953 matches
-
tuburi electronice 8540 [.7 + .8] buc. S 32.10.51.25 Diode semiconductoare 8541.10 buc. @ S 32.10.51.55 Tranzistoare semiconductoare de semnale mici cu o disipare < 1 W 8541.21 buc. @ S 32.10.51.57 Tranzistoare semiconductoare de putere cu o disipare ≥ 1 W 8541.29 buc. @ S 32.10.51.70 Tiristoare, diace și triace semiconductoare 8541.30 buc. @ S 32.10.52.35 Diode electroluminiscente (LED) semiconductoare 8541.40.10 buc. @ S 32.10
32006R0317-ro () [Corola-website/Law/295168_a_296497]
-
LED) semiconductoare 8541.40.10 buc. @ S 32.10.52.37 Dispozitive semiconductoare fotosensibile; celule solare, fotodiode, fototranzistoare etc. 8541.40.90 buc. @ S 32.10.52.50 Dispozitive semiconductoare (excl. dispozitivele semiconductoare fotosensibile, celulele fotovoltaice, tiristoarele, diacele și triacele, tranzistoarele, diodele și diodele electroluminiscente) 8541.50 buc. @ S 32.10.52.70 Cristale piezoelectrice montate (inclusiv cuarțul, oscilatoare și rezonatoare) 8541.60 buc. @ S 32.10.61.00 Cartele care încorporează un circuit electronic integrat (cartele inteligente) 8542.10 buc
32006R0317-ro () [Corola-website/Law/295168_a_296497]
-
tuburi cu catod rece/fotocatod, termionice, inclusiv lămpile/tuburile cu vacuum, cele umplute cu vapori/gaze, lămpile/tuburile redresoare cu arc electric în vapori de mercur, tuburile camerelor de televiziune 8540.99 S 32.10.73.50 Elemente de diode, tranzistoare și dispozitive semiconductoare și dispozitive semiconductoare fotosensibile similare, precum și celule fotovoltaice, diode luminiscente și cristale piezoelectrice montate 8541.90 S 32.10.73.70 Elemente de circuite integrate și microansambluri (excl. circuitele constituite doar din elemente pasive) 8542.90 S
32006R0317-ro () [Corola-website/Law/295168_a_296497]
-
una sau mai multe funcții specifice, care se pot înlocui ca o entitate și pot fi, în mod normal, demontate. NB 1: "Element de circuit": element funcțional activ sau pasiv unic într-un circuit electronic, cum sunt o diodă, un tranzistor, o rezistență, un condensator etc. NB 2: "Componentă discretă": "element de circuit" în carcasă separată, având propriile sale conexiuni externe. "Antenă rețea fazată orientabilă electronic" (5 și 6): o antenă care formează fasciculul prin cuplarea în fază a elementelor radiante
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
elemente de circuit" și de interconexiuni metalice formată prin depunerea unei pelicule subțiri sau groase pe un "substrat" izolant. NB: "Element de circuit": un singur element funcțional activ sau pasiv al unui circuit electronic, cum ar fi o diodă, un tranzistor, o rezistență, un condensator etc. "Circuit integrat hibrid" (3): orice combinație de circuite integrate sau chiar circuite integrate care conțin "elemente de circuit" sau "componente discrete" conectate pentru a îndeplini una sau mai multe funcții specifice și care are toate
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
realizare a circuitelor integrate; c. poate fi înlocuită ca entitate și d. nu poate fi în mod normal demontată. NB 1: "Element de circuit": un singur element funcțional activ sau pasiv al unui circuit electronic, cum sunt o diodă, un tranzistor, o rezistență, un condensator etc. NB 2: "Componentă discretă": un "element de circuit" în carcasă separată, dispunând de propriile conexiuni externe. "Circuit integrat monolitic" (3): combinație de mai multe "elemente de circuit" active sau pasive sau ambele, care: a. sunt
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
așa-numit "chip" ("microplachetă"); b. sunt considerate ca fiind asociate indivizibil și c. realizează funcția sau funcțiile unui circuit NB: "Element de circuit": un singur element funcțional activ sau pasiv al unui circuit electronic cum ar fi o diodă, un tranzistor, o rezistență, un condensator etc. "Circuit integrat optic" (3): un "circuit integrat monolitic" sau un "circuit integrat hibrid" conținând unul sau mai multe elemente, conceput să funcționeze ca dispozitiv fotosensibil sau fotoemițător sau să îndeplinească una sau mai multe funcții
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
circuite integrate sau ambele. NB 1: "Componentă discretă": un "element de circuit" în carcasă separată, dispunând de propriile sale conexiuni externe. NB 2: "Element de circuit": element funcțional unic, activ sau pasiv, dintr-un circuit electronic, cum ar fi diodă, tranzistor, rezistență, condensator etc. "Substrat brut" (6): compuși monolitici cu dimensiuni corespunzătoare pentru producerea de elemente optice, cum ar fi oglinzi sau ferestre optice. "Subunitate de toxină" (1 și 2): un component structural și funcțional discret dintr-o "toxină". "Sudură prin
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
non-destructive test) ETSI Institutul European de Standarde în Telecomunicații (European Telecommunications Standards Institute) FFT transformata Fourier rapidă (Fast Fourier Transform) GLONASS sistem global de navigație prin satelit (global navigation satellite system) GPS poziționare globală prin satelit (global positioning system) HBT tranzistori hetero-bipolari (hetero-bipolar transistors) HDDR modul de înregistrare digitală de densitate mare (high density digital recording) HEMT tranzistori cu mobilitate înaltă a electronilor (high electron mobility transistors) IEEE Institutul de inginerie electrică și electronică IFOV câmp de viziune instantaneu (instantaneous-field-of-view) ILS
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
Fast Fourier Transform) GLONASS sistem global de navigație prin satelit (global navigation satellite system) GPS poziționare globală prin satelit (global positioning system) HBT tranzistori hetero-bipolari (hetero-bipolar transistors) HDDR modul de înregistrare digitală de densitate mare (high density digital recording) HEMT tranzistori cu mobilitate înaltă a electronilor (high electron mobility transistors) IEEE Institutul de inginerie electrică și electronică IFOV câmp de viziune instantaneu (instantaneous-field-of-view) ILS sistem de aterizare cu instrumente (instrument landing system) IRIG Inter-range instrumentation group IRM imagistică prin rezonanță magnetică
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
Nota 3: Notele 1 și 2 din introducerea la categoria 3 înseamnă că 3A.001.b.2. nu supune controlului circuitele MMIC în cazul în care acestea sunt special concepute pentru alte aplicații ca de exemplu, telecomunicații, radar, automobile. 3. tranzistoare pentru microunde care au oricare dintre următoarele: a. destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 3,2 GHz până la 6 GHz inclusiv și cu putere medie de ieșire mai mare de 60 W (47,8 dBm); b. destinate pentru
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
37,5 GHz până la 43,5 GHz inclusiv și cu putere medie de ieșire mai mare de 1 W (30 dBm) sau e. destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 43,5 GHz. Notă: Statutul de control al unui tranzistor a cărui frecvență de operare include frecvențe listate în mai mult de un domeniu de frecvențe, astfel cum sunt definite de la 3A001.b.3.a. până la 3A001.b.3.e., este determinat de cel mai jos prag de control al
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
fabricarea memoriilor necontrolate prin 3A001. 3B002 Echipamente de testare cu control prin program memorat special concepute pentru testarea dispozitivelor semiconductoare și a cipurilor necapsulate, componentele și accesoriile lor special concepute, după cum urmează: a. pentru testarea parametrilor S ai dispozitivelor cu tranzistori la frecvențe ce depășesc 31,8 GHz; b. neutilizat; c. pentru testarea circuitelor integrate pentru microunde menționate în 3A001.b.2. 3C Materiale 3C001 Materiale heteroepitaxiale care constau într-un "substrat" cu straturi multiple suprapuse crescute epitaxial din oricare dintre
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
accesului de 32 biți sau mai mult. Notă: Nota 2 de decontrol din 3E001 se aplică, de asemenea, în 3E002. 3E003 Alte "tehnologii" pentru "dezvoltarea" sau "producția" de: a. dispozitive microelectronice cu vid; b. dispozitive semiconductoare cu heterostructură, cum sunt tranzistoarele cu mobilitate electronică mare (HEMT), tranzistoarele heterobipolare (HBT), dispozitivele cu canal cuantic sau suprastructurate. Notă: 3E003.b. nu supune controlului tehnologia pentru tranzistoarele cu mobilitate electronică mare (HEMT) care funcționează la frecvențe mai mici de 31,8 GHz și tranzistoarele
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
mult. Notă: Nota 2 de decontrol din 3E001 se aplică, de asemenea, în 3E002. 3E003 Alte "tehnologii" pentru "dezvoltarea" sau "producția" de: a. dispozitive microelectronice cu vid; b. dispozitive semiconductoare cu heterostructură, cum sunt tranzistoarele cu mobilitate electronică mare (HEMT), tranzistoarele heterobipolare (HBT), dispozitivele cu canal cuantic sau suprastructurate. Notă: 3E003.b. nu supune controlului tehnologia pentru tranzistoarele cu mobilitate electronică mare (HEMT) care funcționează la frecvențe mai mici de 31,8 GHz și tranzistoarele hetero-joncțiune bipolare (HBT) care funcționează la
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
pentru "dezvoltarea" sau "producția" de: a. dispozitive microelectronice cu vid; b. dispozitive semiconductoare cu heterostructură, cum sunt tranzistoarele cu mobilitate electronică mare (HEMT), tranzistoarele heterobipolare (HBT), dispozitivele cu canal cuantic sau suprastructurate. Notă: 3E003.b. nu supune controlului tehnologia pentru tranzistoarele cu mobilitate electronică mare (HEMT) care funcționează la frecvențe mai mici de 31,8 GHz și tranzistoarele hetero-joncțiune bipolare (HBT) care funcționează la frecvențe mai mici de 31,8 GHz. c. dispozitive electronice "superconductoare"; d. substraturi peliculă de diamant pentru
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
tranzistoarele cu mobilitate electronică mare (HEMT), tranzistoarele heterobipolare (HBT), dispozitivele cu canal cuantic sau suprastructurate. Notă: 3E003.b. nu supune controlului tehnologia pentru tranzistoarele cu mobilitate electronică mare (HEMT) care funcționează la frecvențe mai mici de 31,8 GHz și tranzistoarele hetero-joncțiune bipolare (HBT) care funcționează la frecvențe mai mici de 31,8 GHz. c. dispozitive electronice "superconductoare"; d. substraturi peliculă de diamant pentru componente electronice; e. substraturi de siliciu pe izolator (SOI) pentru circuite integrate în care izolatorul este dioxid
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
de conexiune neimprimate. Circuitele în strat (subțire sau gros) care conțin elemente pasive și active obținute în timpul aceluiași proces tehnologic se clasifică la poziția 85.42. 5. - În sensul pozițiilor 85.41 și 85.42, se considera că: A) Diode, tranzistori și dispozitive asemănătoare cu semiconductori, dispozitivele din această categorie a caror funcționare se bazează pe variația rezistivității sub influența unui câmp electric; B) Circuite integrate și micromontaje electronice: a) circuitele integrate monolitice în care elementele circuitului (diode, tranzistori, rezistente, capacități
EUR-Lex () [Corola-website/Law/164952_a_166281]
-
A) Diode, tranzistori și dispozitive asemănătoare cu semiconductori, dispozitivele din această categorie a caror funcționare se bazează pe variația rezistivității sub influența unui câmp electric; B) Circuite integrate și micromontaje electronice: a) circuitele integrate monolitice în care elementele circuitului (diode, tranzistori, rezistente, capacități, interconexiuni etc.) sunt create în interiorul (în mod esențial) și la suprafață unui material semiconductor (de exemplu siliciu dopat), formând un tot indisociabil; ... b) circuitele integrate hibride care reunesc, într-un mod practic indisociabil, pe același substrat izolant (sticlă
EUR-Lex () [Corola-website/Law/164952_a_166281]
-
un tot indisociabil; ... b) circuitele integrate hibride care reunesc, într-un mod practic indisociabil, pe același substrat izolant (sticlă, ceramică etc.), elemente pasive (rezistente, capacități, interconexiuni etc.), obținute prin tehnologia circuitelor cu strat subțire sau gros și elemente active (diode, tranzistori, circuite integrate monolitice etc.) obținute prin tehnologia semiconductorilor. Aceste circuite pot să cuprindă, de asemenea, componente distincte; ... c) micromontajele de tipul blocuri turnate, micromodule sau similare, formate din componente distincte, active sau active și pasive, reunite și conectate între ele
EUR-Lex () [Corola-website/Law/164952_a_166281]
-
32141100-4 Tuburi pentru camere de televiziune 32142000-0 Tuburi și echipament pentru microunde 32142100-1 Magnetroane 32142200-2 Echipament cu microunde 32142210-5 Echipament radio cu microunde 32142300-3 Clistroane 32143000-7 Tuburi electronice 32144000-4 Valve și tuburi 32150000-9 Semiconductoare 32151000-6 Diode 32152000-3 Diode electroluminescente 32153000-0 Tranzistori 32154000-7 Cristale piezoelectrice montate 32160000-2 Circuite integrate și microasamblări electronice 32161000-9 Cartele telefonice 32161100-0 Cartele SIM 32162000-6 Cartele cu circuite integrate 32163000-3 Circuite integrate electronice 32164000-0 Microasamblări 32165000-7 Microprocesoare 32170000-5 Piese pentru asamblări electronice 32171000-2 Piese pentru condensatoare electrice 32172000-9
jrc6214as2003 by Guvernul României () [Corola-website/Law/91386_a_92173]
-
nu se aplică pentru accesoriile telefoanelor mobile care sunt livrate separat de acestea. ... (12) Circuitele integrate prevăzute la art. 331 alin. (2) lit. j) din Codul fiscal reprezintă, în principiu, un ansamblu de elemente active și pasive, cum ar fi tranzistoare, diode, rezistoare, condensatoare, interconectate electric pe suprafața materialului semiconductor. ... (13) În categoria dispozitivelor cu circuite integrate prevăzute la art. 331 alin. (2) lit. j) din Codul fiscal se includ, în special, circuitele electronice integrate monolitice și hibride, precum: unități centrale
EUR-Lex () [Corola-website/Law/269105_a_270434]
-
36. 13) Tablourilor, panourilor, consolelor, pupitrelor, dulapurilor și altor aparate pentru comandă sau distribuția electrică (poziția nr. 85.37). 14) Lămpilor de la poziția nr. 85.39. 15) Lămpilor, tuburilor și valvelor electronice etc. de la poziția nr. 85.40 și diodelor, tranzistorilor de exemplu, de la poziția nr. 85.41. 16) Cărbunelui de utilizare electrică (cum sunt cărbunii pentru lămpi, electrozii și periile de cărbune) (poziția nr. 85.45). 17) Izolatorilor din orice material (poziția nr. 85.46). 18) Pieselor izolante de la poziția
EUR-Lex () [Corola-website/Law/166421_a_167750]
-
prepararea tetraclorurii de siliciu. Siliciul în stare foarte pură, obținut, de exemplu, prin tragerea unui cristal; se prezintă sub forme brute de tragere, de cilindri sau de bare; dopat cu bor, cu fosfor etc. este folosit la fabricarea diodelor, a tranzistorilor sau a altor dispozitive cu semiconductori. 6) Fosfor. Fosforul este un solid moale sau flexibil, obținut prin tratarea în cuptor electric a fosfaților minerali amestecați cu nisip și cărbune. Există două mari varietăți comerciale ale fosforului: a) Fosforul alb, transparent
EUR-Lex () [Corola-website/Law/166827_a_168156]
-
este dioxidul [GeO(2)] obținut în metalurgia acestui metal pornind de la sulfura naturală de germaniu și cupru de la poziția nr. 26.17 (germanit) sau prin hidroliza clorurii. Praf alb, putin solubil în apă. Este utilizat pentru prepararea germaniului (utilizat la tranzistoare etc.), în medicină sau la fabricarea sticlelor speciale. 8) Oxizi și hidroxizi de molibden. Cel mai important dintre oxizii de molibden este anhidrida molibdenica [MoO(3)], obținut pornind de la disulfura naturală de la poziția nr. 26.13 (molibdenit). Produs cristalin alb
EUR-Lex () [Corola-website/Law/166827_a_168156]