905 matches
-
CR2032: aă Caracteristica tensiune-curent de descărcare la 50% descărcare; bă Capacitate disponibilă în funcție de curentul de descărcare. Utilizarea bateriilor cu litiu impune respectarea anumitor precauții în utilizare - este necesar un circuit de limitare care să prevină încărcarea bateriei, de obicei o diodă în serie. Pentru evitarea oricăror probleme în cazul defectării diodei, se introduce în serie cu bateria un rezistor de limitare a curentului invers (de încărcareă, calculat astfel încât curentul să nu depășească 5mA. De asemenea, este interzisă sudarea/lipirea de fire
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1090]
-
Capacitate disponibilă în funcție de curentul de descărcare. Utilizarea bateriilor cu litiu impune respectarea anumitor precauții în utilizare - este necesar un circuit de limitare care să prevină încărcarea bateriei, de obicei o diodă în serie. Pentru evitarea oricăror probleme în cazul defectării diodei, se introduce în serie cu bateria un rezistor de limitare a curentului invers (de încărcareă, calculat astfel încât curentul să nu depășească 5mA. De asemenea, este interzisă sudarea/lipirea de fire sau terminale pe corpul bateriei, soluția este alegerea din oferta
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1090]
-
de componente care să limiteze impulsurile de curent și tensiunile induse ce apar în timpul unei descărcări electrostatice. Aceste componente pot fi pasive (rezistoare serie, condensatoare de decuplare, perle de ferită, varistoare, filtreă sau dispozitive supresoare active ( TVS -Transient Voltage Supressor-, diode, tiristoareă. Alegerea dispozitivului supresor se face în funcție de subcircuitul pe care trebuie să-l protejeze și de nivelul ESD preconizat. Un exemplu de protecție contra descărcărilor electrostatice este prezentat în figura 7.5 ([24]Ă și vizează un modul cu microcontroler
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1090]
-
perturbații electromagnetice Identificarea și măsurarea sursei este esențială, deoarece tipul sursei determină care din măsurile următoare trebuie luată: * limitarea perturbațiilor generate (de exemplu: de un contactor prin instalarea unui circuit RC în paralel cu bobina de c.a, sau o diodă pe bobina de c.c.); * anularea cuplajului parazit (de exemplu: separarea fizică a două elemente incompatibile); * insensibilizarea victimei (de exemplu: folosirea ecranelor). Orice echipament sau fenomen fizic (electric, electromagnetic) care emite o perturbație ce se transmite prin conducție, radiație sau
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
regim de amplificator linear (Fig.2.9a), cât și de releu (Fig.2.9b). In acest ultim caz, amplificatorul magnetic este prevăzut cu reacție, atât externă (curentul de reacție Ir), cât și internă (regim autosaturat cu reacție pe cale magnetică, prin diodele D1, D2). Factorul total de reacție devine astfel supraunitar, caracteristica Is(Ic) fiind rotită atât de mult încât, pe proțiunea P1N1, panta sa devine negativă ( Fig.2.17b). La variația lentă a curentului de comandă Ic apar fenomene de discontinuitate
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
VAR, Fig.2.27c). Capitolul 3 PERTURBAȚII SPECIFICE DISPOZITIVELOR SEMICONDUCTOARE ȘI CONVERTOARELOR ELECTRONICE DE PUTERE 3.1. Dispozitive semiconductoare de putere Dispozitivele semiconductoare de putere sunt rezistoare, comandate sau nu, cu caracter puternic nelinear. Principalele dispozitive semiconductoare de putere sunt: dioda, tiristorul, triacul, tiristorul cu blocare pe poartă (GTO), tranzistorul bipolar de putere, tranzistorul cu grilă izolată (IGBT), tiristorul controlat MOS (MCT). 3.1.1. Dioda Dioda este formată dintr-o joncțiune pn, realizată într-un monocristal de siliciu sau germaniu
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
sunt rezistoare, comandate sau nu, cu caracter puternic nelinear. Principalele dispozitive semiconductoare de putere sunt: dioda, tiristorul, triacul, tiristorul cu blocare pe poartă (GTO), tranzistorul bipolar de putere, tranzistorul cu grilă izolată (IGBT), tiristorul controlat MOS (MCT). 3.1.1. Dioda Dioda este formată dintr-o joncțiune pn, realizată într-un monocristal de siliciu sau germaniu, având contacte metalice atașate celor două regiuni, anod (pe zona p), respectiv catod (atașat zonei n), Fig.2.1. În Fig.2.2 este reprezentată
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
rezistoare, comandate sau nu, cu caracter puternic nelinear. Principalele dispozitive semiconductoare de putere sunt: dioda, tiristorul, triacul, tiristorul cu blocare pe poartă (GTO), tranzistorul bipolar de putere, tranzistorul cu grilă izolată (IGBT), tiristorul controlat MOS (MCT). 3.1.1. Dioda Dioda este formată dintr-o joncțiune pn, realizată într-un monocristal de siliciu sau germaniu, având contacte metalice atașate celor două regiuni, anod (pe zona p), respectiv catod (atașat zonei n), Fig.2.1. În Fig.2.2 este reprezentată caracteristica
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
pn, realizată într-un monocristal de siliciu sau germaniu, având contacte metalice atașate celor două regiuni, anod (pe zona p), respectiv catod (atașat zonei n), Fig.2.1. În Fig.2.2 este reprezentată caracteristica volt amper statică a unei diode. Aplicând la anod o tensiune pozitivă față de catod va apărea un curent, odată ce bariera de potențial (0,5-0,6 V pentru siliciu sau 0,2-0,3 V pentru germaniu) a fost depășită și o cădere de tensiune directă de ordinul
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
un curent, odată ce bariera de potențial (0,5-0,6 V pentru siliciu sau 0,2-0,3 V pentru germaniu) a fost depășită și o cădere de tensiune directă de ordinul a 0,8-1,5 V la valoarea curentului nominal al diodei, pentru o diodă cu Si. La aplicarea unei tensiuni inverse prin diodă va circula un curent invers foarte mic (de ordinul µA sau nA), numit curent rezidual sau de fugă (IR). Dacă tensiunea inversă crește peste o anumită valoare, se
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
bariera de potențial (0,5-0,6 V pentru siliciu sau 0,2-0,3 V pentru germaniu) a fost depășită și o cădere de tensiune directă de ordinul a 0,8-1,5 V la valoarea curentului nominal al diodei, pentru o diodă cu Si. La aplicarea unei tensiuni inverse prin diodă va circula un curent invers foarte mic (de ordinul µA sau nA), numit curent rezidual sau de fugă (IR). Dacă tensiunea inversă crește peste o anumită valoare, se produce fenomenul multiplicării
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
sau 0,2-0,3 V pentru germaniu) a fost depășită și o cădere de tensiune directă de ordinul a 0,8-1,5 V la valoarea curentului nominal al diodei, pentru o diodă cu Si. La aplicarea unei tensiuni inverse prin diodă va circula un curent invers foarte mic (de ordinul µA sau nA), numit curent rezidual sau de fugă (IR). Dacă tensiunea inversă crește peste o anumită valoare, se produce fenomenul multiplicării în avalanșă a purtătorilor de sarcină și joncțiunea se
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
foarte mic (de ordinul µA sau nA), numit curent rezidual sau de fugă (IR). Dacă tensiunea inversă crește peste o anumită valoare, se produce fenomenul multiplicării în avalanșă a purtătorilor de sarcină și joncțiunea se străpunge. Tensiunea inversă, la care dioda se poate distruge din cauza creșterii curentului invers, se numește tensiune de străpungere (VBR). Caracteristicile directă și inversă sunt dependente de temperatura joncțiunii. Caracteristica statică I(U) este nelineară și poate fi aproximată analitic prin relația: (3.1) unde IR este
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
este curentul rezidual, UT=kT/e tensiunea termică temperatura absolută, k=8,62·10-5 [eV/0K]-constanta lui Boltzman, e=1,6·10-19 [ C]-sarcina electronului, U-tensiunea aplicată. La polarizare directă (U>0), pentru ,U3U T> se obține: (3.2) dioda conduce și curentul crește rapid, chiar la variații mici de tensiune. La polarizare inversă (U<0), pentru , (3.3) dioda este blocată, având un curent invers de mică valoare. În aplicațiile electronice de putere este important ca durata procesului de
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
1,6·10-19 [ C]-sarcina electronului, U-tensiunea aplicată. La polarizare directă (U>0), pentru ,U3U T> se obține: (3.2) dioda conduce și curentul crește rapid, chiar la variații mici de tensiune. La polarizare inversă (U<0), pentru , (3.3) dioda este blocată, având un curent invers de mică valoare. În aplicațiile electronice de putere este important ca durata procesului de comutație al diodei semiconductoare să fie cât mai mic. Capacitatea parazită a diodei introduce întârzieri în procesul de comutație. Un
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
curentul crește rapid, chiar la variații mici de tensiune. La polarizare inversă (U<0), pentru , (3.3) dioda este blocată, având un curent invers de mică valoare. În aplicațiile electronice de putere este important ca durata procesului de comutație al diodei semiconductoare să fie cât mai mic. Capacitatea parazită a diodei introduce întârzieri în procesul de comutație. Un timp de blocare de valoare mare micșorează frecvența maximă la care poate fi utilizată dioda și mărește pierderile de comutație, ceea ce duce la
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
polarizare inversă (U<0), pentru , (3.3) dioda este blocată, având un curent invers de mică valoare. În aplicațiile electronice de putere este important ca durata procesului de comutație al diodei semiconductoare să fie cât mai mic. Capacitatea parazită a diodei introduce întârzieri în procesul de comutație. Un timp de blocare de valoare mare micșorează frecvența maximă la care poate fi utilizată dioda și mărește pierderile de comutație, ceea ce duce la încălzirea excesivă a dispozitivului în timpul funcționării. Raportat la durata timpului
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
este important ca durata procesului de comutație al diodei semiconductoare să fie cât mai mic. Capacitatea parazită a diodei introduce întârzieri în procesul de comutație. Un timp de blocare de valoare mare micșorează frecvența maximă la care poate fi utilizată dioda și mărește pierderile de comutație, ceea ce duce la încălzirea excesivă a dispozitivului în timpul funcționării. Raportat la durata timpului de revenire al diodei, se poate considera că tranziția unei diode din starea blocată în starea de conducție este practic instantanee. 3
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
procesul de comutație. Un timp de blocare de valoare mare micșorează frecvența maximă la care poate fi utilizată dioda și mărește pierderile de comutație, ceea ce duce la încălzirea excesivă a dispozitivului în timpul funcționării. Raportat la durata timpului de revenire al diodei, se poate considera că tranziția unei diode din starea blocată în starea de conducție este practic instantanee. 3.1.2. Tiristorul Tiristorul, numit și diodă comandată, este un dispozitiv semiconductor cu siliciu care are o structură formată din patru straturi
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
de valoare mare micșorează frecvența maximă la care poate fi utilizată dioda și mărește pierderile de comutație, ceea ce duce la încălzirea excesivă a dispozitivului în timpul funcționării. Raportat la durata timpului de revenire al diodei, se poate considera că tranziția unei diode din starea blocată în starea de conducție este practic instantanee. 3.1.2. Tiristorul Tiristorul, numit și diodă comandată, este un dispozitiv semiconductor cu siliciu care are o structură formată din patru straturi semiconductoare în serie pnpn ce formează astfel
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
duce la încălzirea excesivă a dispozitivului în timpul funcționării. Raportat la durata timpului de revenire al diodei, se poate considera că tranziția unei diode din starea blocată în starea de conducție este practic instantanee. 3.1.2. Tiristorul Tiristorul, numit și diodă comandată, este un dispozitiv semiconductor cu siliciu care are o structură formată din patru straturi semiconductoare în serie pnpn ce formează astfel trei joncțiuni. Tiristorul are trei electrozi: anodul A, conectat la stratul marginal p, catodul K, atașat stratului marginal
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
se prezintă caracteristica unui tiristor cu poarta în gol (IG=0). În acest caz, joncțiunile pn ale tiristorului pot fi înlocuite cu o schemă echivalentă compusă din trei joncțiuni înseriate. Caracteristica inversă (K+) a tiristorului seamănă cu cea a unei diode, iar caracteristica directă (A+) arată că numai curentul rezidual direct (ID) circulă până la atingerea tensiunii de străpungere în avalanșă (tensiunea de întoarcere sau basculare), VBO (breakover voltage), a joncțiunii mediane de comandă, J2. Odată atinsă tensiunea de întoarcere, tiristorul intră
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
rezidual direct (ID) circulă până la atingerea tensiunii de străpungere în avalanșă (tensiunea de întoarcere sau basculare), VBO (breakover voltage), a joncțiunii mediane de comandă, J2. Odată atinsă tensiunea de întoarcere, tiristorul intră în conducție și dispozitivul se comportă ca o diodă (cu două joncțiuni înseriate) în conducție, ceea ce dă o cădere de tensiune în direct de aproximativ două ori mai mare decât în cazul unei diode. Curentul care parcurge tiristorul în această situație va fi dictat, în special, de sarcina circuitului
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
Odată atinsă tensiunea de întoarcere, tiristorul intră în conducție și dispozitivul se comportă ca o diodă (cu două joncțiuni înseriate) în conducție, ceea ce dă o cădere de tensiune în direct de aproximativ două ori mai mare decât în cazul unei diode. Curentul care parcurge tiristorul în această situație va fi dictat, în special, de sarcina circuitului. Deoarece tensiunea de întoarcere este de ordinul sutelor de volți, amorsarea prin atingerea acestei tensiuni nu este permisă deoarece se disipă puteri foarte mari, care
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
mici (punctul 2). Inversarea tensiunii colector-emitor provoacă străpungerea joncțiunii bază-emitor la o tensiune de aproximativ 10V. Datorită acestui fapt trebuie evitată funcționarea tranzistorului în invers, iar în circuitele în care există posibilitatea inversării polarității tensiunii de alimentare, se montează o diodă în serie cu circuitul de colector al tranzistorului. în aplicațiile de putere, tranzistorul bipolar funcționează, de obicei, în comutație (ca întrerupător). La curent de bază nul, tranzistorul este blocat și circuitul este considerat deschis, iar la curentul de bază care
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]