1,190 matches
-
semiconductoare 8541.30 buc. @ S 32.10.52.35 Diode electroluminiscente (LED) semiconductoare 8541.40.10 buc. @ S 32.10.52.37 Dispozitive semiconductoare fotosensibile; celule solare, fotodiode, fototranzistoare etc. 8541.40.90 buc. @ S 32.10.52.50 Dispozitive semiconductoare (excl. dispozitivele semiconductoare fotosensibile, celulele fotovoltaice, tiristoarele, diacele și triacele, tranzistoarele, diodele și diodele electroluminiscente) 8541.50 buc. @ S 32.10.52.70 Cristale piezoelectrice montate (inclusiv cuarțul, oscilatoare și rezonatoare) 8541.60 buc. @ S 32.10.61.00 Cartele
32006R0317-ro () [Corola-website/Law/295168_a_296497]
-
rece/fotocatod, termionice, inclusiv lămpile/tuburile cu vacuum, cele umplute cu vapori/gaze, lămpile/tuburile redresoare cu arc electric în vapori de mercur, tuburile camerelor de televiziune 8540.99 S 32.10.73.50 Elemente de diode, tranzistoare și dispozitive semiconductoare și dispozitive semiconductoare fotosensibile similare, precum și celule fotovoltaice, diode luminiscente și cristale piezoelectrice montate 8541.90 S 32.10.73.70 Elemente de circuite integrate și microansambluri (excl. circuitele constituite doar din elemente pasive) 8542.90 S S2 NACE 32
32006R0317-ro () [Corola-website/Law/295168_a_296497]
-
de măsurat universale, voltmetrele), altele decât cele electronice 9030.39.99 buc. @ S 33.20.44.00 Instrumente și aparate pentru telecomunicații 9030.40 buc. @ S 33.20.45.20 Instrumente și aparate pentru măsurarea sau controlul plăcilor sau dispozitivelor semiconductoare 9030.82 buc. @ S 33.20.45.30 Instrumente și aparate, cu dispozitiv de înregistrare, pentru măsurarea sau controlul amplificării electrice (excl. contoarelor de gaze, de lichide, de energie electrică furnizată sau produsă) 9030.83 buc. @ S 33.20.45
32006R0317-ro () [Corola-website/Law/295168_a_296497]
-
carcasă separată, dispunând de propriile conexiuni externe. "Circuit integrat monolitic" (3): combinație de mai multe "elemente de circuit" active sau pasive sau ambele, care: a. sunt fabricate prin procese de difuziune, implantare sau depunere în sau pe un singur element semiconductor, un așa-numit "chip" ("microplachetă"); b. sunt considerate ca fiind asociate indivizibil și c. realizează funcția sau funcțiile unui circuit NB: "Element de circuit": un singur element funcțional activ sau pasiv al unui circuit electronic cum ar fi o diodă
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
performanței de calcul exprimată în milioane de operațiuni teoretice per sec. (Mtops), calculată prin agregarea "elementelor de calcul" ("CE") NB: A se vedea categoria 4, Notă tehnică la "CTP". "Pixel activ" (6 și 8): elementul minimal (singular) al unei rețele semiconductoare care are o funcție de fotoelectrică atunci când este expus radiației luminoase (electromagnetice). "Precizie" (2 și 6): caracteristică exprimată de obicei în termeni de imprecizie, adică: deviația maximă, pozitivă sau negativă, a unei valori indicate față de un standard acceptat sau față de valoarea
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
sau mai mult; b. alimentatoare cu energie, cu o putere specificată de ieșire de 5 kW sau mai mult, special concepute pentru cuptoarele supuse controlului prin 2B226.a. Notă: 2B226.a. nu supune controlului cuptoarele concepute pentru tratarea plachetelor de semiconductori. 2B227 Cuptoare de topire și turnare sub vid sau în alte medii controlate pentru metalurgie și echipamentul aferent, după cum urmează: a. cuptoare de retopire și de turnare cu arc, care au ambele următoarele caracteristici: 1. capacitatea electrozilor consumabili cuprinsă între
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
s sau mai mare sau c. o fluență (flux integrat) de neutroni (echivalent 1 MeV) de 5 1013 n/cm2 sau mai ridicată pe siliciu sau echivalentul său pentru alte materiale. Notă: 3A001.a.1.c. nu se aplică pentru semiconductorii izolatori metalici (MIS). 2. "microcircuite microprocesor", "microcircuite microcalculator", microcircuite microcontroler, circuite integrate de memorare fabricate dintr-un semiconductor compus, convertoare analog-digitale, convertoare digital-analogice, circuite electro-optice sau "circuite optice integrate" concepute pentru "prelucrarea semnalelor", rețele logice de porți programabile circuite integrate
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
listate în mai mult de un domeniu de frecvențe, astfel cum sunt definite de la 3A001.b.3.a. până la 3A001.b.3.e., este determinat de cel mai jos prag de control al puterii medii de ieșire. 4. amplificatoare cu semiconductori pentru microunde și ansamble/module pentru microunde care conțin amplificatoare pentru microunde care au oricare dintre următoarele caracteristici: a. destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 3,2 GHz până 6 GHz inclusiv și cu putere medie de ieșire
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
rezistente la UF6; f. spectrometre de masă echipate cu o sursă de ioni microfluoriană concepută pentru a fi utilizată cu actinide sau fluoruri de actinide. 3B Echipamente de testare, inspecție și producție 3B001 Echipament pentru producerea dispozitivelor sau a materialelor semiconductoare și componentele și accesoriile lor special concepute pentru acestea, după cum urmează: a. echipament pentru creșterea epitaxială, după cum urmează: 1. echipament capabil să producă un strat din orice material, altul decât siliciu cu o uniformitate a grosimii mai mică de ± 2
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
altul decât siliciu cu o uniformitate a grosimii mai mică de ± 2,5 % pe o distanță de 75 mm sau mai mare; 2. reactoare de depunere în faza de vapori prin procedeul chimic organometalic (MOCVD) special concepute pentru creșterea cristalelor semiconductorilor compuși prin reacția chimică dintre materialele menționate în 3C003 sau 3C004; 3. echipamente pentru creșterea epitaxială cu jet molecular care utilizează surse gazoase sau solide; b. echipamente concepute pentru placare ionică, care au oricare dintre următoarele caracteristici: 1. o energie
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
3. capacitate de scriere directă sau 4. o energie a fascicolului de 65 keV sau mai mare și un curent al fascicolului de 45 mA sau mai mare pentru implant de oxigen de mare energie într-un "substrat" de material semiconductor încălzit; c. echipamente pentru eliminarea prin metode anizotrope uscate cu plasmă, după cum urmează: 1. echipamente cu operare casetă-casetă și blocări de sarcină, care au oricare din următoarele: a. concepute sau optimizate pentru a produce dimensiuni critice de 180 nm sau
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
măsurabilă a particulei mai mare decât 0,12 μm în diametru; d. echipamente CVD îmbunătățite cu plasmă intensificată, după cum urmează: 1. echipamente cu operare casetă-casetă și blocări de sarcină, concepute conform specificațiilor fabricantului sau optimizate pentru utilizarea în producția de semiconductori cu dimensiuni critice de 180 nm sau mai mici; 2. echipamente special concepute pentru echipamentele menționate în 3B001.e. și concepute conform specificațiilor fabricantului sau optimizate pentru utilizarea în producția de semiconductori cu dimensiuni critice de 180 nm sau mai
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
fabricantului sau optimizate pentru utilizarea în producția de semiconductori cu dimensiuni critice de 180 nm sau mai mici; 2. echipamente special concepute pentru echipamentele menționate în 3B001.e. și concepute conform specificațiilor fabricantului sau optimizate pentru utilizarea în producția de semiconductori cu dimensiuni critice de 180 nm sau mai mici; e. sisteme centrale multicameră de manipulare a plachetelor cu încărcare automată care au următoarele caracteristici: 1. interfețe pentru intrarea și ieșirea plachetelor, la care pot fi conectate mai mult de două
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
minimal' este calculată cu formula: MRF = (Lungimea de undă a sursei luminoase de expunere în nm) (factor K) apertura numerică unde: factorul K = 0,45 MRF = dimensiunea elementului resolubil minimal. 2. echipamente special concepute pentru executarea măștilor sau prelucrarea dispozitivelor semiconductoare care utilizează deflexia unui fascicul focalizat de electroni, de ioni sau "laser", care au oricare dintre următoarele caracteristici: a. dimensiunea spotului mai mică de 0,2 μm; b. capabile sa producă o rețea cu dimensiunea caracteristicii mai mică de 1
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
cu decalaj de fază; Notă: 3B001.h. nu supune controlului măștile multistrat cu un strat de schimbare a faze concepute pentru fabricarea memoriilor necontrolate prin 3A001. 3B002 Echipamente de testare cu control prin program memorat special concepute pentru testarea dispozitivelor semiconductoare și a cipurilor necapsulate, componentele și accesoriile lor special concepute, după cum urmează: a. pentru testarea parametrilor S ai dispozitivelor cu tranzistori la frecvențe ce depășesc 31,8 GHz; b. neutilizat; c. pentru testarea circuitelor integrate pentru microunde menționate în 3A001
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
a. până la f. sau b. Echipamente menționate în 3B002. 3D003 "Produse software" pentru simularea bazată fizic, special concepute pentru "dezvoltarea" proceselor de litografiere, erodare și depunere pentru transferarea formelor de mască în formele topografice specifice în materiale conductoare, dielectrice sau semiconductoare. Notă tehnică: În 3D003, 'bazată fizic' înseamnă folosirea calculului pentru determinarea unei secvențe de evenimente de cauze fizice și efecte bazate pe proprietățile fizice (de exemplu, temperatura, presiunea, constantele de difuzie și proprietățile materialului semiconductor). Notă: Bibliotecile, datele asociate sau
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
bazată fizic' înseamnă folosirea calculului pentru determinarea unei secvențe de evenimente de cauze fizice și efecte bazate pe proprietățile fizice (de exemplu, temperatura, presiunea, constantele de difuzie și proprietățile materialului semiconductor). Notă: Bibliotecile, datele asociate sau atributele pentru proiectarea dispozitivelor semiconductoare sau a circuitelor integrate sunt considerate ca "tehnologie". 3D004 "Produse software" special concepute pentru "dezvoltarea" echipamentelor menționate în 3A003. 3D101 "Produse software" special concepute pentru "utilizarea" echipamentelor menționate în 3A101.b. 3E Tehnologie 3E001 "Tehnologie", în conformitate cu nota generală privind tehnologia
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
aritmetică cu o lărgime a accesului de 32 biți sau mai mult. Notă: Nota 2 de decontrol din 3E001 se aplică, de asemenea, în 3E002. 3E003 Alte "tehnologii" pentru "dezvoltarea" sau "producția" de: a. dispozitive microelectronice cu vid; b. dispozitive semiconductoare cu heterostructură, cum sunt tranzistoarele cu mobilitate electronică mare (HEMT), tranzistoarele heterobipolare (HBT), dispozitivele cu canal cuantic sau suprastructurate. Notă: 3E003.b. nu supune controlului tehnologia pentru tranzistoarele cu mobilitate electronică mare (HEMT) care funcționează la frecvențe mai mici de
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
EC" să poată avea acces la canal la un moment dat. NB: Aceasta nu se aplică articolelor menționate la categoria 3. Nota 2: "EC" partajează memoria în cazul în care au acces la o secțiune comună a unei memorii cu semiconductori. Această memorie poate include memoria cache, memoria principală sau altă memorie internă. Dispozitivele periferice de memorie, cum sunt unitățile de disc, unitățile de bandă sau discurile RAM nu sunt incluse. Pentru mai multe "EC" sau grupe de "EC" care nu
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
intelectuală) atunci când suportul este oferit la vânzare către public în seturi identice; 3. controlul copierii datelor audio-video protejate prin drepturi de autor sau 4. criptarea și/sau decriptarea pentru protecția bibliotecilor, caracteristicile de concepție sau datelor conexe pentru proiectarea dispozitivelor semiconductoare sau circuitelor electronice; d. echipamentul criptografic special conceput și limitat pentru uz bancar sau 'operații financiare'; Notă tehnică: Operațiile financiare' menționate în 5A002 nota d. includ colectarea și reglementarea tarifelor sau a funcțiunilor de credit. e. radiotelefoanele portabile sau mobile
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
NB: "Rețele plane focale" ce nu sunt calificate pentru "utilizări spațiale" cu microbolometru pe bază de siliciu sau alt material sunt menționate numai în 6A002.a.3.f. 1. detectoare cu semiconductoare "calificate pentru utilizare spațială", după cum urmează: a. detectoare semiconductoare "calificate pentru utilizare spațială", având toate caracteristicile următoare: 1. un răspuns de vârf în gama de lungimi de undă depășind 10 nm, dar nedepășind 300 nm și 2. un răspuns mai mic de 0,1 % în raport cu răspunsul de vârf pentru
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
1. un răspuns de vârf în gama de lungimi de undă depășind 10 nm, dar nedepășind 300 nm și 2. un răspuns mai mic de 0,1 % în raport cu răspunsul de vârf pentru lungimi de undă depășind 400 nm; b. detectoare semiconductoare "calificate pentru utilizare spațială" având toate caracteristicile următoare: 1. un răspuns de vârf în gama de lungimi de undă depășind 900 nm, dar ne depășind 1 200 nm și 2. o "constantă de timp" a răspunsului de 95 ns sau
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
având toate caracteristicile următoare: 1. un răspuns de vârf în gama de lungimi de undă depășind 900 nm, dar ne depășind 1 200 nm și 2. o "constantă de timp" a răspunsului de 95 ns sau mai mică; c. detectoare semiconductoare "calificate pentru utilizare spațială" având un răspuns de vârf în gama de lungimi de undă depășind 1 200 nm, dar ne depășind 30 000 nm; 2. tuburi intensificatoare de imagine și componente special concepute pentru acestea, după cum urmează: a. tuburi
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
sau 2. o putere medie de ieșire sau CW mai mare de 10 W sau d. o lungime de undă de ieșire depășind 1 400 nm și o putere medie de ieșire sau CW depășind 1 W; b. "lasere" cu semiconductori, după cum urmează: 1. "lasere" cu semiconductori cu un singur mod transversal de transfer individual, având oricare din următoarele caracteristici: a. o lungime de undă egală sau mai mică decât 1 510 nm și cu o putere medie de ieșire sau
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
ieșire sau CW mai mare de 10 W sau d. o lungime de undă de ieșire depășind 1 400 nm și o putere medie de ieșire sau CW depășind 1 W; b. "lasere" cu semiconductori, după cum urmează: 1. "lasere" cu semiconductori cu un singur mod transversal de transfer individual, având oricare din următoarele caracteristici: a. o lungime de undă egală sau mai mică decât 1 510 nm și cu o putere medie de ieșire sau CW depășind 1,5 W sau
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]