13,364 matches
-
de date, spre deosebire de EEPROM unde ștergerea este la nivel de octet. Ca urmare ștergerea la FLASH se poate face mult mai rapid, deși poate fi un inconvenient în momentul în care se dorește ștergerea a unui singur octet. Timpii de citire la memoria FLASH sunt mai mari decât la EEPROM însă structura memoriei FLASH este mai densă, oferind capacități de memorare mai mari pe aceeași suprafață de siliciu, lucru dorit în cazul microcontrollerelor unde dimensiunile sunt limitate. În plus, costurile de
Memoria Program la Microcontrollere () [Corola-website/Science/321151_a_322480]
-
bit la fiecare cuvânt (8 biți) din modulul de memorie. Acest bit suplimentar reține dacă în cei 8 biți ai fiecărui cuvânt există un număr par sau impar de cifre 1 și este memorat sau transmis împreună cu cuvântul. La utilizarea (citirea sau recepția) cuvântului paritatea se recalculează și rezultatul se compară cu bitul de paritate citit sau recepționat. Dacă nu se potrivește, atunci înseamnă că există o eroare în memorie sau la transmisie. Multe erori multiple însă nu afectează bitul de
Cod corector de erori () [Corola-website/Science/321159_a_322488]
-
Stocarea magnetică se referă la stocarea datelor pe un mediu magnetizat. Toate dispozitivele de stocare magnetică citesc și scriu datele folosind electromagnetismul și reprezintă o formă de memorie non-volatilă. Informațiile sunt accesate folosind unul sau mai multe capete de citire/scriere. La sfârșitul anilor 1940, designerii primelor calculatoare au recurs la tehnologia de înregistrare a informațiilor audio analogice folosing magnetismul dezvoltate până în acel moment pentru a asigura un mediu de stocare/recuperare a datelor digitale. Conceptul din spatele tehnologiei a fost
Dispozitiv de stocare magnetic () [Corola-website/Science/321156_a_322485]
-
magneto-optice scriu și citesc datele optic. La scriere, mediul magnetic este încălzit local de un laser, care induce o creștere rapidă a câmpului coercitiv. Apoi, un câmp magnetic de amplitudine mică poate fi folosit pentru a schimba magnetizarea. Procesul de citire se bazează pe efectul Kerr magneto-optic. Discheta (în engleză floppy-disk) este un dispozitiv de stocare de date pe un disc magnetic ușor flexibil rotitor, care poate fi transportat și introdus și utilizat pe alte calculatoare, dacă dispun de o unitate
Dispozitiv de stocare magnetic () [Corola-website/Science/321156_a_322485]
-
memorie care poate stoca un număr mare de cuvinte. Fiecare cuvânt poate fi adresat utilizând liniile de adrese ale memoriei. În plus, pe lângă liniile de date și liniile de adrese, o memorie mai dispune și de linii de validare a citirii sau scrierii cuvântului selectat. Acest tip de memorie este usor de utilizat. O locație, sau o adresă, se selectează prin plasarea pe liniile de adrese a combinației binare ce reprezintă adresa locației. Dacă urmează să aiba loc o operație de
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
sau scrierii cuvântului selectat. Acest tip de memorie este usor de utilizat. O locație, sau o adresă, se selectează prin plasarea pe liniile de adrese a combinației binare ce reprezintă adresa locației. Dacă urmează să aiba loc o operație de citire, este activat semnalul de citire, iar datele stocate în locație pot fi preluate de pe liniile de date. Dacă urmează să aiba loc o operație de scriere, datele ce urmează să fie scrise vor trebui plasate pe liniile de date, apoi
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
tip de memorie este usor de utilizat. O locație, sau o adresă, se selectează prin plasarea pe liniile de adrese a combinației binare ce reprezintă adresa locației. Dacă urmează să aiba loc o operație de citire, este activat semnalul de citire, iar datele stocate în locație pot fi preluate de pe liniile de date. Dacă urmează să aiba loc o operație de scriere, datele ce urmează să fie scrise vor trebui plasate pe liniile de date, apoi combinația binară a adresei locației
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
dispune de o singură linie I/O (Input/Output - Intrare-Ieșire) pentru fiecare bit al cuvântului; bitul este citit sau scris pe aceeași linie. Există memorii care au linii separate pentru a accesa un bit în mod scriere, respectiv în mod citire. Se observă că atunci când linia R/W este activă, dispozitivul este în "mod scriere", iar atunci când nu este activă, dispozitivul este în "mod citire"; nu există linii diferite pentru a selecta modurile scriere, citire. O celulă SRAM are trei stări
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
memorii care au linii separate pentru a accesa un bit în mod scriere, respectiv în mod citire. Se observă că atunci când linia R/W este activă, dispozitivul este în "mod scriere", iar atunci când nu este activă, dispozitivul este în "mod citire"; nu există linii diferite pentru a selecta modurile scriere, citire. O celulă SRAM are trei stări diferite în care se poate afla: Dacă linia cuvântului nu este folosită, tranzistorii de acces M și M deconectează celula de la liniile de biți
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
în mod scriere, respectiv în mod citire. Se observă că atunci când linia R/W este activă, dispozitivul este în "mod scriere", iar atunci când nu este activă, dispozitivul este în "mod citire"; nu există linii diferite pentru a selecta modurile scriere, citire. O celulă SRAM are trei stări diferite în care se poate afla: Dacă linia cuvântului nu este folosită, tranzistorii de acces M și M deconectează celula de la liniile de biți. Cele două invertoare legate în stea, formate de M-M
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
de la liniile de biți. Cele două invertoare legate în stea, formate de M-M vor continua să se reîncarce reciproc cât timp sunt conectați la sursa de curent. Presupunem că în memorie este stocată valoarea 1 în dreptul Q. Ciclul de citire este inițiat preîncărcând ambele linii de biți cu 1 logic, apoi activând linia de cuvânt WL, activând ambii tranzistori de acces. Al doilea pas are loc atunci când valorile stocate in Q și Q sunt transferate la liniile de biți lăsând
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
care va sesiza care linie are o tensiune mai mare, astfel aflând dacă a fost 1 sau 0 stocat în celula de memorie. Cu cât acest amplificator are o viteză mai mare, cu atât va fi mai mare viteza de citire din memorie. Ciclul de scriere este început prin aplicarea valorilor la liniile de biți. Dacă dorim sa scriem 0, vom aplica un 0 la liniile de biți, și anume vom aplica 1 la BL și 0 la BL. Acest lucru
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
fiind: Fujitsu, Sony, Konica și Olympus . Aceste dispozitive sunt încă populare în unele țări precum Japonia, în timp ce în Europa și în Statele Unite nu mai sunt utilizate. Discul este realizat dintr-un material feromagnetic, sigilat și învelit în material plastic. În timpul citirii sau înregistrării nu există contact fizic cu suprafața discului. În timpul citirii se proiectează pe disc un fascicul de lumină laser; lumina reflectată variază în funcție de starea magnetică a suprafeței (datorită efectului Kerr magneto-optic). În timpul înregistrării, puterea laserului este mărită în așa
Dispozitiv de stocare magneto-optic () [Corola-website/Science/321161_a_322490]
-
în unele țări precum Japonia, în timp ce în Europa și în Statele Unite nu mai sunt utilizate. Discul este realizat dintr-un material feromagnetic, sigilat și învelit în material plastic. În timpul citirii sau înregistrării nu există contact fizic cu suprafața discului. În timpul citirii se proiectează pe disc un fascicul de lumină laser; lumina reflectată variază în funcție de starea magnetică a suprafeței (datorită efectului Kerr magneto-optic). În timpul înregistrării, puterea laserului este mărită în așa fel încât temperatura materialului atinge punctul Curie într-un anumit loc.
Dispozitiv de stocare magneto-optic () [Corola-website/Science/321161_a_322490]
-
care temperatura scade. Fiecare ciclu de scriere necesită două treceri: una pentru a permite laserului să șteargă suprafața și una pentru a permite magnetului să scrie informația. Astfel, timpul de scriere este de două ori mai mare decât timpul de citire. În 1996 a fost introdusă o tehnologie de suprascriere directă pentru discurile de 90 mm, care evită trecerea inițială corespunzătoare ștergerii. Acest procedeu necesită dispozitive speciale. De obicei, dispozitivele magneto-optice verifică informația imediat după scrierea ei pe disc și sunt
Dispozitiv de stocare magneto-optic () [Corola-website/Science/321161_a_322490]
-
De obicei, dispozitivele magneto-optice verifică informația imediat după scrierea ei pe disc și sunt capabile să detecteze și să semnaleze imediat eventualele abateri către sistemul de operare. Prin această verificare scrierea durează, de fapt, de trei ori mai mult decât citirea, dar fiabilitatea dispozitivului este mult mărită (spre deosebire de tehnologiile CD-R și DVD-R care de obicei scriu informațiile pe discuri fără a verifica ulterior integritatea lor). Folosirea unei unități magneto-optice se aseamănă mai mult cu folosirea unei unități de dischetă, decât cu
Dispozitiv de stocare magneto-optic () [Corola-website/Science/321161_a_322490]
-
terminat de scris pagina și este pregătit pentru a primi date noi. Memoria EEPROM Serial oferă o modalitate foarte bună de a stoca date non-volatile pe un proiect de microcontroler mic. Ele necesită câteva linii I / O, au operații de citire / scriere destul de rapide, și cele mai multe funcționează de pe o singură sursă de alimentare de 5 volți. Rutinele software pentru a le programa nu sunt foarte complexe. Următoarea dată când aveți nevoie pentru a stoca unele date non-volatile, cum ar fi informațiile
EEPROM Serial () [Corola-website/Science/321154_a_322483]
-
după caracteristicile înregistrărilor: În prezent sunt folosite următoarele tipuri de discuri optice: Există și dispozitivele de stocare magneto-optice. Acestea sunt discuri optice care stochează informația prin magnetizarea suprafaței lor feromagnetice. Înregistrarea se efectuează prin combinarea metodelor magnetice și optice, iar citirea se face optic. Aceste dispozitive stochează informația în mod nevolatil, cu acces secvențial, cu proces de scriere lent dar cu citire rapidă. Un Compact Disc este un disc optic folosit pentru stocarea informației digitale. Inițial a fost creat pentru stocarea
Dispozitive optice de stocare () [Corola-website/Science/321150_a_322479]
-
optice care stochează informația prin magnetizarea suprafaței lor feromagnetice. Înregistrarea se efectuează prin combinarea metodelor magnetice și optice, iar citirea se face optic. Aceste dispozitive stochează informația în mod nevolatil, cu acces secvențial, cu proces de scriere lent dar cu citire rapidă. Un Compact Disc este un disc optic folosit pentru stocarea informației digitale. Inițial a fost creat pentru stocarea datelor în format audio, însă mai tarziu a permis și păstrarea altor tipuri de date. CD-urile standard au un diametru
Dispozitive optice de stocare () [Corola-website/Science/321150_a_322479]
-
minute de audio sau 703 MB. În cazul CD-R, discul de policarbonat conține un șanț în formă de spirală, numit “pregroove”(deoarece este creat înainte ca informația să fie scrisă pe disc), pentru a ghida raza laserului în timpul scrierii și citirii informației. Acest pregroove este creat în partea de sus a discului de policarbonat, unde gropile și terenurile s-ar găsi într-un CD obișnuit; partea de jos pe care se aplică raza laserului este plată și netedă. Partea discului pe
Dispozitive optice de stocare () [Corola-website/Science/321150_a_322479]
-
a înlocui formatul DVD. Are aceeași formă și mărime ca un CD și un DVD, cu 25 GB pe strat și două straturi (în total 50 GB). Numele de Blu-ray Disc se referă la culoarea albastră a laserului folosit pentru citirea datelor de pe disc, ceea ce permite o capacitate de stocare de 6 ori mai mare în comparație cu un DVD. În timp ce un DVD folosește un laser roșu cu lungime de undă de 650 nm, BD folosește un laser albastru de lungime de undă
Dispozitive optice de stocare () [Corola-website/Science/321150_a_322479]
-
sistemul nu permite utilizarea altor tipuri de memorii (cum ar fi sistemele bazate pe procesorul 80486). Memoria EDO mai este cunoscută și sub numele de HyperPage Mode deoarece este asemănătoare cu memoria FPM, dar prezintă o îmbunătățire: o operație de citire poate începe înainte de terminarea operației precedente. Creșterea performanțelor față de FPM este de aproximativ 5%, iar costul de producție este similar. Memoria EDO poate fi utilizată cu magistrale de memorie care să nu depășească 83 MHz și, la fel ca memoria
Memorie DRAM () [Corola-website/Science/321163_a_322492]
-
de ceas. Frontul crescător al semnalului de ceas reprezintă, de fapt, intersecția dintre frontul crescător al primului semnal cu frontul descrescător al celui de-al doilea semnal. La fiecare front crescător sunt memorate semnalele de adresă și control. „Accesurile de citire și scriere se efectuează în mod exploziv. Ele încep de la o locație selectată și continuă pentru un număr programabil de locații. Lungimea transferului exploziv poate fi programată la 2, 4 sau 8 locații. Accesurile încep cu memorarea unei comenzi de
Memorie DRAM () [Corola-website/Science/321163_a_322492]
-
încep de la o locație selectată și continuă pentru un număr programabil de locații. Lungimea transferului exploziv poate fi programată la 2, 4 sau 8 locații. Accesurile încep cu memorarea unei comenzi de activare (Active), urmată apoi de o comandă de citire (Read) sau scriere (Write). Biții de adresă memorați cu o comandă de activare sunt utilizați pentru a selecta bancul și linia care va fi accesată. Biții de adresă memorați cu o comandă de citire sau scriere sunt utilizați pentru a
Memorie DRAM () [Corola-website/Science/321163_a_322492]
-
urmată apoi de o comandă de citire (Read) sau scriere (Write). Biții de adresă memorați cu o comandă de activare sunt utilizați pentru a selecta bancul și linia care va fi accesată. Biții de adresă memorați cu o comandă de citire sau scriere sunt utilizați pentru a selecta bancul și coloana de început pentru accesul în mod exploziv. Poate fi validată o funcție de preîncărcare automată (Auto Precharge) pentru preîncărcarea liniei, inițiată la sfârșitul accesului în mod exploziv”. Din cauza vitezei de transfer
Memorie DRAM () [Corola-website/Science/321163_a_322492]