
Diodă tunel () [Corola-website/Science/311221_a_312550]
-
care convertesc lumina soarelui direct în energie electrică. Celulelor solare erau înainte folosite adesea pentru alimentarea, fără baterii electrice, a calculatoarelor de buzunar și a ceasurilor. Ele sunt fabricate din materiale semiconductoare similare cu cele utilizate în electronică la cipurile semiconductoare din componența dispozitivelor semiconductoare. Când lumina soarelui este absorbită de aceste materiale, cu participarea particulelor subatomice, și fluxul dirijat de electroni ce ia naștere, reprezintă electricitate. Acest proces de conversie a energiei luminii în energie electrică se numește efect fotovoltaic
Energie solară fotovoltaică () [Corola-website/Science/312820_a_314149]
-
direct în energie electrică. Celulelor solare erau înainte folosite adesea pentru alimentarea, fără baterii electrice, a calculatoarelor de buzunar și a ceasurilor. Ele sunt fabricate din materiale semiconductoare similare cu cele utilizate în electronică la cipurile semiconductoare din componența dispozitivelor semiconductoare. Când lumina soarelui este absorbită de aceste materiale, cu participarea particulelor subatomice, și fluxul dirijat de electroni ce ia naștere, reprezintă electricitate. Acest proces de conversie a energiei luminii în energie electrică se numește efect fotovoltaic. De aceea, celulele fotovoltaice
Energie solară fotovoltaică () [Corola-website/Science/312820_a_314149]
-
descrisă ca o undă. Din acest motiv, un electron poate fi văzut ca o undă, ca sunetul sau undele de pe suprafața apei. Această tehnică este similară cu difracția razelor X și difracția neutronilor. este cel mai adesea folosită în fizica semiconductorilor și în chimie pentru a studia structura cristalină a solidelor. Aceste experimente sunt de regulă efectuate într-un microscop electronic cu transmisie (MET), sau cu scanare (MES). În aceste instrumente, electronii sunt accelerați de un potențial electrostatic pentru a căpăta
Difracția electronilor () [Corola-website/Science/310989_a_312318]
-
va apărea o tensiune Hall U", unde "p" și "n" sunt concentrațiile purtătorilor de sarcină pozitivă, respectiv negativă, iar μ<sub>p</sup> și μ<sub>n</sup> sunt mobilitățile purtătorilor. Fie că este vorba de conductori metalici sau de semiconductori, tensiunea Hall poate să întrețină într-un circuit exterior un curent electric, ceea ce permite realizarea de generatoare Hall. De asemenea, efectul Hall poate fi folosit pentru măsurarea câmpurilor magnetice, obținându-se traductorii Hall. Senzorii pe baza efectului Hall sunt folosiți
Efectul Hall () [Corola-website/Science/309640_a_310969]
-
x86 din lume, după Intel, și al treilea producător de procesoare grafice. În 2007 era pe locul 11 în lume în producția de semiconductoare. Compania a fost fondată la 1 mai 1969 de un grup de foști angajați ai Fairchild Semiconductor, printre ei numărându-se și Walter Jeremiah Sanders III, conducătorul AMD până în anul 2000. A produs la început circuite logice, apoi, din 1975, circuite RAM și clone ale procesorului Intel 8080. După o perioadă de încercări de diversificare, compania a
Advanced Micro Devices () [Corola-website/Science/308999_a_310328]
-
din segmentul AȚI Graphics și alte caracteristici. În plus AMD a lăsat valabilă opțiunea de colaborare cu așa companii că VIA, ȘiȘ și Nvidia, precum și furnizorii de produse fără fir (en:Wireless). În februarie 2002, AMD a achiziționat compania Alchemy Semiconductor și a continuat să dezvolte linia să de procesoare bazate pe arhitectură MIPS care să concentrat asupra piețelor de industria calculatoarelor de buzunar și a sistemelor multimedia portabile. La 13 iunie 2006, AMD a anunțat oficial că linia de procesoare
Advanced Micro Devices () [Corola-website/Science/308999_a_310328]
-
de uz militar. Într-un exemplu, aproape 100,000 de bărbați și femei din Auschwitz au muncit într-o fabrică Siemens situată în interiorul lagărului ce furniza energie electrică lagărului.. În anii 1950 S&H începe fabricarea de calculatoare, dispozitive cu semiconductori, mașini de spălat și stimulatoare cardiace la noul sediu din Bavaria. Siemens AG devine corporație în 1966. Prima centrală telefonică digitală a companiei este produsă în 1980. În 1988 Siemens și GEC achiziționează compania britanică de tehnologie de apărare Plessey
Siemens AG () [Corola-website/Science/309013_a_310342]
-
Siemens acceptă să vândă departamentul de apărare a Siemens Plessey către British Aerospace (BAe) și o agenție guvernamentală britanică, Defence Analytical Services Agency (DASA). BAe și DASA au achiziționat diviziile britanică și germană ale acestui departament. În 1999, afacerile cu semiconductori ale Siemens sunt comasate într-o nouă companie numită Infineon Technologies. De asemeni, Siemens Nixdorf Informationssysteme AG devine în același an o parte a Fujitsu Siemens Computers AG. Partea de tehnologie bancară devine Wincor Nixdorf. În Februarie 2003, Siemens își
Siemens AG () [Corola-website/Science/309013_a_310342]
-
le era interzis să cumpere acțiuni Samsung (Samsung Electronics). Samsung a prosperat semnificativ pe piața internă. Mai târziu, Grupul Samsung s-a divizat în mai multe ramuri, precum Samsung Elecron Devices Co., Samsung Elecro-Mechanics Co., Samsung Corning Co. și Samsung Semiconductor & Telecommunications Co., toate fiind grupate sub numele de Samsung Electronics Co., Ltd., în anii 1980. Primul produs al companiei a fost un televizor alb-negru. La sfârșitul anilor 80’ și începutul anilor 90’, Samsung Electronics a investit masiv în cercetare și
Samsung Group () [Corola-website/Science/309077_a_310406]
-
o societate pe acțiuni de 5 miliarde de dolari, a fost vândută în pierdere grupului Renault. Cel mai important, Samsung Elecronics (SEC) s-a desprins de Grupul Samsung și de atunci a ajuns să domine grupul și întreaga afacere cu semiconductori, depășind până și liderul mondial în investiții - Intel - în anul fiscal 2005. Brand-ul Samsung s-a îmbunătățit semnificativ în ultimii ani. Considerat de către rivalii săi ca fiind un competitor de temut, Samsung Electronics și-a extins foarte mult producția
Samsung Group () [Corola-website/Science/309077_a_310406]
-
acuzație legată de o înțelegere secretă privind fixarea prețului pentru DRAM, între anii 1999 și 2002, ce a discreditat competiția și a crescut prețul computerelor. În urma unei înțelegeri cu procurorii, Samsung Electronics Co. Ltd. și filiala sa din Statele Unite, Samsung Semiconductor Inc., au plătit o amendă de 300 milioane de dolari. În urma acestei investigații, Hynix a trebuit să plătească 185 milioane de dolari în 2005, iar Infineon 160 milioane de dolari în 2004. Micron Technology, firma din Statele Unite de la care s-
Samsung Group () [Corola-website/Science/309077_a_310406]
-
plus, cinci directori executivi de la Samsung, împreună cu câte patru directori de la Infineon și Hynix, precum și câte unul de la Elpida și Micron Technologies au primit condamnare cu închisoarea, cea mai lungă sentință, de 10 luni, fiind Young Hwan Park, președintele Samsung Semiconductor Inc. În octombrie 2006, compania Samsung a fost iarăși citată într-o amplă investigație în industrie legată de fixarea prețului la SRAM, împreună cu Mitsubishi, Sony, Toshiba și Cypress Semiconductor. În prezent, Samsung menține o politică strictă în Coreea, fără un
Samsung Group () [Corola-website/Science/309077_a_310406]