2,301 matches
-
puritate prin tragerea unui crisral de însămânțare dintr-o topitură. Atomii impurităților dopante precum borul sau fosforul pot fi adăugați la siliciul intrinsec topit, în cantități precise, pentru a-l dopa (în vederea atingerii proprietăților electronice dorite), astfel schimbându-l în siliciu extrinsec de tip n sau tip p. Lingoul este apoi tranșat cu un ferăstrău pentru plăcuțe (ferăstrău sârmă) și polizat pentru formarea plăcuțelor. Mărimea plăcuțelor pentru celulele fotovoltaice este de 100 - 200 mm , iar grosimea este de 200 - 300 μm
Plăcuță semiconductoare () [Corola-website/Science/319796_a_321125]
-
cauzate în timpul procesului de debitare cu ferăstrăul. În cazul folosirii pentru celulele solare, plăcuțele sunt texturate pentru a crea o suprafață aspră care le crește eficiența. Sticla fosfosilicată generată este îndepărtată de pe marginea plăcuței la decapare. Plăcuțele sau discurile de siliciu monocristalin sunt disponibile într-o varietate de dimensiuni de la 25,4 mm (1 țol) la 300 mm (11,8 țoli). Uzinele de fabricare a semiconductoarelor sunt definite de dimensiunea plăcuțelor care pot fi produse cu echipamentul aflat în dotarea acestora
Plăcuță semiconductoare () [Corola-website/Science/319796_a_321125]
-
de producție s-ar putea ivi undeva în intervalul de timp 2017-2019, aceasta depinzând în mare parte de o pletoră de noi breșe tehnologice și nu doar de o simplă „extindere” a tehnologiei curente. Plăcuțele făcute din alte materiale decât siliciul sunt în general indisponibile la dimensiuni de peste 100 mm și au grosimi diferite de plăcuțele de siliciu cu același diametru. Grosimea plăcuței este determinată de rezistența mecanică a materialului folosit; plăcuța trebuie să fie suficient de groasă pentru a-și
Plăcuță semiconductoare () [Corola-website/Science/319796_a_321125]
-
de o pletoră de noi breșe tehnologice și nu doar de o simplă „extindere” a tehnologiei curente. Plăcuțele făcute din alte materiale decât siliciul sunt în general indisponibile la dimensiuni de peste 100 mm și au grosimi diferite de plăcuțele de siliciu cu același diametru. Grosimea plăcuței este determinată de rezistența mecanică a materialului folosit; plăcuța trebuie să fie suficient de groasă pentru a-și suporta propria greutate fără a se crăpa pe durata manevrării. În cazul plăcuțelor mai mari rămâne mai
Plăcuță semiconductoare () [Corola-website/Science/319796_a_321125]
-
formula 1 De luat în vedere că numărul brut al pastilelor nu ia în calcul pierderile pastilelor defecte, variate marcaje de aliniere și locuri de testare de pe plăcuță. Plăcuțele semiconductoare sunt crescute dintr-un cristal ce are o structură cristalină regulată, siliciul având o structură cubică de tipul diamantului cu o spațiere a rețelei cristaline de 5,430710 Å (0,5430710 nm). Atunci când este tăiat în plăcuțe, suprafața este aliniată într-una din mai multe direcții relative cunoscute ca orientări cristaline. Orientarea
Plăcuță semiconductoare () [Corola-website/Science/319796_a_321125]
-
Å (0,5430710 nm). Atunci când este tăiat în plăcuțe, suprafața este aliniată într-una din mai multe direcții relative cunoscute ca orientări cristaline. Orientarea este definită de indicii lui Miller, direcțiile cristalografice [100] sau [111] fiind cele mai comune pentru siliciu. Orientarea este importantă din moment ce multe dintre proprietățile electronice și structurale ale unui singur cristal sunt pronunțat anizotrope. Adâncimea implantării ionice depinde de orientarea cristalină a plăcuței, din moment ce fiecare direcție oferă căi distincte pentru transport. Clivajul plăcuței în mod tipic se
Plăcuță semiconductoare () [Corola-website/Science/319796_a_321125]
-
diferite unghiuri desemnau adițional tipul de dopare (vezi ilustrația pentru convenții). Plăcuțele cu diametru de 200 mm sau mai mare folosesc o singură crestătură mică pentru a desemna orientarea plăcuței, fără nicio indicație vizuală a tipului de dopare. Plăcuțele de siliciu în general nu sunt siliciu 100% pur, ci sunt în schimb formate printr-o dopare cu impurități inițială cu o concentrație între 10 și 10 pe cm de bor, fosfor, arsen sau stibiu, care este adăugată topiturii și definește plăcuța
Plăcuță semiconductoare () [Corola-website/Science/319796_a_321125]
-
de dopare (vezi ilustrația pentru convenții). Plăcuțele cu diametru de 200 mm sau mai mare folosesc o singură crestătură mică pentru a desemna orientarea plăcuței, fără nicio indicație vizuală a tipului de dopare. Plăcuțele de siliciu în general nu sunt siliciu 100% pur, ci sunt în schimb formate printr-o dopare cu impurități inițială cu o concentrație între 10 și 10 pe cm de bor, fosfor, arsen sau stibiu, care este adăugată topiturii și definește plăcuța fie ca tip n fie
Plăcuță semiconductoare () [Corola-website/Science/319796_a_321125]
-
o concentrație între 10 și 10 pe cm de bor, fosfor, arsen sau stibiu, care este adăugată topiturii și definește plăcuța fie ca tip n fie ca tip p. În orice caz, în comparație cu densitatea atomică a unui singur cristal de siliciu de 5×10 atomi pe cm, acest lucru tot dă o puritate mai mare de 99,9999%. Plăcuțelor le poate fi de asemenea administrată o anumită concentrație interstițială de oxigen. Contaminarea cu carbon și metale este păstrată la minim. Metalele
Plăcuță semiconductoare () [Corola-website/Science/319796_a_321125]
-
Plăcuțelor le poate fi de asemenea administrată o anumită concentrație interstițială de oxigen. Contaminarea cu carbon și metale este păstrată la minim. Metalele tranziționale, în particular, trebuie menținute la concentrații sub părți pe miliard, pentru aplicațiile electronice. În timp ce plăcuța de siliciu este tipul predominant de plăcuță semiconductoare folosit în industria electronică, alte tipuri de plăcuțe din compuși III-V sau II-VI au fost folosite de asemenea. Plăcuța din arsenură de galiu (GaAs) este unul dintre materialele semiconductoare din grupa III
Plăcuță semiconductoare () [Corola-website/Science/319796_a_321125]
-
de 400 °C). 2. Compozite cu matrice metalică - cel mai frecvent se bazează pe aliaje de aluminiu, magneziu, titan sau cupru, în care se introduc fibre de bor, de carbon (grafit) sau ceramice (de obicei de alumină sau carbură de siliciu). Temperatura de lucru (uzual de cel mult 800 °C) a unui astfel de compozit este limitată de nivelul punctului de înmuiere sau de topire care caracterizează materialul matricei. Dacă aplicația avută în vedere implică temperaturi mari, atunci se recomandă folosirea
Material compozit () [Corola-website/Science/319059_a_320388]
-
greutăți specifice mari, ducând la creșterea masivității structurii finale. 3. Compozite cu matrice ceramică - au fost dezvoltate în mod special pentru aplicațiile cu temperaturi foarte ridicate de lucru (peste 1000 °C); cele mai utilizate materiale de bază sunt carbura de siliciu (SiC), alumina (Al2O3) și sticla, iar fibrele de armare uzuale sunt tot de natură ceramică (de obicei sub formă de fibre discontinue, foarte scurte). 4. Compozite “carbon-carbon” - cu matrice de carbon sau de grafit și armare cu fibre sau țesături
Material compozit () [Corola-website/Science/319059_a_320388]
-
s-a întâmplat niciodată în râul Krossá de când au început măsurătorile. După scurt timp, nivelul apei a revenit la normal și temperatura a scăzut și ea. Eșantioane de cenușă vulcanică culese lângă locul erupției au arătat o concentrație bioxid de siliciu de 58%- mult mai ridicată decât în scurgerile de lavă. Concentrația de fluor solubil în apă este o treime a concentrației tipice pentru erupțile vulcanului învecinat Hekla, cu o valoare medie de 104 miligrame de fluor la un kilogram de
Erupțiile vulcanului Eyjafjallajökull din 2010 () [Corola-website/Science/319127_a_320456]
-
fi întâlnit un element chimic în natură (scoarța terestră, biosferă, atmosferă, hidrosferă) în comparație cu alte elemente, sau la frecvența izotopilor acelui element. Ea poate fi determinată de un anumit număr de factori. Elementele cele mai frecvent întâlnite în natură sunt oxigenul, siliciul, iar cele mai rare fiind produsele de dezintegrare ale franciului (astatin). Elementele din interiorul pământului, spre deosebire de cele din scoarța terestră, s-au scufundat în adâncime datorită unei densități mai mari și deoarece se află într-o stare de agregare fluidă
Abundență naturală () [Corola-website/Science/316568_a_317897]
-
alumină) este un compus anorganic cu formula chimică AlO. Este în general folosit în producerea aluminiului. Aluminiul este cel mai răspândit metal din natură și intră în compoziția argilelor. Ocupă locul 3 după răspândire între toate elementele:după oxigen și siliciu. Aluminiul este strâns legat de oxigen și siliciu în alumosilicați, din care este alcătuită scoarța terestră și care prin degradare se transformă în argile, baza care o constituie caolinitul. Se găsește de obicei în faza sa cristalin-polimorfică α-AlO, sub formă
Oxid de aluminiu () [Corola-website/Science/318764_a_320093]
-
AlO. Este în general folosit în producerea aluminiului. Aluminiul este cel mai răspândit metal din natură și intră în compoziția argilelor. Ocupă locul 3 după răspândire între toate elementele:după oxigen și siliciu. Aluminiul este strâns legat de oxigen și siliciu în alumosilicați, din care este alcătuită scoarța terestră și care prin degradare se transformă în argile, baza care o constituie caolinitul. Se găsește de obicei în faza sa cristalin-polimorfică α-AlO, sub formă de corindon, varietate care formează pietrele prețioase: rubinele
Oxid de aluminiu () [Corola-website/Science/318764_a_320093]
-
Aerogelul constituie o izolație termică bună, deoarece aproape neutralizează cele trei metode de transfer de căldură: convecția, conducția și radiația. Rezistența la transferul prin conductivitate este dată de componenta majoritar gazoasă. În special aici se evidențiază aerogelul pe bază de siliciu (SilicaGel), deoarece siliciul are de asemenea conducția termică mică. Rezistența la transferul convectiv este dată de faptul că aerul nu circulă în structura materialului, iar dacă folosim un gel pe bază de carbon, obținem o rezistență mică la transferul radiativ
Aerogel () [Corola-website/Science/318802_a_320131]
-
izolație termică bună, deoarece aproape neutralizează cele trei metode de transfer de căldură: convecția, conducția și radiația. Rezistența la transferul prin conductivitate este dată de componenta majoritar gazoasă. În special aici se evidențiază aerogelul pe bază de siliciu (SilicaGel), deoarece siliciul are de asemenea conducția termică mică. Rezistența la transferul convectiv este dată de faptul că aerul nu circulă în structura materialului, iar dacă folosim un gel pe bază de carbon, obținem o rezistență mică la transferul radiativ. De aceea cel
Aerogel () [Corola-website/Science/318802_a_320131]
-
fitoplancton. Majoritatea sunt unicelulare, deși pot trăi în colonii sub formă de filament sau funde. Ele sunt producătorii lanțului trofic. O trăsătură aparte a celulei diatomeei constă în aceasta fiind învelită într-un perete celular unic, format din dioxid de siliciu hidratat. Acesta se compune din două părți asimetrice, cu o fisură între ele - de unde și numele algei. Dovezile fosile sugerează că originează din timpul, sau înaintea, perioadei jurasice. le sunt folosite pentru monitorizarea condițiilor mediului și în studiul calității apei
Diatomee () [Corola-website/Science/316077_a_317406]
-
largă în tehnologia mobilă . În timp ce producătorii de memorii "flash" treceau de la tehnologia NOR la tehnologia NAND cu un singur nivel de celule (SLC), și recentul folosind celule cu mai multe nivele (MLC) flash NAND pentru a maximiza folosirea vopselei de siliciu și pentru a reduce costurile asociate, SSD-urile sunt acum numite mai adesea „discuri cu stare solidă”. La nivelul interfeței ele funcționează la fel ca și discurile. Se aplică în tehnologia mobilă în înterprinderi și la electronicele de larg consum
Solid-state drive () [Corola-website/Science/321119_a_322448]
-
programabile de memorie read-only în cazul în care logica de selecție nu selectează niciun bit de securitate a datelor. La început, cele mai multe memorii ROM erau fabricate având valorile 0 și 1 integrate în pastilă. Pastila reprezintă, de fapt, cipul din siliciu. Acestea se numesc memorii ROM cu mască, deoarece datele sunt inscripționate în masca cu care este realizată pastila ROM prin procedeul fotolitografic. Această metodă de fabricare este economică dacă se fabrică sute sau mii de cipuri ROM cu exact aceleași
Memorie ROM () [Corola-website/Science/321157_a_322486]
-
Microcontrollerele sunt calculatoare de dimensiuni reduse ce conține o unitate centrală de prelucrare, memorie și intrări/ieșiri programabile, toate pe aceeași pastilă de siliciu. Microcontrolerele folosesc arhitectura Harvard ce presupune separarea memoriei program de memoria de date. Astfel memoria program la microcontrollere este de tip ROM (Read Only Memory). Această memorie este nonvolatilă (nu își pierde conținutul odată cu întreruperea alimentării), ceea ce o face potrivită
Memoria Program la Microcontrollere () [Corola-website/Science/321151_a_322480]
-
în momentul în care se dorește ștergerea a unui singur octet. Timpii de citire la memoria FLASH sunt mai mari decât la EEPROM însă structura memoriei FLASH este mai densă, oferind capacități de memorare mai mari pe aceeași suprafață de siliciu, lucru dorit în cazul microcontrollerelor unde dimensiunile sunt limitate. În plus, costurile de fabricație pentru memoriile FLASH sunt mai mici în comparație cu cele pentru memoriile EEPROM.
Memoria Program la Microcontrollere () [Corola-website/Science/321151_a_322480]
-
mai ales CMOS. Cele 4 tranzistoare MOȘ formează sarcinile active pentru tranzistoarele utilizate în nodurile matricii de memorare. S-a ales această variantă în locul unor rezistente de sarcină deoarece un tranzistor MOȘ ocupă un spațiu mai redus în aria de siliciu, iar consumul de putere este mai mic. Dacă tranzistoarele matricei de memorare ar fi tranzistoare MOȘ obișnuite, la activarea liniei de cuvânt Wi, toate ieșirile ar fi puse la masa puse la masa (0000). Pentru a trece una din liniile
Circuite de memorie EPROM () [Corola-website/Science/321160_a_322489]
-
domeniul nanotehnologiei și la obținerea de materiale deosebite. Apariția diodei, inventată în 1904 de către fizicianul englez John Ambrose Fleming (1849 - 1945), poate fi considerată începutul electronicii. În 1906, americanul Greenleaf Whittier Pickard (1877 - 1956) realizează primul detector cu cristal de siliciu, precursor al diodei semiconductoare de mai târziu. Tranzistorii au fost concepuți, pe la jumătatea secolului XX, la Laboratoarele Bell Telephone Company, de fizicienii americani Walter Houser Brattain (1902 - 1987), John Bardeen (1908 - 1991) și William Bradford Shockley (1910 - 1989). Utilizarea electricității
Istoria electricității () [Corola-website/Science/320539_a_321868]