591 matches
-
a) la data depozitului reglementar; ... b) la data la care topografia a făcut obiectul unei exploatări comerciale pentru prima dată, oriunde în lume, dacă aceasta este anterioară datei prevăzute la lit. a). ... Articolul 23 Titularul are dreptul să marcheze produsele semiconductoare fabricate pe baza topografiei protejate, cu majuscula T. Articolul 24 Creatorii de topografii au dreptul să li se menționeze numele și calitatea de creator al topografiei în certificatul de înregistrare a topografiei și în publicațiile efectuate de Oficiul de Stat
LEGE nr. 16 din 6 martie 1995 (*republicată*) privind protecţia topografiilor produselor semiconductoare*). In: EUR-Lex () [Corola-website/Law/111840_a_113169]
-
de a ști că produsul semiconductor respectiv încorporează o topografie protejată, reprodusă ilegal. Începând de la data la care persoana în cauză a luat cunoștință că topografia este protejată, ea nu mai are dreptul de a achiziționa, fără autorizația titularului, produse semiconductoare similare, dar poate continua exploatarea comercială a produselor semiconductoare, achiziționate sau contractate anterior acestei date, cu condiția plății către titular a unei despăgubiri echitabile. ... (2) Dispozițiile alin. (1) sunt aplicabile și succesorilor în drepturi ai titularului topografiei protejate. ... Articolul 27
LEGE nr. 16 din 6 martie 1995 (*republicată*) privind protecţia topografiilor produselor semiconductoare*). In: EUR-Lex () [Corola-website/Law/111840_a_113169]
-
documentele și informațiile necesare judecării cauzei cu care a fost învestită, acestea restituindu-se la încetarea procesului. Citarea în instanță se va face numai în acest scop. Articolul 43 (1) Procedurile privind cererile și certificatele de înregistrare a topografiilor produselor semiconductoare sunt supuse taxelor, în cuantumul și la termenele stabilite conform legii. Taxele se plătesc în contul Oficiului de Stat pentru Invenții și Mărci. ... (2) Taxele datorate de persoanele fizice și persoanele juridice cu domiciliul sau, după caz, cu sediul în
LEGE nr. 16 din 6 martie 1995 (*republicată*) privind protecţia topografiilor produselor semiconductoare*). In: EUR-Lex () [Corola-website/Law/111840_a_113169]
-
prezentat în figura 2.42. Capitolul 2 Unitatea centrală de prelucrare a sistemelor embedded Construcția și tehnologia sistemelor embedded 58 Figura 2.42 Structura internă a microcontrolerului STM32L15xx6 Microcontrolerele cu arhitectură Cortex M3 se regăsesc în ofertele multor fabricanți de semiconductoare (ST Microelectronics, Atmel, Freescale, Texas Capitolul 2 Unitatea centrală de prelucrare a sistemelor embedded Construcția și tehnologia sistemelor embedded 59 Instrumentsă la un preț tot mai apropiat de microcontrolerele pe 8 biți ale căror principale competitoare sunt. O structură tipică
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1090]
-
pe nuclee Cortex-A se găsesc în majoritatea dispozitivelor mobile actuale (telefoane inteligente, tablete, media playereă. 2.4. Arhitecturi reprezentative de microcontrolere La ora actuală există pe piață o gamă foarte largă de arhitecturi de microcontrolere ale diverșilor producători de semiconductoare, dar am ales pentru exemplificare patru arhitecturi reprezentative de microcontrolere de 8 / 16 biți: Intel 8051, Atmel AVR, Microchip PIC și Texas Instruments MSP430. Arhitectura Intel MCS-51 Arhitectura Intel MCS 51 a reprezentat prima arhitectură de microcontroler cu un succes
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1090]
-
harddisk-uriă. Dispozitivele MRAM pot oferi densități mari, sunt nevolatile și extrem de rapide (timp de acces sub 10 nsă dar sunt extrem de scumpe și utilizarea comercială pe scară largă încă așteaptă maturizarea tehnologiei de fabricație. Până în anii 1970, înaintea apariției memoriilor semiconductoare, se folosea pe scară largă în tehnica de calcul memoria RAM cu miezuri magnetice. Aceasta avea o structură și o electronică de comandă complexe, stoca informația la nivel de bit prin magnetizarea miezului și, ca aspect inedit astăzi, citirea era
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1090]
-
2 impulsuri Minim 1s Polaritatea la fiecare nivel de stres Pozitivă și negativă Capacitatea rețelei 150pF Rezistența rețelei 330Ω Numărul de impulsuri de descărcare Minim 10 Condiția de testare Dispozitiv alimentat Elementele de protecție la descărcări electrostatice integrate în dispozitivele semiconductoare moderne sunt calculate să funcționeze și să reziste la șocurile (supracurent, energie a impulsuluiă prevăzute de standardele ESD la nivel de circuit integrat, și anume HBM și CDM. Pentru suprasolicitările cauzate de impulsul IEC corespunzător descărcărilor electrostatice la nivel de
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1090]
-
programul ce urmează a fi trecut în ROM. Punctul de break-even, cantitatea de produse fabricate și vândute de la care este rentabil acest proces, este: ROMprog PP NRE N min Unde Pprog și PROM sunt prețurile unitare cu care fabricantul de semiconductoare livrează dispozitivele în versiune programabilă, respectiv cu mască ROM. Economii suplimentare se fac la producătorul sistemelor embedded în acest caz și cu eliminarea unui pas din procesul de fabricație programarea dispozitivelor. 6. O altă recomandare este dezvoltarea de sisteme embedded
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1090]
-
în figura 9.2. Anexă Proiectarea și realizarea unui sistem embedded cu microcontroler Construcția și tehnologia sistemelor embedded 203 Fig. 9.2 Schema electronică a blocului de alimentare Circuitele integrate de stabilizare sunt standard în oferta mai multor fabricanți de semiconductoare; LM7805 este în capsulă TO220 și necesită radiator, iar LM4117 este în capsulă destinată montării pe suprafață TO252 iar rolul radiatorului este jucat de o arie de cupru de pe cablajul imprimat (puterea disipată de acest circuit este redusă, datorită consumului
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1090]
-
MSP430x44x mixed signal microcontroller”, slas344g datasheet, Texas Instruments Inc., 2009. [53] Steve Furber, “ARM system-on-chip architecture (2nd Editionă”, Addison Wesley, March 2000. Microchip JP020587 [54] Ross Carlton, Greg Racino, John Suchyta, “Improving the transient immunity performance of microcontroller-based applications”, Freescale Semiconductor, AN2764, 2005. [55] Ali Sheikholeslami, P. Glenn Gulak, “A Survey of Circuit Innovations in Ferroelectric Random-Access Memories”, Proceedings of the IEEE, vol. 88, no. 5, May 2000. [56] Volker Rzehak, “Low-Power FRAM microcontrollers and their applications”, slaa502 white paper, Texas
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1090]
-
1 V. 3.1.6. Tranzistorul MOS de putere Tranzistorul MOS (Metal Oxide Semiconductor) de putere este un tranzistor cu efect de câmp (FET-Field Effect Transistor) care are multiplicat numărul de canale prin care trece curentul de drenă. Interesul acordat semiconductoarelor cu efect de câmp este datorat faptului că acestea sunt comandate în tensiune și nu în curent, ceea ce înseamnă că necesită un curent mediu de comandă neglijabil de mic. Tranzistorul MOS de putere, datorită acestui lucru, este caracterizat prin valori
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
prezentat în figura 2.42. Capitolul 2 Unitatea centrală de prelucrare a sistemelor embedded Construcția și tehnologia sistemelor embedded 58 Figura 2.42 Structura internă a microcontrolerului STM32L15xx6 Microcontrolerele cu arhitectură Cortex M3 se regăsesc în ofertele multor fabricanți de semiconductoare (ST Microelectronics, Atmel, Freescale, Texas Capitolul 2 Unitatea centrală de prelucrare a sistemelor embedded Construcția și tehnologia sistemelor embedded 59 Instrumentsă la un preț tot mai apropiat de microcontrolerele pe 8 biți ale căror principale competitoare sunt. O structură tipică
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1069]
-
pe nuclee Cortex-A se găsesc în majoritatea dispozitivelor mobile actuale (telefoane inteligente, tablete, media playereă. 2.4. Arhitecturi reprezentative de microcontrolere La ora actuală există pe piață o gamă foarte largă de arhitecturi de microcontrolere ale diverșilor producători de semiconductoare, dar am ales pentru exemplificare patru arhitecturi reprezentative de microcontrolere de 8 / 16 biți: Intel 8051, Atmel AVR, Microchip PIC și Texas Instruments MSP430. Arhitectura Intel MCS-51 Arhitectura Intel MCS 51 a reprezentat prima arhitectură de microcontroler cu un succes
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1069]
-
harddisk-uriă. Dispozitivele MRAM pot oferi densități mari, sunt nevolatile și extrem de rapide (timp de acces sub 10 nsă dar sunt extrem de scumpe și utilizarea comercială pe scară largă încă așteaptă maturizarea tehnologiei de fabricație. Până în anii 1970, înaintea apariției memoriilor semiconductoare, se folosea pe scară largă în tehnica de calcul memoria RAM cu miezuri magnetice. Aceasta avea o structură și o electronică de comandă complexe, stoca informația la nivel de bit prin magnetizarea miezului și, ca aspect inedit astăzi, citirea era
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1069]
-
2 impulsuri Minim 1s Polaritatea la fiecare nivel de stres Pozitivă și negativă Capacitatea rețelei 150pF Rezistența rețelei 330Ω Numărul de impulsuri de descărcare Minim 10 Condiția de testare Dispozitiv alimentat Elementele de protecție la descărcări electrostatice integrate în dispozitivele semiconductoare moderne sunt calculate să funcționeze și să reziste la șocurile (supracurent, energie a impulsuluiă prevăzute de standardele ESD la nivel de circuit integrat, și anume HBM și CDM. Pentru suprasolicitările cauzate de impulsul IEC corespunzător descărcărilor electrostatice la nivel de
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1069]
-
programul ce urmează a fi trecut în ROM. Punctul de break-even, cantitatea de produse fabricate și vândute de la care este rentabil acest proces, este: ROMprog PP NRE N min Unde Pprog și PROM sunt prețurile unitare cu care fabricantul de semiconductoare livrează dispozitivele în versiune programabilă, respectiv cu mască ROM. Economii suplimentare se fac la producătorul sistemelor embedded în acest caz și cu eliminarea unui pas din procesul de fabricație programarea dispozitivelor. 6. O altă recomandare este dezvoltarea de sisteme embedded
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1069]
-
în figura 9.2. Anexă Proiectarea și realizarea unui sistem embedded cu microcontroler Construcția și tehnologia sistemelor embedded 203 Fig. 9.2 Schema electronică a blocului de alimentare Circuitele integrate de stabilizare sunt standard în oferta mai multor fabricanți de semiconductoare; LM7805 este în capsulă TO220 și necesită radiator, iar LM4117 este în capsulă destinată montării pe suprafață TO252 iar rolul radiatorului este jucat de o arie de cupru de pe cablajul imprimat (puterea disipată de acest circuit este redusă, datorită consumului
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1069]
-
MSP430x44x mixed signal microcontroller”, slas344g datasheet, Texas Instruments Inc., 2009. [53] Steve Furber, “ARM system-on-chip architecture (2nd Editionă”, Addison Wesley, March 2000. Microchip JP020587 [54] Ross Carlton, Greg Racino, John Suchyta, “Improving the transient immunity performance of microcontroller-based applications”, Freescale Semiconductor, AN2764, 2005. [55] Ali Sheikholeslami, P. Glenn Gulak, “A Survey of Circuit Innovations in Ferroelectric Random-Access Memories”, Proceedings of the IEEE, vol. 88, no. 5, May 2000. [56] Volker Rzehak, “Low-Power FRAM microcontrollers and their applications”, slaa502 white paper, Texas
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1069]
-
cea a izolatoarelor . Rezistivitatea ρ la semiconductori scade puternic cu creșterea temperaturii T, iar energia minimă necesară pentru trecerea electronilor din starea de electroni legați de atom în stare de electroni liberi este mai mică de 3 eV. conductivitatea la semiconductoare: reprezintă inversul rezistivității , iar unitatea de măsură este . graficul variației conductivității semiconductorului cu temperatura: Semiconductoarele. La temperaturi foarte coborâte apropiate de 0K devin izolatoare, iar la temperaturi ridicate sunt conductoare apreciabile. Între electronii atomilor de Ge vecini sunt legături covalente
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
T, iar energia minimă necesară pentru trecerea electronilor din starea de electroni legați de atom în stare de electroni liberi este mai mică de 3 eV. conductivitatea la semiconductoare: reprezintă inversul rezistivității , iar unitatea de măsură este . graficul variației conductivității semiconductorului cu temperatura: Semiconductoarele. La temperaturi foarte coborâte apropiate de 0K devin izolatoare, iar la temperaturi ridicate sunt conductoare apreciabile. Între electronii atomilor de Ge vecini sunt legături covalente și primind o anumită energie de activare, legăturile covalente se rup, devenind
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
minimă necesară pentru trecerea electronilor din starea de electroni legați de atom în stare de electroni liberi este mai mică de 3 eV. conductivitatea la semiconductoare: reprezintă inversul rezistivității , iar unitatea de măsură este . graficul variației conductivității semiconductorului cu temperatura: Semiconductoarele. La temperaturi foarte coborâte apropiate de 0K devin izolatoare, iar la temperaturi ridicate sunt conductoare apreciabile. Între electronii atomilor de Ge vecini sunt legături covalente și primind o anumită energie de activare, legăturile covalente se rup, devenind electroni liberi. Locurile
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
un electron de la un atom vecin îl umple, lăsând în urma lui alt gol. Se deplasează astfel, electronii liberi într-un sens, iar golurile se comportă ca niște particule fictive cu sarcină pozitivă, +e, având așa denumita mișcare 145 aparentă. În semiconductoare participă la condiția electronii (negativi) și golurile (pozitive). tipuri de semiconductori: a) intrinseci (puri) și b) extrinseci (impuri). La semiconducotii intrinseci concentrația electronilor este egală cu cea a golurilor: n0 = p0 = ni, iar la cei extrinseci concentrațiile purtătoare de sarcină
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
trivalenți (bor, aluminiu, indiu). În acest caz, majoritarii purtători de sarcină electrică sunt golurile, pe când purtătorii de sarcină electrică minoritară sunt electronii. La echilibru termic, concentrația golurilor este mai mare decât concentrația electronilor ??0 ≫ ?0. formula conductivității electrice a unui semiconductor cu impurități: б = e (pμp + nμn) , unde e - sarcina electronului p - concentrația golurilor μp - mobilitatea golurilor n - concentrația electronilor μn - mobilitatea electronilor joncțiunea pn: Joncțiunea pn se produce prin difuziune la temperaturi înalte a unor impurități, formându-se o regiune
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
benzilor complet ocupate de electroni au o bandă energetică în care toate nivelele energetice sunt libere (izolatori și semiconductoare). În funcție de valoarea lungimii benzii interzise ?? și anume: la semiconductori ?? < 3eV și la izolatori ?? > 3eV. b) pentru izolatoare și semiconductoare. Partea II. Fizica nucleară Cap.1. Proprietățile generale ale nucleului atomic 1.1. Sarcina nucleului atomic, număr atomic, izotopi și izobari. sarcina electrică a nucleului: +Ze, egală cu sarcina electrică -Ze a electronilor. Sarcina electrică a nucleului este pozitivă, fiind
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
2/EV - inductanțe și bobine;circuite inductive; - circuite RLC; - surse de c.a.; - circuite rezistive și capacitive de c.a.; - transformatoare de mică putere; Modulul experimental MCM - 2/EV 186 - motoare de c.c. Modulul MCM - 3/EV - introducere în semiconductoare; - joncțiunea pn;caracteristicile diodelor semiconductoare;redresoare dublă alternanta; - dubloare de tensiune;dioda Zener, caracteristică statică:tranzistoare uniprogramabile; - tranzistoare unijoncțiune;tiristoare; - diacul și triacul. Modulul MCM - 4/EV - tranzistoare bipolare;tranzistoare cu efect de câmp: J-FET, MOSFET;componente optoelectronice; - traductoare de
SIMPOZIONUL NAȚIONAL CU PARTICIPARE INTERNAȚIONALĂ CREATIVITATE ȘI MODERNITATE ÎN ȘCOALA ROMÂNEASCĂ by Ghiţă TRANDAFIR () [Corola-publishinghouse/Science/91780_a_93169]