4,099 matches
-
respectivă, afirmând că acest fenomen se datorează unor radiații care în interacțiune cu peretele de sticlă produce acea luminescență galben verzuie. Inițial, s-au purtat discuții asupra acestor radiații, însă până la urmă s-a stabilit că sunt un flux de electroni ce se deplasează de la catod spre anod în tubul de descărcare. Radiațiile au fost denumite raze catodice și au proprietățile: 1. provoacă fluorescența unor substanțe 2. se propagă în linie dreaptă 3. posedă energie cinetică 4. nu impresionează placa fotografică
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
razele catodice sunt fluxuri de corpusculi negativi și că devierea lor este independentă de natura gazului din tub și de natura materialului din care sunt confecționați electrozii. Razele catodice sunt alcătuite din particule universal identice și au primit denumirea de electroni. Tot Goldstein în 1886, descoperă razele canal alcătuite din particule cu sarcină electrică pozitivă și că au proprietăți asemănătoare cu a razelor catodice, însă sensul de deviație în câmpuri magnetice și electrice este diferit. Tot în mod experimental s-a
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
diferit. Tot în mod experimental s-a stabilit că deviația razelor canal, în câmp magnetic sau electric, depinde de natura gazului din tub și de natura materialului din care sunt constituiți electrozii. Cap.3. Curentul electric în vid În vid, electronii sub acțiunea câmpului electric capătă o mișcare ordonată dând naștere la un curent electric. În tuburile electronice dioda, trioda etc., funcționează pe baza fluxurilor electronice ce se propagă în vidul acestora. Vom studia dioda și trioda. montajul electric a diodei
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
pe baza fluxurilor electronice ce se propagă în vidul acestora. Vom studia dioda și trioda. montajul electric a diodei: Tensiunea electrică UA continuă, dă naștere între anod și catod (cu încălzire directă sau indirectă), la un câmp electric ? deplasând electronii emiși, de catod spre anod sub acțiunea forței electrostatice ? . graficul intensității curentului electric de emisie IE în funcție de temperatura T a catodului: Prin ridicarea temperaturii T a catodului are loc o creștere a agitației termice dând naștere la un număr
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
anod sub acțiunea forței electrostatice ? . graficul intensității curentului electric de emisie IE în funcție de temperatura T a catodului: Prin ridicarea temperaturii T a catodului are loc o creștere a agitației termice dând naștere la un număr tot mai mare de electroni ce ies din catod, ceea ce face ca intensitatea curentului IE să crească, însă creșterea intensității curentului IE nu are loc în mod liniar. schemele diodei cu încălzire directă și indirectă a filamentului: La dioda cu încălzire directă, încălzirea filamentului se
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
internă:. ecuația internă a triodei: Cap.4. Semiconductori semiconductorii - corpuri solide a căror rezistivitate este cuprinsă între cea a metalelor și cea a izolatoarelor . Rezistivitatea ρ la semiconductori scade puternic cu creșterea temperaturii T, iar energia minimă necesară pentru trecerea electronilor din starea de electroni legați de atom în stare de electroni liberi este mai mică de 3 eV. conductivitatea la semiconductoare: reprezintă inversul rezistivității , iar unitatea de măsură este . graficul variației conductivității semiconductorului cu temperatura: Semiconductoarele. La temperaturi foarte coborâte
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
triodei: Cap.4. Semiconductori semiconductorii - corpuri solide a căror rezistivitate este cuprinsă între cea a metalelor și cea a izolatoarelor . Rezistivitatea ρ la semiconductori scade puternic cu creșterea temperaturii T, iar energia minimă necesară pentru trecerea electronilor din starea de electroni legați de atom în stare de electroni liberi este mai mică de 3 eV. conductivitatea la semiconductoare: reprezintă inversul rezistivității , iar unitatea de măsură este . graficul variației conductivității semiconductorului cu temperatura: Semiconductoarele. La temperaturi foarte coborâte apropiate de 0K devin
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
a căror rezistivitate este cuprinsă între cea a metalelor și cea a izolatoarelor . Rezistivitatea ρ la semiconductori scade puternic cu creșterea temperaturii T, iar energia minimă necesară pentru trecerea electronilor din starea de electroni legați de atom în stare de electroni liberi este mai mică de 3 eV. conductivitatea la semiconductoare: reprezintă inversul rezistivității , iar unitatea de măsură este . graficul variației conductivității semiconductorului cu temperatura: Semiconductoarele. La temperaturi foarte coborâte apropiate de 0K devin izolatoare, iar la temperaturi ridicate sunt conductoare
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
mai mică de 3 eV. conductivitatea la semiconductoare: reprezintă inversul rezistivității , iar unitatea de măsură este . graficul variației conductivității semiconductorului cu temperatura: Semiconductoarele. La temperaturi foarte coborâte apropiate de 0K devin izolatoare, iar la temperaturi ridicate sunt conductoare apreciabile. Între electronii atomilor de Ge vecini sunt legături covalente și primind o anumită energie de activare, legăturile covalente se rup, devenind electroni liberi. Locurile lăsate libere în rețeaua cristalină a Ge se numesc goluri și se comportă ca sarcini electrice încărcate pozitiv
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
cu temperatura: Semiconductoarele. La temperaturi foarte coborâte apropiate de 0K devin izolatoare, iar la temperaturi ridicate sunt conductoare apreciabile. Între electronii atomilor de Ge vecini sunt legături covalente și primind o anumită energie de activare, legăturile covalente se rup, devenind electroni liberi. Locurile lăsate libere în rețeaua cristalină a Ge se numesc goluri și se comportă ca sarcini electrice încărcate pozitiv. După apariția unui gol, un electron de la un atom vecin îl umple, lăsând în urma lui alt gol. Se deplasează astfel
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
legături covalente și primind o anumită energie de activare, legăturile covalente se rup, devenind electroni liberi. Locurile lăsate libere în rețeaua cristalină a Ge se numesc goluri și se comportă ca sarcini electrice încărcate pozitiv. După apariția unui gol, un electron de la un atom vecin îl umple, lăsând în urma lui alt gol. Se deplasează astfel, electronii liberi într-un sens, iar golurile se comportă ca niște particule fictive cu sarcină pozitivă, +e, având așa denumita mișcare 145 aparentă. În semiconductoare participă
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
liberi. Locurile lăsate libere în rețeaua cristalină a Ge se numesc goluri și se comportă ca sarcini electrice încărcate pozitiv. După apariția unui gol, un electron de la un atom vecin îl umple, lăsând în urma lui alt gol. Se deplasează astfel, electronii liberi într-un sens, iar golurile se comportă ca niște particule fictive cu sarcină pozitivă, +e, având așa denumita mișcare 145 aparentă. În semiconductoare participă la condiția electronii (negativi) și golurile (pozitive). tipuri de semiconductori: a) intrinseci (puri) și b
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
atom vecin îl umple, lăsând în urma lui alt gol. Se deplasează astfel, electronii liberi într-un sens, iar golurile se comportă ca niște particule fictive cu sarcină pozitivă, +e, având așa denumita mișcare 145 aparentă. În semiconductoare participă la condiția electronii (negativi) și golurile (pozitive). tipuri de semiconductori: a) intrinseci (puri) și b) extrinseci (impuri). La semiconducotii intrinseci concentrația electronilor este egală cu cea a golurilor: n0 = p0 = ni, iar la cei extrinseci concentrațiile purtătoare de sarcină mobili electroni și goluri
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
se comportă ca niște particule fictive cu sarcină pozitivă, +e, având așa denumita mișcare 145 aparentă. În semiconductoare participă la condiția electronii (negativi) și golurile (pozitive). tipuri de semiconductori: a) intrinseci (puri) și b) extrinseci (impuri). La semiconducotii intrinseci concentrația electronilor este egală cu cea a golurilor: n0 = p0 = ni, iar la cei extrinseci concentrațiile purtătoare de sarcină mobili electroni și goluri sunt diferite. semiconductori cu impurități: 1) tip n și 2) tip p. Un semiconductor tip n se obține când
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
la condiția electronii (negativi) și golurile (pozitive). tipuri de semiconductori: a) intrinseci (puri) și b) extrinseci (impuri). La semiconducotii intrinseci concentrația electronilor este egală cu cea a golurilor: n0 = p0 = ni, iar la cei extrinseci concentrațiile purtătoare de sarcină mobili electroni și goluri sunt diferite. semiconductori cu impurități: 1) tip n și 2) tip p. Un semiconductor tip n se obține când în cristalul de Ge se introduc atomi pentavalenți (arsen, fosfor). Purtătorii de sarcină majoritari sunt electronii, iar minoritari sunt
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
de sarcină mobili electroni și goluri sunt diferite. semiconductori cu impurități: 1) tip n și 2) tip p. Un semiconductor tip n se obține când în cristalul de Ge se introduc atomi pentavalenți (arsen, fosfor). Purtătorii de sarcină majoritari sunt electronii, iar minoritari sunt golurile, încât concentrația totală a electronilor liberi la echilibru termic este mai mare decât concentrația golurilor, încât ??0 ≫ ?0. Un semiconductor tip p se obține când în cristalul de Ge se introduc atomi trivalenți (bor, aluminiu, indiu
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
cu impurități: 1) tip n și 2) tip p. Un semiconductor tip n se obține când în cristalul de Ge se introduc atomi pentavalenți (arsen, fosfor). Purtătorii de sarcină majoritari sunt electronii, iar minoritari sunt golurile, încât concentrația totală a electronilor liberi la echilibru termic este mai mare decât concentrația golurilor, încât ??0 ≫ ?0. Un semiconductor tip p se obține când în cristalul de Ge se introduc atomi trivalenți (bor, aluminiu, indiu). În acest caz, majoritarii purtători de sarcină electrică sunt
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
concentrația golurilor, încât ??0 ≫ ?0. Un semiconductor tip p se obține când în cristalul de Ge se introduc atomi trivalenți (bor, aluminiu, indiu). În acest caz, majoritarii purtători de sarcină electrică sunt golurile, pe când purtătorii de sarcină electrică minoritară sunt electronii. La echilibru termic, concentrația golurilor este mai mare decât concentrația electronilor ??0 ≫ ?0. formula conductivității electrice a unui semiconductor cu impurități: б = e (pμp + nμn) , unde e - sarcina electronului p - concentrația golurilor μp - mobilitatea golurilor n - concentrația electronilor μn - mobilitatea
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
când în cristalul de Ge se introduc atomi trivalenți (bor, aluminiu, indiu). În acest caz, majoritarii purtători de sarcină electrică sunt golurile, pe când purtătorii de sarcină electrică minoritară sunt electronii. La echilibru termic, concentrația golurilor este mai mare decât concentrația electronilor ??0 ≫ ?0. formula conductivității electrice a unui semiconductor cu impurități: б = e (pμp + nμn) , unde e - sarcina electronului p - concentrația golurilor μp - mobilitatea golurilor n - concentrația electronilor μn - mobilitatea electronilor joncțiunea pn: Joncțiunea pn se produce prin difuziune la temperaturi
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
sarcină electrică sunt golurile, pe când purtătorii de sarcină electrică minoritară sunt electronii. La echilibru termic, concentrația golurilor este mai mare decât concentrația electronilor ??0 ≫ ?0. formula conductivității electrice a unui semiconductor cu impurități: б = e (pμp + nμn) , unde e - sarcina electronului p - concentrația golurilor μp - mobilitatea golurilor n - concentrația electronilor μn - mobilitatea electronilor joncțiunea pn: Joncțiunea pn se produce prin difuziune la temperaturi înalte a unor impurități, formându-se o regiune de tip n, continuată de o regiune de tip p.
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
minoritară sunt electronii. La echilibru termic, concentrația golurilor este mai mare decât concentrația electronilor ??0 ≫ ?0. formula conductivității electrice a unui semiconductor cu impurități: б = e (pμp + nμn) , unde e - sarcina electronului p - concentrația golurilor μp - mobilitatea golurilor n - concentrația electronilor μn - mobilitatea electronilor joncțiunea pn: Joncțiunea pn se produce prin difuziune la temperaturi înalte a unor impurități, formându-se o regiune de tip n, continuată de o regiune de tip p. Prin fenomenul de difuziune a purtătorilor de sarcină electrică
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
La echilibru termic, concentrația golurilor este mai mare decât concentrația electronilor ??0 ≫ ?0. formula conductivității electrice a unui semiconductor cu impurități: б = e (pμp + nμn) , unde e - sarcina electronului p - concentrația golurilor μp - mobilitatea golurilor n - concentrația electronilor μn - mobilitatea electronilor joncțiunea pn: Joncțiunea pn se produce prin difuziune la temperaturi înalte a unor impurități, formându-se o regiune de tip n, continuată de o regiune de tip p. Prin fenomenul de difuziune a purtătorilor de sarcină electrică care au concentrații
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
este format dintr-un cristal de germaniu sau siliciu, cu trei regiuni a căror tip de conducție alternează. Cele trei regiuni sunt: emițător (E), bază (B) și colector (C). tipuri de tranzitoare: pnp și npn: curent de goluri curent de electroni. montaj electric de amplificare cu tranzitor pnp: În circuitul emitorului se introduce o sursă de tensiune alternativă e, iar în circuitul colectorului, la bornele rezitorului ?? se obține tensiune ???? amplificată. Pentru a avea la bornele de ieșire o tensiune
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
osciloscop: Un tub de sticlă vid, de o anumită formă în care se găsesc: a) un tun electronic (termocatod și un sistem de electrozi cilindrici); b) două perechi de plăci de deflexie pe verticală și pe orizotală a fluxului de electroni prin aplicare diferitelor tensiuni electrice; c) ecranul fluorecent format dintr-un strat de luminofor depus pe peretele interior al ecranului de sticlă al tubului. Luminoforul are proprietatea de a emite lumină când este bombardat cu electroni. 7.2.2. Circuit
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]
-
orizotală a fluxului de electroni prin aplicare diferitelor tensiuni electrice; c) ecranul fluorecent format dintr-un strat de luminofor depus pe peretele interior al ecranului de sticlă al tubului. Luminoforul are proprietatea de a emite lumină când este bombardat cu electroni. 7.2.2. Circuit RLC serie. Studiul circuitului RLC serie se face în laboratorul de fizică cu ajutorul osciloscopului catodic și apoi în mod teoretic, folosind diagramele fazoriale. Se tratează în trei cazuri: 1), efect inductiv în circuitul alternativ; 2) ?
Compendiu de fizică. Nivel preuniversitar by Constantin Popa () [Corola-publishinghouse/Science/648_a_1386]