18,605 matches
-
222 km/h, si accelera de la 0-100 km/h în 8.8 secunde. În 1989, Omega 3000 a fost dotat și cu un nou propulsor devenind Omega 3000 24V. Motorul avea acum 24 de vâlve, distribuție dublă, și sistemul "Dual Ram". De asemenea folosea o unitete mai performantă de control pentru motor. Puterea crescând la 204 CP, care a mărit viteză maximă la 245 km/h, si scăzând timpul de accelerație de la 0-100;km/h la 7.6 secunde. Opel Omega
Opel Omega () [Corola-website/Science/321029_a_322358]
-
la un terminal și programat în BASIC. Apple I era o mașină de amatori, cu un microprocessor de 25 de dolari (MOS 6502) pe o placă cu circuit unic și 256 de octeți de ROM, 4 sau 8 KB de RAM și un controller de afișaj pentru 40 de caractere lățime și 24 de rânduri înălțime. Nu avea carcasă, sursă de alimentare, tastatură sau afișaj, acestea trebuiau furnizate de utilizator. Apple I costa 666,66 dolari. (Wozniak a zis apoi că
Steve Wozniak () [Corola-website/Science/321088_a_322417]
-
Mai târziu, în timpul anilor 1970 și 1980, la primele supercomputere de la IBM, Amdahl și Cray, SSD-urile au fost implementate pe baza memoriilor cu semiconductori. În 1978 compania Texas Memory Systems a introdus pe piață un SSD de 16 KB RAM pentru a fi folosit de către companiile de petrol pentru achiziția de date seismice. În anul următor compania StorageTek a dezvoltat prima unitate SSD modernă, supranumită „"Iceberg"”. Calculatorul Sharp PC-5000, care a fost introdus în 1983, folosea cartușe de stocare de
Solid-state drive () [Corola-website/Science/321119_a_322448]
-
ultrascurți, de ordinul a 10 milisecunde. SSD-urile DRAM conțin o baterie internă sau un adaptor AC/DC care asigură reținerea datelor și atunci când curentul este întrerupt. Atunci când curentul este întrerupt, bateria internă asigură curentul necesar pentru transferul datelor din RAM în memoria de rezervă. Când curentul revine, datele sunt copiate înapoi în memoria RAM. Aceste SSD-uri conțin aceleași module DRAM ca și cele de la PC-uri, putând fi ușor înlocuite cu module mai mari. SSD-urile pe baza de
Solid-state drive () [Corola-website/Science/321119_a_322448]
-
un adaptor AC/DC care asigură reținerea datelor și atunci când curentul este întrerupt. Atunci când curentul este întrerupt, bateria internă asigură curentul necesar pentru transferul datelor din RAM în memoria de rezervă. Când curentul revine, datele sunt copiate înapoi în memoria RAM. Aceste SSD-uri conțin aceleași module DRAM ca și cele de la PC-uri, putând fi ușor înlocuite cu module mai mari. SSD-urile pe baza de DRAM sunt folosite de obicei la calculatoare care dispun deja de un număr maxim
Solid-state drive () [Corola-website/Science/321119_a_322448]
-
aceleași module DRAM ca și cele de la PC-uri, putând fi ușor înlocuite cu module mai mari. SSD-urile pe baza de DRAM sunt folosite de obicei la calculatoare care dispun deja de un număr maxim de module de memorie RAM. SSD-urile folosesc de obicei memorie "cache" de tip DRAM asemenea HDD-urilor. Un director pentru plasarea blocurilor și a nivelului de uzură este păstrat în timpul funcționării în "cache". De obicei în "cache" nu sunt păstrate și datele utilizatorului. Compania
Solid-state drive () [Corola-website/Science/321119_a_322448]
-
domeniile industriei electronice din Statele Unite, JEDEC are peste 300 membri, incluzând unele dintre cele mai mari companii din domeniul calculatoarelor. Standardul JEDEC 100B.01 specifică termeni, unități și alte definții comune în folosința industriei semiconductorilor. JESC21-C specifică memoriile semiconductorilor de la RAM-ul static de 256 de biți până la modulele DDR3 SDRAM. În august 2011, JEDEC a anunțat că standardul DDR4 este așteptat să fie publicat la mijlocul anului 2012. JEDEC a luat ființă în anul 1958 ca activitate comună între EIA și
Standarde JEDEC () [Corola-website/Science/321153_a_322482]
-
memorie cu semiconductori și dispozitive de stocare similare, promulgate de către JEDEC Solid State Technology Association. Standardul JEDEC 100B.01 specifica termeni comuni, elemente și alte definiții în uz din industria semiconductorilor. JESC21-C se adresează memoriilor cu semiconductori de la 256 static RAM pana la ultimele module DDR3 SDRAM. JEDEC motivează eforturile standardizării după cum urmează: Standardul JEDEC 100B.01 este intitulat "„Termeni, definiții și simbolul literelor pentru microcalculatoare, microprocesoare și circuite de memorie integrate”". Scopul acestui standard este acela de "a promova utilizarea
Standarde JEDEC () [Corola-website/Science/321153_a_322482]
-
Memoria ROM (read-only memory) este un tip de memorie care în mod normal poate fi doar citită, spre deosebire de RAM, care poate fi atât citită, cât și scrisă. Memoria ROM este o clasă de suporturi de stocare utilizate în computere și alte dispozitive electronice. Datele stocate în ROM nu pot fi modificate sau pot fi modificate numai lent ori cu
Memorie ROM () [Corola-website/Science/321157_a_322486]
-
nivel de cuvânt la nivel de bloc. La această metodă, pe lângă bitul de paritate al fiecărui cuvânt, se utilizează și un bit de paritate la nivel de coloană a blocului de cuvinte. Erorile de memorie sunt proporționale cu cantitatea de RAM într-un computer, precum și cu durata de funcționare. Deoarece serverele de obicei conțin mulți gigabaiți de RAM și sunt în funcțiune 24 de ore pe zi, probabilitatea erorilor produse în cipurile de memorie este relativ mare și, prin urmare, acestea
Cod corector de erori () [Corola-website/Science/321159_a_322488]
-
se utilizează și un bit de paritate la nivel de coloană a blocului de cuvinte. Erorile de memorie sunt proporționale cu cantitatea de RAM într-un computer, precum și cu durata de funcționare. Deoarece serverele de obicei conțin mulți gigabaiți de RAM și sunt în funcțiune 24 de ore pe zi, probabilitatea erorilor produse în cipurile de memorie este relativ mare și, prin urmare, acestea au nevoie de memorie ECC foarte eficientă. În aceste cazuri memoria trebuie protejată cu un cod ECC
Cod corector de erori () [Corola-website/Science/321159_a_322488]
-
că, spre deosebire de memoriile DRAM ("Dynamic Random Access Memory"), nu mai este necesar un ciclu periodic de reîmprospătare (engleză: "refresh"). Acest lucru este posibil deoarece memoriile folosesc circuite logice combinaționale pentru a memora fiecare bit. Memoriile semiconductoare sunt referite adesea ca RAM ceea ce înseamnă "Random Access Memory", sau memorii cu acces aleator. Aceasta implică faptul că orice cuvânt din memorie poate fi accesat în același timp. O memorie este constituită dintr-o arie de dispozitive de memorare. Fiecare dispozitiv poate stoca un
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
apoi combinația binară a adresei locației de memorie pe liniile de adrese și se activează semnalul de scriere. Descrierea unei memorii din punctul de vedere al unui utilizator reprezintă o viziune abstractă. Implementarea memoriilor se bazează pe două tehnologii, memorii RAM statice și memorii RAM dinamice: Este important de reținut că orice dispozitiv capabil să memoreze valori binare poate fi utilizat ca memorie și indiferent ce s-ar utiliza, viziunea abstractă a utilizatorului rămâne în mare aceeași. Termenul SRAM indică faptul
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
adresei locației de memorie pe liniile de adrese și se activează semnalul de scriere. Descrierea unei memorii din punctul de vedere al unui utilizator reprezintă o viziune abstractă. Implementarea memoriilor se bazează pe două tehnologii, memorii RAM statice și memorii RAM dinamice: Este important de reținut că orice dispozitiv capabil să memoreze valori binare poate fi utilizat ca memorie și indiferent ce s-ar utiliza, viziunea abstractă a utilizatorului rămâne în mare aceeași. Termenul SRAM indică faptul că datele depuse în
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
care se activează linia Read/Write. Tranzistoarele de trecere intră în conducție și valorile de pe liniile Data și Data' vor fi transferate către punctele A și B. O poartă NU poate fi construită cu două tranzistoare MOS, astfel o celulă RAM statică, ce este capabilă să memoreze un bit de informație, poate să fie construită cu 6 tranzistoare MOS. În figura următoare este ilustrat un model abstract al unei celule RAM statică, model ce ascunde detaliile constructive. Reprezentare abstractă a unei
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
poate fi construită cu două tranzistoare MOS, astfel o celulă RAM statică, ce este capabilă să memoreze un bit de informație, poate să fie construită cu 6 tranzistoare MOS. În figura următoare este ilustrat un model abstract al unei celule RAM statică, model ce ascunde detaliile constructive. Reprezentare abstractă a unei celule RAM statică Pentru a forma o memorie pentru un cuvânt, se plasează în același rând atâtea celule de memorare cât este lungimea cuvântului. În figura următoare se arată cum
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
ce este capabilă să memoreze un bit de informație, poate să fie construită cu 6 tranzistoare MOS. În figura următoare este ilustrat un model abstract al unei celule RAM statică, model ce ascunde detaliile constructive. Reprezentare abstractă a unei celule RAM statică Pentru a forma o memorie pentru un cuvânt, se plasează în același rând atâtea celule de memorare cât este lungimea cuvântului. În figura următoare se arată cum este construit un dispozitiv pentru memorarea unui cuvânt de patru biți. Dispozitiv
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
mari și prețuri mici, cum ar fi memoria principală din PC-uri. Consumul de putere în cazul memoriilor SRAM depinde în mare parte de cât de des este aceasta accesată; la frecvențe mari poate fi la fel de consumatoare de curent ca RAM-ul dinamic și unele Controllere de Interfață pot consuma foarte mult la capacitate maximă. Pe de altă parte, SRAM-ul folosit la frecvențe mai mici, cum ar fi în aplicații cu microprocesoare mai lente, consumă foarte puțin, putând ajunge chiar
SRAM () [Corola-website/Science/321158_a_322487]
-
îndure un milion operații de scriere pe octet. Acest lucru este destul de acceptabil. Cu toate acestea, încă mai trebuie să fiți atent aici, ca să nu scrieți date în mod constant pe parte. EEPROM-ul nu este un substitut pentru memoria RAM de uz general. Dacă ați scrie pe aceste părți într-o buclă strânsă, ar fi nevoie de doar o oră sau cam așa ceva pentru a depăși 1 milion de operații de scriere. Software-ul trebuie scris ținând seama de acest
EEPROM Serial () [Corola-website/Science/321154_a_322483]
-
memoria locală. Adaptoarele grafice discrete împart, în general, o porțiune din memoria sistemului cu CPU. De obicei, aceste adaptoare nu cer pentru utilizarea dedicată de memorie de sistem pentru grafica, lăsând astfel mai multe resurse disponibile pentru restul sistemului. Video RAM, sau VRAM, este varianta dual-portată RAM-ului dinamic(DRAM, care a fost odată frecvent utilizată pentru a stoca framebuffer-ele în unele adaptoare grafice. Acesta a fost inventat de către F. Dill, D. Ling, și R. Matick la IBM Research, în 1980
Memorie video () [Corola-website/Science/321165_a_322494]
-
în general, o porțiune din memoria sistemului cu CPU. De obicei, aceste adaptoare nu cer pentru utilizarea dedicată de memorie de sistem pentru grafica, lăsând astfel mai multe resurse disponibile pentru restul sistemului. Video RAM, sau VRAM, este varianta dual-portată RAM-ului dinamic(DRAM, care a fost odată frecvent utilizată pentru a stoca framebuffer-ele în unele adaptoare grafice. Acesta a fost inventat de către F. Dill, D. Ling, și R. Matick la IBM Research, în 1980, cu un brevet emis în 1985
Memorie video () [Corola-website/Science/321165_a_322494]
-
variază de la umed, în marginea de vest cu originea izvorului principal de volum (Río Madre de Dios, Río Beni) la semiarid în partea sudică, cu izvoarele andine din tulpina principala de lungime (Câine Río, Río Rocha, Rio Grande, Mamore). Toate ramurile superioare ale râului Madeira își croiesc drumul lor spre zonele de câmpie prin cascade. Zonele joase includ Mojos și câmpiile Beni, aici 90000 km² sunt inundați anual la o adâncime medie de aproximativ 0,91 m pentru o perioadă de
Râul Madeira () [Corola-website/Science/321269_a_322598]
-
urmă numai prin deghizarea sa în uniformă de gardă națională. A plecat în Anglia unde s-a stabilit cu părinții săi la Casa Claremont. Scopul lui principal în timpul exilului, în special după moartea tatălui său a fost reconcilierea celor două ramuri ale Casei de Bourbon ca indispensabilă restabilirii monarhiei în Franța sub orice formă. Această dorință a fost frustată pe de o parte de atitudinea contelui de Chambord și pe de altă parte de determinarea ducesei de Orleans de a menține
Louis, Duce de Nemours () [Corola-website/Science/321301_a_322630]
-
l-a constituit introducerea rigorii matematice prin axiomatizarea introdusă de Euclid, care a influențat evoluția a secole întregi de știință. În epoca modernă, geometria beneficiază de aportul algebrei abstracte și a calculului diferențial și integral și a evoluat în diverse ramuri ale acesteia, cu grad înalt de abstractizare, mult diferențiate de formele din trecut. Debutul geometriei poate fi remarcat la acele civilizații din Valea Indusului și la babilonieni acum cinci milenii. Pe atunci totul se limita la câteva cunoștințe empirice privind
Istoria geometriei () [Corola-website/Science/320590_a_321919]
-
regulilor monahale, urmând și exemplul Părinților Deșertului. Sfântul Benedict de Nursia, a cărui Regulă se bazează pe cea a Sf. Vasile, este adesea considerat întemeietorul monahismului apusean. În anul 451, în urma conciliului de la Chalcedon, Biserica Alexandrină este împărțită în două ramuri: calcedoniană (cei care au acceptat prevederile conciliului), și monofizită sau necalcedoniană (cei care au respins prevederile). Majoritatea egiptenilor erau de monofiziți, ceea ce a dus la persecutarea lor de către bizantini. În anul 641, arabii invadează Egiptul, cucerindu-l cu puțină rezistență
Copți () [Corola-website/Science/320654_a_321983]