1,796 matches
-
caseta de abur, cu deschiderea controlată de supapele duzelor, și trecând prin "venturis", intra în prima roată cu debit suficient pentru a roti turbina la 3000 rpm. În următoarele roți, presiune de abur scădea treptat până se potrivea presiunii din condensator, totuși, viteza de schimb se menținea constantă. Toate aceste făceau ca să se rotească roțile turbinei și aceasta, printr-un angrenaj făcea să se rotească alternatorul, care producea energie electrică pentru a fi distribuită consumatorilor și pentru a fi utilizată pentru
Centrala Tejo (funcționare) () [Corola-website/Science/321015_a_322344]
-
plecau două cabluri, unul la Marvila continuând până la Vila Franca de Xira și, altul, direct până în orașul Santarém, pentru a alimenta consumatorii industriali localizați pe Vale Tejului. Aburul, după îndeplinirea funcției sale de mișcare a roților turbinei, era trimis până la condensatoare, unde se transforma din nou în stare lichidă, putând ca această apă să fie din nou utilizată în cazane. Aburul intra în condensator și prin contact cu sistemul tubular din interiorul său, care era plin de apă rece, se transforma
Centrala Tejo (funcționare) () [Corola-website/Science/321015_a_322344]
-
localizați pe Vale Tejului. Aburul, după îndeplinirea funcției sale de mișcare a roților turbinei, era trimis până la condensatoare, unde se transforma din nou în stare lichidă, putând ca această apă să fie din nou utilizată în cazane. Aburul intra în condensator și prin contact cu sistemul tubular din interiorul său, care era plin de apă rece, se transforma din nou în stare lichidă. Această apă de răcire era captată din fluviul Tajo prin intermediul a trei conducte de intrare și una de
Centrala Tejo (funcționare) () [Corola-website/Science/321015_a_322344]
-
Tajo prin intermediul a trei conducte de intrare și una de ieșire unde, prin efectul de curgere forța apa să intre în canale; apa fluviului niciodată nu se amesteca cu apa pură utilizată în cazane, deoarece, așa cum s-a amintit, în interiorul condensatoarelor exista un sistem tubular în a cărui interior circula apa din Tajo, pe când aburul parcurgea spațiul liber dintre tuburi. Cu această condensare de abur, apa rezultată era aspirată de pompele extractoare și retrimisă până la butoaile cazanelor, trecând prima dată prin
Centrala Tejo (funcționare) () [Corola-website/Science/321015_a_322344]
-
pentru SSD-uri memorie "cache" de tip DRAM. Ei ating performanțe ridicate și fără memorie "cache". Din această cauză au reușit să creeze SSD-uri de dimensiuni foarte reduse. O altă componentă foarte importantă a SSD-urilor este bateria sau condensatorul (în engleză: "capacitor", de acolo și numele SuperCap) de înaltă performanță. Acestea sunt necesare pentru menținerea integrității datelor și păstrarea datelor din "cache" atunci când se întrerupe curentul. Interfețele nu sunt componente specifice ale SSD, dar joacă un rol foarte important
Solid-state drive () [Corola-website/Science/321119_a_322448]
-
moleculelor nu pot forma sisteme statice stabile. Atomii și moleculele nu pot avea decât sisteme dinamice de sarcini electrice. Această teoremă este o ilustrare a tezei filozofice care spune că "„mișcarea este condiția fundamentală de existență a materiei în echilibru”". Condensatoarele sunt elemente electronice pasive anume construite pentru a înmagazina o mare cantitate de electricitate (sarcina electrică). Fie un condensator plan format din două plăci metalice (armăturile) plan paralele de arie "S" fiecare, aflate la distanța "d" una de cealaltă. Dacă
Teorema lui Earnshaw () [Corola-website/Science/321168_a_322497]
-
Această teoremă este o ilustrare a tezei filozofice care spune că "„mișcarea este condiția fundamentală de existență a materiei în echilibru”". Condensatoarele sunt elemente electronice pasive anume construite pentru a înmagazina o mare cantitate de electricitate (sarcina electrică). Fie un condensator plan format din două plăci metalice (armăturile) plan paralele de arie "S" fiecare, aflate la distanța "d" una de cealaltă. Dacă conectăm cele două armături la o sursă electrică, plăcile se vor încărca cu sarcinile "+Q" și respectiv "-Q". Dacă
Teorema lui Earnshaw () [Corola-website/Science/321168_a_322497]
-
comparație cu dimensiunile armăturilor, câmpul electric creat între ele poate fi considerat uniform, ceea ce înseamnă că liniile de câmp sunt paralele și uniform distribuite. În aceste condiții poate fi neglijată deformarea câmpului electric la capete. Se poate calcula capacitatea acestui condensator folosind teorema lui Gauss. Se construiește suprafața Gauss (indicată în figura alăturată). Fluxul electric al intensității "E" este nul pe suprafața Gauss aflată la mijlocul plăcii din cauză că intensitatea câmpului electric din interiorul unui conductor metalic ce conține sarcină electrică constantă este
Teorema lui Earnshaw () [Corola-website/Science/321168_a_322497]
-
suprafața Gauss aflată la mijlocul plăcii din cauză că intensitatea câmpului electric din interiorul unui conductor metalic ce conține sarcină electrică constantă este nulă. Fluxul lui "E" pe suprafețele de la capete este tot nul în măsura în care câmpul electric poate fi considerat nedeformat la extremitățile condensatorului. "Φ" = "E×S" = "Q" / "ε" (1) unde "E" = "U" / "d" "Q" = "C×U" rezultă "C" = "Q" / "U" = "ε×S" / "d" Procesul de încărcare a unui condensator cu o sarcină "Q" (până când diferența de potențial dintre armături devine "U") poate fi
Teorema lui Earnshaw () [Corola-website/Science/321168_a_322497]
-
de la capete este tot nul în măsura în care câmpul electric poate fi considerat nedeformat la extremitățile condensatorului. "Φ" = "E×S" = "Q" / "ε" (1) unde "E" = "U" / "d" "Q" = "C×U" rezultă "C" = "Q" / "U" = "ε×S" / "d" Procesul de încărcare a unui condensator cu o sarcină "Q" (până când diferența de potențial dintre armături devine "U") poate fi imaginat ca transportul unei sarcini infinitezimale "dQ" = "C×dU" de la o armătură pe alta, ceea ce duce la ridicarea tensiunii cu "dU". Pentru acest proces se efectuează
Teorema lui Earnshaw () [Corola-website/Science/321168_a_322497]
-
infinitezimale "dQ" = "C×dU" de la o armătură pe alta, ceea ce duce la ridicarea tensiunii cu "dU". Pentru acest proces se efectuează un lucru mecanic infinitezimal "δL" = "U×dQ" care va duce la o creștere cu "dW" a energiei electrostatice a condensatorului. Energia finală va fi: Ținând cont că "C" = "ε×S" / "d" și "U" = "E×d", expresia energiei devine: "W" = "ε×E×S×d / 2" = "ε×E×V / 2" , densitatea volumică de energie fiind: "w" = "ε×E / 2" = "E•D / 2
Teorema lui Earnshaw () [Corola-website/Science/321168_a_322497]
-
Ținând cont că "C" = "ε×S" / "d" și "U" = "E×d", expresia energiei devine: "W" = "ε×E×S×d / 2" = "ε×E×V / 2" , densitatea volumică de energie fiind: "w" = "ε×E / 2" = "E•D / 2" Formula (1) leagă energia condensatorului de sarcina înmagazinată pe armături, iar expresiile din formula (2) de intensitatea câmpului electric dintre armături. Cine este purtătorul energiei electrostatice? Sarcinile electrice de pe armături sau câmpul? Electrostatica (care studiază câmpurile constante în timp create de sarcinile imobile) nu poate
Teorema lui Earnshaw () [Corola-website/Science/321168_a_322497]
-
Dynamic random access memory (DRAM) este un tip de memorie cu acces direct care stochează fiecare bit de date într-un condensator separat, într-un circuit integrat. Deoarece condensatoarele se descarcă, informația se poate șterge în cazul în care prin semnalele de comandă nu se specifică reîncărcarea celulelor cu un anumit conținut. Această operație se numește „reîmprospătarea memoriei” (refreshing memory). Avantajul memoriei
Memorie DRAM () [Corola-website/Science/321163_a_322492]
-
Dynamic random access memory (DRAM) este un tip de memorie cu acces direct care stochează fiecare bit de date într-un condensator separat, într-un circuit integrat. Deoarece condensatoarele se descarcă, informația se poate șterge în cazul în care prin semnalele de comandă nu se specifică reîncărcarea celulelor cu un anumit conținut. Această operație se numește „reîmprospătarea memoriei” (refreshing memory). Avantajul memoriei DRAM este simplitatea structurii: doar un tranzistor
Memorie DRAM () [Corola-website/Science/321163_a_322492]
-
informația se poate șterge în cazul în care prin semnalele de comandă nu se specifică reîncărcarea celulelor cu un anumit conținut. Această operație se numește „reîmprospătarea memoriei” (refreshing memory). Avantajul memoriei DRAM este simplitatea structurii: doar un tranzistor si un condensator sunt necesare pe bit, spre deosebire de memoria SRAM care are nevoie de șase tranzistoare. Acest lucru permite memoriei DRAM să atingă o densitate de stocare foarte înaltă. Spre deosebire de memoria flash, este o memorie volatilă, pentru că își pierde datele atunci când nu mai
Memorie DRAM () [Corola-website/Science/321163_a_322492]
-
spre deosebire de memoria SRAM care are nevoie de șase tranzistoare. Acest lucru permite memoriei DRAM să atingă o densitate de stocare foarte înaltă. Spre deosebire de memoria flash, este o memorie volatilă, pentru că își pierde datele atunci când nu mai este alimentată. Tranzistoarele si condensatoarele folosite sunt extrem de mici astfel încat pe un singur chip de memorie pot încăpea milioane. DRAM este aranjat in mod obișnuit într-o matrice pătratică dintr-un condensator și un tranzistor pe celulă. Poza din dreapta arată un simplu exemplu cu
Memorie DRAM () [Corola-website/Science/321163_a_322492]
-
volatilă, pentru că își pierde datele atunci când nu mai este alimentată. Tranzistoarele si condensatoarele folosite sunt extrem de mici astfel încat pe un singur chip de memorie pot încăpea milioane. DRAM este aranjat in mod obișnuit într-o matrice pătratică dintr-un condensator și un tranzistor pe celulă. Poza din dreapta arată un simplu exemplu cu 4×4 celule. (O martice DRAM modernă poate fi alcătuită din mii de celule în lățime/lungime.) Liniile lungi care conectează fiecare linie sunt cunoscute ca linii de
Memorie DRAM () [Corola-website/Science/321163_a_322492]
-
bit dintr-o coloană, urmatoarele operații au loc: Pentru a scrie memoriei, linia este deschisă și un amplificator de direcție al unei anumite coloane este forțat temporar la starea dorită, asa că este condus la linia de bit, care incarcă condensatorul la valoarea dorită. Datorită feedback-ului pozitiv, amplificatorul il va ține stabil chiar și după ce forțarea nu mai are loc. În timpul scrierii unei anumite celule, întreaga linie este citită, o valoare schimbată, și apoi întreaga linie este scrisă înapoi, asa
Memorie DRAM () [Corola-website/Science/321163_a_322492]
-
și au fost dispuse în laboratorul Arma din Garden City și la comandamentul SAC (Strategic Air Command). Primele circuite PROM comerciale, bazate pe tehnologia semiconductorilor, au fost disponibile încă din anul 1969, valoarea celulelor de bit depinzând de arderea unui condensator aflat la intersecția liniilor conductoare. Texas Instruments a realizat circuitul folosind tehnologia "MOSFET" în 1979. În 1982 s-a trecut de la folosirea condensatoarelor la folosirea tranzistorilor. Cu toate aceste avansuri tehnologice, principiul de ardere propriu-zisă a circuitelor a ridicat o
PROM () [Corola-website/Science/321167_a_322496]
-
tehnologia semiconductorilor, au fost disponibile încă din anul 1969, valoarea celulelor de bit depinzând de arderea unui condensator aflat la intersecția liniilor conductoare. Texas Instruments a realizat circuitul folosind tehnologia "MOSFET" în 1979. În 1982 s-a trecut de la folosirea condensatoarelor la folosirea tranzistorilor. Cu toate aceste avansuri tehnologice, principiul de ardere propriu-zisă a circuitelor a ridicat o serie de probleme de scalare, programare, mărime și fabricație ce au condus la producția acestora în volume mici. Un circuit tipic PROM neprogramat
PROM () [Corola-website/Science/321167_a_322496]
-
rășinoasă" (în acest caz materialul fiind chihlimbarul sau cauciucul). În 1745, fizicianul olandez Pieter van Musschenbroek (1692 - 1761) efectuează niște experiențe pentru a vedea dacă o sticlă umplută cu apă poate reține sarcina electrică. Astfel realizează butelia de Leyda, primul condensator electric, care ulterior va sta la baza construcției condensatoarelor. Aceasta a fost inventată, în același an, dar în mod independent, și de Ewald Georg von Kleist. William Watson (1715 - 1787) a perfecționat butelia de Leyda utilizând pentru cele două armături
Istoria electricității () [Corola-website/Science/320539_a_321868]
-
În 1745, fizicianul olandez Pieter van Musschenbroek (1692 - 1761) efectuează niște experiențe pentru a vedea dacă o sticlă umplută cu apă poate reține sarcina electrică. Astfel realizează butelia de Leyda, primul condensator electric, care ulterior va sta la baza construcției condensatoarelor. Aceasta a fost inventată, în același an, dar în mod independent, și de Ewald Georg von Kleist. William Watson (1715 - 1787) a perfecționat butelia de Leyda utilizând pentru cele două armături foițe metalice subțiri, mărind astfel capacitatea acesteia de a
Istoria electricității () [Corola-website/Science/320539_a_321868]
-
Permitivitatea dielectrică relativă (εr) este o mărime care caracterizează starea de polarizație a materialului și se definește ca fiind raportul dintre capacitatea C a unui condensator având ca dielectric materialul respectiv și capacitatea C a aceluiași condensator având ca dielectric vidul (sau aerul): De asemenea, poate fi definită și ca raportul dintre permitivitatea absolută în funcție de frecvență și permitivitatea vidului: Permitivitatea dielectrică relativă este o mărime supraunitară
Permitivitate relativă () [Corola-website/Science/321737_a_323066]
-
Permitivitatea dielectrică relativă (εr) este o mărime care caracterizează starea de polarizație a materialului și se definește ca fiind raportul dintre capacitatea C a unui condensator având ca dielectric materialul respectiv și capacitatea C a aceluiași condensator având ca dielectric vidul (sau aerul): De asemenea, poate fi definită și ca raportul dintre permitivitatea absolută în funcție de frecvență și permitivitatea vidului: Permitivitatea dielectrică relativă este o mărime supraunitară, adimensională și ia valori cuprinse între 1 (pentru gaze) și mii
Permitivitate relativă () [Corola-website/Science/321737_a_323066]
-
relativă scade sub 3,5. Utilizarea unor materiale poroase ca și izolator scade și mai mult permitivitatea dielectrică, aceasta având valori cuprinse între 1 și 3, în funcție de materialul utilizat. Materialele cu permitivitate dielectrică ridicată se folosesc ca și dielectrici pentru condensatoare, precum și în componentele electronice semiconductoare ca înlocuitor pentru dioxidul de siliciu (SiO2) folosit ca și izolator la poarta tranzistoarelor MOS, în special în aplicațiile cu consum redus. Dacă pelicula de oxid de sub poarta tranzistorului este sub 2 nm, curentul de
Permitivitate relativă () [Corola-website/Science/321737_a_323066]