399 matches
-
impuls negativ, având amplitudinea IGB și durată tn. În general durata impulsului de blocare tn are valori cuprinse între 5...50µs, amplitudinile impulsurilor fiind în relația |IGB|>IGT. O limitare funcțională importantă apare la curenți anodici de mică intensitate, când tiristorul GTO nu mai poate fi blocat, indiferent cât de mare este impulsul negativ aplicat pe poartă. Utilizarea tiristoarelor GTO în locul celor convenționale conduce la simplificări notabile atât în circuitele de forță cât și în cele de comandă. 3.1.5
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
între 5...50µs, amplitudinile impulsurilor fiind în relația |IGB|>IGT. O limitare funcțională importantă apare la curenți anodici de mică intensitate, când tiristorul GTO nu mai poate fi blocat, indiferent cât de mare este impulsul negativ aplicat pe poartă. Utilizarea tiristoarelor GTO în locul celor convenționale conduce la simplificări notabile atât în circuitele de forță cât și în cele de comandă. 3.1.5. Tranzistorul bipolar de putere Tranzistorul bipolar este un dispozitiv semiconductor comandabil cu trei straturi pnp sau npn având
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
funcționării în diferite moduri de lucru simultan cu mărirea densității de curent comutate. Se cunoaște că dispozitivele unipolare (TEC-J, TEC MOS), care au o rezistență mare de intrare, necesită o putere extrem de redusă pentru comandă, în timp ce dispozitivele bipolare (tranzistorul bipolar, tiristorul GTO) au ca trăsătură distinctă densitatea relativ mare a curentului în conducție directă. îmbinarea acestor două caracteristici într-un singur dispozitiv s-a realizat prin integrarea funcțională bipolară-MOS. Principiul integrării funcționale Bi MOS care stă la baza dispozitivelor cu poartă
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
bipolar cu poartă izolată (IGBT-Insulated Gate Bipolar Transistor), Fig. 3.12b. Avantajul esențial al dispozitivelor Bi-MOS, respectiv IGBT îl constituie puterea practic nulă consumată pe poartă în timpul funcționării și căderea de tensiune redusă în starea de conducție. 3.1.8. Tiristorul controlat MOS-MCT Tiristorul controlat MOS-MCT (MOS Controlled Thyristor), este un dispozitiv semiconductor de putere, de ultimă oră, care permite obținerea unei densități de curent de 2,5 ori mai mare ca cea a unui IGBT. MCT este un dispozitiv a
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
izolată (IGBT-Insulated Gate Bipolar Transistor), Fig. 3.12b. Avantajul esențial al dispozitivelor Bi-MOS, respectiv IGBT îl constituie puterea practic nulă consumată pe poartă în timpul funcționării și căderea de tensiune redusă în starea de conducție. 3.1.8. Tiristorul controlat MOS-MCT Tiristorul controlat MOS-MCT (MOS Controlled Thyristor), este un dispozitiv semiconductor de putere, de ultimă oră, care permite obținerea unei densități de curent de 2,5 ori mai mare ca cea a unui IGBT. MCT este un dispozitiv a cărui structură poate
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
dispozitiv semiconductor de putere, de ultimă oră, care permite obținerea unei densități de curent de 2,5 ori mai mare ca cea a unui IGBT. MCT este un dispozitiv a cărui structură poate fi considerată ca fiind realizată dintr-un tiristor la care a fost adăugat un tranzistor MOS ce are canal n pentru a asigura amorsarea și un tranzistor ce are canal p pentru a realiza blocarea. Analogia MCT cu un tiristor rămâne totuși limitată deoarece datorită integrării structurii MOS
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
poate fi considerată ca fiind realizată dintr-un tiristor la care a fost adăugat un tranzistor MOS ce are canal n pentru a asigura amorsarea și un tranzistor ce are canal p pentru a realiza blocarea. Analogia MCT cu un tiristor rămâne totuși limitată deoarece datorită integrării structurii MOS, respectiv bipolare pe același cip funcționarea lui este asemănătoare cu a unui IGBT. Densitatea de curent mare (100 A/cm2) permite MCT să funcționeze cu valori foarte ridicate ale raportului dintre puterea
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
IGBT. Densitatea de curent mare (100 A/cm2) permite MCT să funcționeze cu valori foarte ridicate ale raportului dintre puterea comutată și suprafața de siliciu. 3.2. Comparație între dispozitivele semiconductoare de putere Dispozitivele semiconductoare de putere (tranzistoare bipolare, MOS, tiristoare) utilizate în aplicațiile electronice de putere funcționează în comutație, ca întrerupătore electronice. Aceste dispozitive, ideal, ar trebui să îndeplinească următoarele condiții: * Curentul și tensiunea nominală oricât de mari; * Curenți reziduali nuli; Timpi de comutație oricât de mici; * Pierderi în conducție
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
amorsărilor parazite; * Preț mic. Având în vedere aceste condiții, cele mai importante criterii în alegerea dispozitivelor de putere, pentru o aplicație sau alta, sunt: valorile parametrilor nominali, pierderile în conducție, pierderile în comutație, timpii de comutație, posibilitățile de comandă, prețul. Tiristorul clasic are cele mai mari valori ale parametrilor nominali dintre toate dispozitivele semiconductoare de putere. El este robust (capabil să suporte suprasarcini), pierderile în conducție sunt mici, are preț scăzut, dar amorsarea este lentă și nu poate fi dezamorsat decât
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
este robust (capabil să suporte suprasarcini), pierderile în conducție sunt mici, are preț scăzut, dar amorsarea este lentă și nu poate fi dezamorsat decât anulând curentul anodic. Pentru aplicațiile de frecvența industrială de 50 Hz sau 60 Hz (redresoarele comandate), tiristorul clasic este cel mai recomandat datorită capabilității sale de a suporta tensiuni directe și inverse de valori mari, cerință esențială pentru aceste aplicații. în cazul invertoarelor, toate dispozitivele descrise pot fi utilizate, frecvența de comutație fiind adesea criteriul de alegere
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
este superioară valorii de 100 kHz. Tranzistorul bipolar convine pentru gama de frecvență 20...100 kHz datorită prețului și pierderilor în conducție mai mici, deși pierderile în comutație sunt superioare celor ale tranzistorului MOS. În gama până la 15...20 kHz, tiristorul GTO este cel mai recomandat datorită robusteței, a pierderilor mici în conducție, a aptitudinii acestuia de a suporta suprasarcini și tensiuni directe și inverse de valori mari. Tranzistoarele (bipolare, TEC-MOS, IGBT) pot funcționa până la 200 0C în timp ce tiristoarele doar până la
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
20 kHz, tiristorul GTO este cel mai recomandat datorită robusteței, a pierderilor mici în conducție, a aptitudinii acestuia de a suporta suprasarcini și tensiuni directe și inverse de valori mari. Tranzistoarele (bipolare, TEC-MOS, IGBT) pot funcționa până la 200 0C în timp ce tiristoarele doar până la 125 0C. Pierderile și posibilitățile de răcire sunt adesea criterii importante de selecție. Comanda în tensiune specifică tranzistorului MOS, IGBT și tiristorului MCT față de comanda în curent specifică tranzistorului bipolar și tiristorului (clasic, GTO) este în anumite situații
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
directe și inverse de valori mari. Tranzistoarele (bipolare, TEC-MOS, IGBT) pot funcționa până la 200 0C în timp ce tiristoarele doar până la 125 0C. Pierderile și posibilitățile de răcire sunt adesea criterii importante de selecție. Comanda în tensiune specifică tranzistorului MOS, IGBT și tiristorului MCT față de comanda în curent specifică tranzistorului bipolar și tiristorului (clasic, GTO) este în anumite situații criteriu de selecție. Tiristorul este mult mai ușor de protejat împotriva defectelor, fapt care limitează folosirea tranzistoarelor în echipamentele ce funcționează în medii în
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
pot funcționa până la 200 0C în timp ce tiristoarele doar până la 125 0C. Pierderile și posibilitățile de răcire sunt adesea criterii importante de selecție. Comanda în tensiune specifică tranzistorului MOS, IGBT și tiristorului MCT față de comanda în curent specifică tranzistorului bipolar și tiristorului (clasic, GTO) este în anumite situații criteriu de selecție. Tiristorul este mult mai ușor de protejat împotriva defectelor, fapt care limitează folosirea tranzistoarelor în echipamentele ce funcționează în medii în care probabilitatea de apariție a defectelor este ridicată. Caracteristicile principale
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
0C. Pierderile și posibilitățile de răcire sunt adesea criterii importante de selecție. Comanda în tensiune specifică tranzistorului MOS, IGBT și tiristorului MCT față de comanda în curent specifică tranzistorului bipolar și tiristorului (clasic, GTO) este în anumite situații criteriu de selecție. Tiristorul este mult mai ușor de protejat împotriva defectelor, fapt care limitează folosirea tranzistoarelor în echipamentele ce funcționează în medii în care probabilitatea de apariție a defectelor este ridicată. Caracteristicile principale ale unor dispozitive semiconductoare de putere care permit controlul integral
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
apar în rețeaua publică de distribuție cu energie electrică (MT, JT). În Fig.3.38 este reprezentată schema electrică a unui variator monofazat de c.a., comandat prin tren de impulsuri. Capacitatea de compensare C se conectează în amonte de tiristoarele T1, T2, astfel încât acestea să nu fie solicitate de supracurenții care ar apărea la trecerea tiristoarelor în conducție, prin conectarea condensatoarelor. Această cerință introduce însă dezavantajul apariției fenomenului de flicker care apare ca variație periodică a tensiunii UC ( Fig.3
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
reprezentată schema electrică a unui variator monofazat de c.a., comandat prin tren de impulsuri. Capacitatea de compensare C se conectează în amonte de tiristoarele T1, T2, astfel încât acestea să nu fie solicitate de supracurenții care ar apărea la trecerea tiristoarelor în conducție, prin conectarea condensatoarelor. Această cerință introduce însă dezavantajul apariției fenomenului de flicker care apare ca variație periodică a tensiunii UC ( Fig.3.39), considerată între cele două stări (blocate, în conducție) ale tiristoarelor din schemă. În Fig.3
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
care ar apărea la trecerea tiristoarelor în conducție, prin conectarea condensatoarelor. Această cerință introduce însă dezavantajul apariției fenomenului de flicker care apare ca variație periodică a tensiunii UC ( Fig.3.39), considerată între cele două stări (blocate, în conducție) ale tiristoarelor din schemă. În Fig.3.40 este reprezentată curba tensiunii UC=UC(t), exprimată în unități relative (prin raportare la tensiunea nominală), obținută prin simularea în mediul software EMTP a fenomenului de flicker, produs cu frecvență variabilă. Combaterea fenomenului de
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
dreapta 2) prin punctul N. Pentru , la pornirea cu AT se obține un cuplu de pornire de 0,9MN, mult mai mare decât în cazul folosirii la pornire a unei reactanțe înseriate. b3) Pornirea cu soft-startere Aceste dispozitive electronice cuprind tiristoare sau triacuri prin a căror comandă se realizează modificarea tensiunii aplicate statorului. O schemă tipică de soft-starter este prezentată în figura 5.29. Pe fiecare fază se înseriază câte un dispozitiv electronic cu conducție bidirecțională (triac sau 2 tiristoare în
Maşini electrice/Vol. 3. : Maşina asincronă by Alecsandru Simion () [Corola-publishinghouse/Science/1660_a_2996]
-
cuprind tiristoare sau triacuri prin a căror comandă se realizează modificarea tensiunii aplicate statorului. O schemă tipică de soft-starter este prezentată în figura 5.29. Pe fiecare fază se înseriază câte un dispozitiv electronic cu conducție bidirecțională (triac sau 2 tiristoare în antiparalel) care înlocuiesc și contactorul principal. Există scheme la care o fază este conectată direct la rețea iar pe celelalte două sunt înseriate câte un triac sau tiristoare în antiparalel comandate. Prin modificarea unghiului de aprindere se poate modifica
Maşini electrice/Vol. 3. : Maşina asincronă by Alecsandru Simion () [Corola-publishinghouse/Science/1660_a_2996]
-
înseriază câte un dispozitiv electronic cu conducție bidirecțională (triac sau 2 tiristoare în antiparalel) care înlocuiesc și contactorul principal. Există scheme la care o fază este conectată direct la rețea iar pe celelalte două sunt înseriate câte un triac sau tiristoare în antiparalel comandate. Prin modificarea unghiului de aprindere se poate modifica de fapt valoarea efectivă a tensiunii aplicate motorului. În figura 5.29. b) este prezentată dependența de timp a tensiunii aplicate statorului pentru a realiza o pornire cu timp
Maşini electrice/Vol. 3. : Maşina asincronă by Alecsandru Simion () [Corola-publishinghouse/Science/1660_a_2996]
-
Pentru a obține un "reglaj continuu" al vitezei se poate prevedea pe circuitul de alimentare statoric un "gradator" de tensiune alternativă G1 compus din 3 triacuri (câte unul pe fiecare fază) la puteri mici sau 3 grupe de câte 2 tiristoare conectate în antiparalel (figura 5.29 a), la puteri mari. Prin comanda adecvată a acestor dispozitive se modifică tensiunea aplicată înfășurării, deci se modifică în limite reduse alunecarea sau turația. Mai eficientă pentru turații joase și poziționări precise este folosirea
Maşini electrice/Vol. 3. : Maşina asincronă by Alecsandru Simion () [Corola-publishinghouse/Science/1660_a_2996]
-
raportată) în rotor și viteza nominală (când rezistența înseriată în rotor este nulă). Tensiunea rotorică este redresată de puntea formată din cele 6 diode. Curentul continuu obținut este filtrat de bobina BF și este condus prin rezistența Rr sau prin tiristorul comandat Th. Când Th este deschis, rezistența prin care circulă Id este chiar Rr, iar când Th este în conducție, rezistența dintre punctele X și Y este nulă. Dacă se notează cu α durata relativă de conducție a lui Th
Maşini electrice/Vol. 3. : Maşina asincronă by Alecsandru Simion () [Corola-publishinghouse/Science/1660_a_2996]
-
de stabilitate valabilă în cazul general (oricare ar fi tipul de cuplu rezistent) [30, 31, 39, 79, 85, ...]. Un mare avantaj al acestei metode constă în faptul că schema de alimentare este deosebit de simplă, folosind doar 3 triacuri sau 6 tiristoare - câte 2 montate antiparalel, ale căror scheme de comandă nu pun probleme deosebite. Metoda este aplicabilă cu oarecare precauție, întrucât sarcina trebuie să aibă la viteze reduse cuplu mic, dar care este necesar să crească mult cu viteza. Se utilizează
Maşini electrice/Vol. 3. : Maşina asincronă by Alecsandru Simion () [Corola-publishinghouse/Science/1660_a_2996]
-
existența unor condiții specifice privind reversibilitatea funcționării. Cicloconvertorul este constituit din grupuri de redresoare, câte două pentru fiecare fază a motorului (în varianta cea mai des folosită). Fiecare dintre cele 2 grupuri de redresoare conține câte o punte de 6 tiristoare, în total instalația cuprinde 2 x 6 x 3 (faze) = 36 tiristoare [18]. Printr-o comandă adecvată a elementelor semiconductoare ale punților redresoare se obține prin fiecare fază a motorului un curent a cărui frecvență f' este inferioară frecvenței rețelei
Maşini electrice/Vol. 3. : Maşina asincronă by Alecsandru Simion () [Corola-publishinghouse/Science/1660_a_2996]