397 matches
-
dispozitiv semiconductor de putere, de ultimă oră, care permite obținerea unei densități de curent de 2,5 ori mai mare ca cea a unui IGBT. MCT este un dispozitiv a cărui structură poate fi considerată ca fiind realizată dintr-un tiristor la care a fost adăugat un tranzistor MOS ce are canal n pentru a asigura amorsarea și un tranzistor ce are canal p pentru a realiza blocarea. Analogia MCT cu un tiristor rămâne totuși limitată deoarece datorită integrării structurii MOS
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
poate fi considerată ca fiind realizată dintr-un tiristor la care a fost adăugat un tranzistor MOS ce are canal n pentru a asigura amorsarea și un tranzistor ce are canal p pentru a realiza blocarea. Analogia MCT cu un tiristor rămâne totuși limitată deoarece datorită integrării structurii MOS, respectiv bipolare pe același cip funcționarea lui este asemănătoare cu a unui IGBT. Densitatea de curent mare (100 A/cm2) permite MCT să funcționeze cu valori foarte ridicate ale raportului dintre puterea
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
IGBT. Densitatea de curent mare (100 A/cm2) permite MCT să funcționeze cu valori foarte ridicate ale raportului dintre puterea comutată și suprafața de siliciu. 3.2. Comparație între dispozitivele semiconductoare de putere Dispozitivele semiconductoare de putere (tranzistoare bipolare, MOS, tiristoare) utilizate în aplicațiile electronice de putere funcționează în comutație, ca întrerupătore electronice. Aceste dispozitive, ideal, ar trebui să îndeplinească următoarele condiții: * Curentul și tensiunea nominală oricât de mari; * Curenți reziduali nuli; Timpi de comutație oricât de mici; * Pierderi în conducție
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
amorsărilor parazite; * Preț mic. Având în vedere aceste condiții, cele mai importante criterii în alegerea dispozitivelor de putere, pentru o aplicație sau alta, sunt: valorile parametrilor nominali, pierderile în conducție, pierderile în comutație, timpii de comutație, posibilitățile de comandă, prețul. Tiristorul clasic are cele mai mari valori ale parametrilor nominali dintre toate dispozitivele semiconductoare de putere. El este robust (capabil să suporte suprasarcini), pierderile în conducție sunt mici, are preț scăzut, dar amorsarea este lentă și nu poate fi dezamorsat decât
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
este robust (capabil să suporte suprasarcini), pierderile în conducție sunt mici, are preț scăzut, dar amorsarea este lentă și nu poate fi dezamorsat decât anulând curentul anodic. Pentru aplicațiile de frecvența industrială de 50 Hz sau 60 Hz (redresoarele comandate), tiristorul clasic este cel mai recomandat datorită capabilității sale de a suporta tensiuni directe și inverse de valori mari, cerință esențială pentru aceste aplicații. în cazul invertoarelor, toate dispozitivele descrise pot fi utilizate, frecvența de comutație fiind adesea criteriul de alegere
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
este superioară valorii de 100 kHz. Tranzistorul bipolar convine pentru gama de frecvență 20...100 kHz datorită prețului și pierderilor în conducție mai mici, deși pierderile în comutație sunt superioare celor ale tranzistorului MOS. În gama până la 15...20 kHz, tiristorul GTO este cel mai recomandat datorită robusteței, a pierderilor mici în conducție, a aptitudinii acestuia de a suporta suprasarcini și tensiuni directe și inverse de valori mari. Tranzistoarele (bipolare, TEC-MOS, IGBT) pot funcționa până la 200 0C în timp ce tiristoarele doar până la
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
20 kHz, tiristorul GTO este cel mai recomandat datorită robusteței, a pierderilor mici în conducție, a aptitudinii acestuia de a suporta suprasarcini și tensiuni directe și inverse de valori mari. Tranzistoarele (bipolare, TEC-MOS, IGBT) pot funcționa până la 200 0C în timp ce tiristoarele doar până la 125 0C. Pierderile și posibilitățile de răcire sunt adesea criterii importante de selecție. Comanda în tensiune specifică tranzistorului MOS, IGBT și tiristorului MCT față de comanda în curent specifică tranzistorului bipolar și tiristorului (clasic, GTO) este în anumite situații
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
directe și inverse de valori mari. Tranzistoarele (bipolare, TEC-MOS, IGBT) pot funcționa până la 200 0C în timp ce tiristoarele doar până la 125 0C. Pierderile și posibilitățile de răcire sunt adesea criterii importante de selecție. Comanda în tensiune specifică tranzistorului MOS, IGBT și tiristorului MCT față de comanda în curent specifică tranzistorului bipolar și tiristorului (clasic, GTO) este în anumite situații criteriu de selecție. Tiristorul este mult mai ușor de protejat împotriva defectelor, fapt care limitează folosirea tranzistoarelor în echipamentele ce funcționează în medii în
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
pot funcționa până la 200 0C în timp ce tiristoarele doar până la 125 0C. Pierderile și posibilitățile de răcire sunt adesea criterii importante de selecție. Comanda în tensiune specifică tranzistorului MOS, IGBT și tiristorului MCT față de comanda în curent specifică tranzistorului bipolar și tiristorului (clasic, GTO) este în anumite situații criteriu de selecție. Tiristorul este mult mai ușor de protejat împotriva defectelor, fapt care limitează folosirea tranzistoarelor în echipamentele ce funcționează în medii în care probabilitatea de apariție a defectelor este ridicată. Caracteristicile principale
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
0C. Pierderile și posibilitățile de răcire sunt adesea criterii importante de selecție. Comanda în tensiune specifică tranzistorului MOS, IGBT și tiristorului MCT față de comanda în curent specifică tranzistorului bipolar și tiristorului (clasic, GTO) este în anumite situații criteriu de selecție. Tiristorul este mult mai ușor de protejat împotriva defectelor, fapt care limitează folosirea tranzistoarelor în echipamentele ce funcționează în medii în care probabilitatea de apariție a defectelor este ridicată. Caracteristicile principale ale unor dispozitive semiconductoare de putere care permit controlul integral
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
apar în rețeaua publică de distribuție cu energie electrică (MT, JT). În Fig.3.38 este reprezentată schema electrică a unui variator monofazat de c.a., comandat prin tren de impulsuri. Capacitatea de compensare C se conectează în amonte de tiristoarele T1, T2, astfel încât acestea să nu fie solicitate de supracurenții care ar apărea la trecerea tiristoarelor în conducție, prin conectarea condensatoarelor. Această cerință introduce însă dezavantajul apariției fenomenului de flicker care apare ca variație periodică a tensiunii UC ( Fig.3
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
reprezentată schema electrică a unui variator monofazat de c.a., comandat prin tren de impulsuri. Capacitatea de compensare C se conectează în amonte de tiristoarele T1, T2, astfel încât acestea să nu fie solicitate de supracurenții care ar apărea la trecerea tiristoarelor în conducție, prin conectarea condensatoarelor. Această cerință introduce însă dezavantajul apariției fenomenului de flicker care apare ca variație periodică a tensiunii UC ( Fig.3.39), considerată între cele două stări (blocate, în conducție) ale tiristoarelor din schemă. În Fig.3
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
care ar apărea la trecerea tiristoarelor în conducție, prin conectarea condensatoarelor. Această cerință introduce însă dezavantajul apariției fenomenului de flicker care apare ca variație periodică a tensiunii UC ( Fig.3.39), considerată între cele două stări (blocate, în conducție) ale tiristoarelor din schemă. În Fig.3.40 este reprezentată curba tensiunii UC=UC(t), exprimată în unități relative (prin raportare la tensiunea nominală), obținută prin simularea în mediul software EMTP a fenomenului de flicker, produs cu frecvență variabilă. Combaterea fenomenului de
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
in figurile 4.3 și 4.4. Figura 4.3 Posibilități de extindere a capabilității de curent a pinilor de ieșire folosind tranzistoare discrete Figura 4.4 Posibilități de extindere a capabilității de curent a pinilor de ieșire folosind triac/tiristor sau buffere Pentru economisirea numărului de linii de ieșire ale unui sistem embedded Capitolul 4 Dispozitivele periferice ale sistemelor embedded Construcția și tehnologia sistemelor embedded 84 folosite la comanda unor dispozitive cu funcții similare se poate utiliza tehnica multiplexării. Un
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1069]
-
transformatoare de mică putere; Modulul experimental MCM - 2/EV 186 - motoare de c.c. Modulul MCM - 3/EV - introducere în semiconductoare; - joncțiunea pn;caracteristicile diodelor semiconductoare;redresoare dublă alternanta; - dubloare de tensiune;dioda Zener, caracteristică statică:tranzistoare uniprogramabile; - tranzistoare unijoncțiune;tiristoare; - diacul și triacul. Modulul MCM - 4/EV - tranzistoare bipolare;tranzistoare cu efect de câmp: J-FET, MOSFET;componente optoelectronice; - traductoare de temperatură; - conexiunile de bază ale TB;polarizarea tranzistoarelor bipolare;stabilizarea punctului static de funcționare. Modulul experimental MCM - 4/EV Modulul
SIMPOZIONUL NAȚIONAL CU PARTICIPARE INTERNAȚIONALĂ CREATIVITATE ȘI MODERNITATE ÎN ȘCOALA ROMÂNEASCĂ by Ghiţă TRANDAFIR () [Corola-publishinghouse/Science/91780_a_93169]
-
și control, analogice și numerice; Aparate de măsură analogice și numerice, de panou și portabile (ampermetre, voltmetre, multimetre, watmetre, frecvențmetre, etc.); Osciloscoape cu mai multe canale, sisteme de achiziție, calculatoare, etc. Laboratorul de Electronică de putere Echipamente electronice realizate cu tiristoare, diode și tranzistoare de putere (bipolare, MOSFET, IGBT) dedicate studiului în laborator a topologiilor reprezentative din electronica de putere (redresoare clasice, redresoare PWM, convertoare c.c.-c.c., invertoare PWM, etc.); Standuri cu motoare de c.c. și asincrone alimentate
Centenarul învăţământului superior la Iaşi 1910-2010/vol.I: Trecut şi prezent by Mircea Dan Guşă (ed.) () [Corola-publishinghouse/Memoirs/419_a_988]
-
figura 1.1, iar formele de undă aferente funcționarii pe sarcină pur rezistivă sunt date în figura 1.2. Forma de undă a curentului I2 este identică cu a tensiunii u2 la altă scară, întrucât. În momentul t1 se comandă tiristoarele T1, T3 iar în momentul t2 se comandă tiristoarele T3, T4. Se definește unghiul α ca unghiul de comandă al tiristoarelor, măsurat din momentul când tiristorul ar intra în conducție dacă ar fi diodă și până în momentul apariției impulsului de
Aplicaţii în electronica de putere by Ovidiu Ursaru, Cristian Aghion, Mihai Lucanu () [Corola-publishinghouse/Science/311_a_653]
-
pe sarcină pur rezistivă sunt date în figura 1.2. Forma de undă a curentului I2 este identică cu a tensiunii u2 la altă scară, întrucât. În momentul t1 se comandă tiristoarele T1, T3 iar în momentul t2 se comandă tiristoarele T3, T4. Se definește unghiul α ca unghiul de comandă al tiristoarelor, măsurat din momentul când tiristorul ar intra în conducție dacă ar fi diodă și până în momentul apariției impulsului de comandă corespunzător. Modificând unghiul de comandă α între 0
Aplicaţii în electronica de putere by Ovidiu Ursaru, Cristian Aghion, Mihai Lucanu () [Corola-publishinghouse/Science/311_a_653]
-
undă a curentului I2 este identică cu a tensiunii u2 la altă scară, întrucât. În momentul t1 se comandă tiristoarele T1, T3 iar în momentul t2 se comandă tiristoarele T3, T4. Se definește unghiul α ca unghiul de comandă al tiristoarelor, măsurat din momentul când tiristorul ar intra în conducție dacă ar fi diodă și până în momentul apariției impulsului de comandă corespunzător. Modificând unghiul de comandă α între 0 și π, valoarea medie a tensiunii redresate se modifică între valoarea maximă
Aplicaţii în electronica de putere by Ovidiu Ursaru, Cristian Aghion, Mihai Lucanu () [Corola-publishinghouse/Science/311_a_653]
-
identică cu a tensiunii u2 la altă scară, întrucât. În momentul t1 se comandă tiristoarele T1, T3 iar în momentul t2 se comandă tiristoarele T3, T4. Se definește unghiul α ca unghiul de comandă al tiristoarelor, măsurat din momentul când tiristorul ar intra în conducție dacă ar fi diodă și până în momentul apariției impulsului de comandă corespunzător. Modificând unghiul de comandă α între 0 și π, valoarea medie a tensiunii redresate se modifică între valoarea maximă si zero. La un anumit
Aplicaţii în electronica de putere by Ovidiu Ursaru, Cristian Aghion, Mihai Lucanu () [Corola-publishinghouse/Science/311_a_653]
-
valoarea maximă si zero. La un anumit unghi de comandă, valoarea medie a tensiunii redresate este. în care: U1 este valoarea efectivă a tensiunii alternative care alimentează puntea. Deci. În figura 1.3 se propune o schemă de comandă a tiristoarelor realizată cu componente discrete. La schema în punte se utilizează două asemenea montaje, unul pentru comanda tiristoarelor T1, T3 și altul pentru T2, T4 din figura 1.1. Functionarea circuitului se poate urmări comod, analizând formele de undă prezentate în
Aplicaţii în electronica de putere by Ovidiu Ursaru, Cristian Aghion, Mihai Lucanu () [Corola-publishinghouse/Science/311_a_653]
-
care: U1 este valoarea efectivă a tensiunii alternative care alimentează puntea. Deci. În figura 1.3 se propune o schemă de comandă a tiristoarelor realizată cu componente discrete. La schema în punte se utilizează două asemenea montaje, unul pentru comanda tiristoarelor T1, T3 și altul pentru T2, T4 din figura 1.1. Functionarea circuitului se poate urmări comod, analizând formele de undă prezentate în figura 1.4. În timpul alternanțelor pozitive ale tensiunii ku1, tranzistorul T5 este blocat. Condensatorul C se încarcă
Aplicaţii în electronica de putere by Ovidiu Ursaru, Cristian Aghion, Mihai Lucanu () [Corola-publishinghouse/Science/311_a_653]
-
momentul în care UC ≈ Uvar, T2 începe să conducă și datorită amplificării realizate cu T3, tensiunea Ua va rezulta practic rectangulară. Această tensiune este aplicată derivatorului format din C1 și R8, iar pulsurile pozitive vor determina intrarea în conducție a tiristorului T4. În secundarele transformatorului Tr.I(transformatorul de impulsuri cu rol de separare galvanică ) se obțin impulsurile de comandă a tiristoarelor Ud. În timpul alternațelor negative ale tensiunii ku1, tranzistorul T5 intra în conducție și produce descărcarea condensatorului C prin T5
Aplicaţii în electronica de putere by Ovidiu Ursaru, Cristian Aghion, Mihai Lucanu () [Corola-publishinghouse/Science/311_a_653]
-
Această tensiune este aplicată derivatorului format din C1 și R8, iar pulsurile pozitive vor determina intrarea în conducție a tiristorului T4. În secundarele transformatorului Tr.I(transformatorul de impulsuri cu rol de separare galvanică ) se obțin impulsurile de comandă a tiristoarelor Ud. În timpul alternațelor negative ale tensiunii ku1, tranzistorul T5 intra în conducție și produce descărcarea condensatorului C prin T5, R9. Astfel, se asigură sincronizarea dispozitivului de comandă pe poartă cu tensiunea alternativă u1 care alimentează puntea cu tiristoare. Prin această
Aplicaţii în electronica de putere by Ovidiu Ursaru, Cristian Aghion, Mihai Lucanu () [Corola-publishinghouse/Science/311_a_653]
-
comandă a tiristoarelor Ud. În timpul alternațelor negative ale tensiunii ku1, tranzistorul T5 intra în conducție și produce descărcarea condensatorului C prin T5, R9. Astfel, se asigură sincronizarea dispozitivului de comandă pe poartă cu tensiunea alternativă u1 care alimentează puntea cu tiristoare. Prin această sincronizare se asigură același unghi de comandă α pe toate semialternanțele, deoarece pe fiecare interval condensatorul C se va încărca pornind de la o tensiune inițială care este practic nulă. În figura 1.5 este redată schema bloc a
Aplicaţii în electronica de putere by Ovidiu Ursaru, Cristian Aghion, Mihai Lucanu () [Corola-publishinghouse/Science/311_a_653]