23 matches
-
8479 89 - - altele: 8479 89 30 - - - - Susținător mobil hidraulic pentru mine ...................... 1,7 - 8479 89 60 - - - - Aparate numite de "gresare centralizată" ................. 1,7 - 8479 89 65 - - - - Aparate destinate creșterii sau extragerii monocristalelor semiconductoare ............................... scutire - 8479 89 70 - - - - Aparate de depunere epitaxială pe discurile (wafers) semiconductoare ................................................................ scutire - 8479 89 73 - - - - Aparate pentru gravarea, delimitarea, degroșarea sau curățarea umedă a discurilor (wafers) semiconductoare sau a substratelor de afișare a cristalelor lichide ....................... scutire - 8479 89 77 - - - - Aparate de ștanțare și de lipire automată a
32005R1719-ro () [Corola-website/Law/294373_a_295702]
-
Țesături din lină Țesături cord Tricotaje Confecții Plăpumi și pleduri Seturi de lenjerie de pat Carne și produse din carne Lapte condensat Lapte praf degresat Produse lactate Caseina tehnică Caseinat de sodiu Discuri de fricțiune Împâslitura de sticlă electroizolanta Structuri epitaxiale Plăci de siliciu Veselă Mobilă Pianine și alte instrumente muzicale Aparatură medicală Servicii turistice și hoteliere. -----------
EUR-Lex () [Corola-website/Law/170201_a_171530]
-
a fi utilizată cu actinide sau fluoruri de actinide. 3B Echipamente de testare, inspecție și producție 3B001 Echipament pentru producerea dispozitivelor sau a materialelor semiconductoare și componentele și accesoriile lor special concepute pentru acestea, după cum urmează: a. echipament pentru creșterea epitaxială, după cum urmează: 1. echipament capabil să producă un strat din orice material, altul decât siliciu cu o uniformitate a grosimii mai mică de ± 2,5 % pe o distanță de 75 mm sau mai mare; 2. reactoare de depunere în faza
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
de 75 mm sau mai mare; 2. reactoare de depunere în faza de vapori prin procedeul chimic organometalic (MOCVD) special concepute pentru creșterea cristalelor semiconductorilor compuși prin reacția chimică dintre materialele menționate în 3C003 sau 3C004; 3. echipamente pentru creșterea epitaxială cu jet molecular care utilizează surse gazoase sau solide; b. echipamente concepute pentru placare ionică, care au oricare dintre următoarele caracteristici: 1. o energie a fascicolului (tensiune de accelerare) ce depășește 1 MeV; 2. concepute și optimizate special pentru a
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
ai dispozitivelor cu tranzistori la frecvențe ce depășesc 31,8 GHz; b. neutilizat; c. pentru testarea circuitelor integrate pentru microunde menționate în 3A001.b.2. 3C Materiale 3C001 Materiale heteroepitaxiale care constau într-un "substrat" cu straturi multiple suprapuse crescute epitaxial din oricare dintre următoarele: a. siliciu; b. germaniu; c. carbură de siliciu sau d. compuși III/V de galiu sau indiu. Notă tehnică: Compușii III/V sunt produse policristaline sau monocristaline binare sau complexe, care constau în elemente din grupele
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
secțiunii transversale echivalente radarelor folosite pentru "rachete" și subsistemele lor. 6C Materiale 6C002 Materiale pentru senzori optici, după cum urmează: a. telur (Te) ca element, cu un nivel de puritate egal sau mai mare de 99,9995 %; b. monocristale (inclusiv plachetele epitaxiale) de la oricare din următoarele: 1. telurură de cadmiu-zinc (CdZnTe) cu un conținut de zinc mai mic de 6 % din 'fracția molară'; 2. telurură de cadmiu (CdTe) de orice nivel de puritate sau 3. telurură de mercur-cadmiu (HgCdTe) de orice nivel
32006R0394-ro () [Corola-website/Law/295187_a_296516]
-
nu se clasifică la această poziție, elementele chimice de la Capitolul 28, cum sunt siliciul și seleniul, dopate în vederea utilizării lor în electronică, chiar decupate sub forma discurilor, plăcutelor sau formelor analoge, lustruite sau nu, care au sau nu un strat epitaxial uniform, cu condiția să nu fi făcut obiectul unui dopaj nici al unei difuzări selective, pentru a crea regiuni discrete. B. - DISPOZITIVELE FOTOSENSIBILE CU SEMICONDUCTORI Grupa cuprinde dispozitive fotosensibile cu semiconductori în care radiațiile vizibile, infraroșii sau ultraviolete provoacă, prin
EUR-Lex () [Corola-website/Law/166813_a_168142]
-
domeniile menționate în titlu, fie că ele sunt prezentate în forme de cilindri, bare etc., sau că ele sunt decupate în discuri, plachete sau forme analoage. Aceste cristale pot fi polizate sau nu, si acoperite sau nu cu un strat epitaxial uniform. Cele care au suferit prelucrări mai ample, în special cele care au fost obiectul unei difuzii selective, vor fi clasificate la poziția nr. 85.41, ca dispozitive cu semiconductoare. 38.19. LICHIDE PENTRU FRANE HIDRAULICE ȘI ALTE LICHIDE PREPARATE
EUR-Lex () [Corola-website/Law/166893_a_168222]
-
microfluorinată pentru fluride, actide sau actinide . 3B Echipamente de testare, inspecție și producție 3B001 Echipamente pentru producerea materialelor și dispozitivelor semiconductoare, ca următoarele, și componente ale acestora și accesorii special proiectate: a. Echipamente ''controlate de programe depozitate'' proiectate pentru mărire epitaxială, ca următoarele: 1. Echipamente capabile de producerea unui strat de grosime uniformă mai mică de ± 2,5 % peste o distanță de 75 mm sau mai mare; 2. Reactoare de depunere de vapori chimici organici metalici (MOCVD) special proiectate pentru mărirea
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
peste o distanță de 75 mm sau mai mare; 2. Reactoare de depunere de vapori chimici organici metalici (MOCVD) special proiectate pentru mărirea cristalelor semiconductoare compuse de reacția chimică între materialele specificate în 3C003 sau 3C004; 3. Echipamente de creștere epitaxială a fluxului molecular folosind surse solide sau de gaz; continuare 3B001 b. Echipament cu "program intern controlat" destinat pentru implementarea ionilor, care are oricare din următoarele: 1. O energie dirijată (tensiune de accelerație) care depășește 1 MeV; 2. Este special
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
asemenea menționată ca viteză de testare, frecvență digitală maximă sau viteză digitală maximă. c. Pentru testarea circuitelor integrate cu microunde specificate la 3A001. b. 2. 3C Materiale 3C001 Materiale etero-epitaxiale dintr-un "substrat" care are straturi multiple suprapuse prin creștere epitaxială, formate din oricare din următoarele: a. Siliciu; b.Germaniu; sau c. Compuși III/V de galiu sau indiu; Notă tehnică: Compușii III/V sunt produse policristaline sau monocristaline binare sau complexe, care se compun din elemente din grupele IIIA și
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
mult; b. Cristale separate de telurid de cadmium zinc (CdZnTe), cu un continut de zinc mai mic de 6% din greutate (pondere), sau telurid de cadmium (CdTe), sau telurid de cadmium mercur (HgCdTe) cu orice nivel de puritate, incluzând capsule epitaxiale din acestea. 6C004 continuare 6C004 Materiale optice, după cum urmează: a. Selenid de zinc (ZnSe) și sulfid de zinc (ZnS) " produse (sterile) de substrat " produse prin procesul de depozitare a vaporilor chimici, având următoarele caracteristici: 1. Un volum mai mare de
jrc4712as2000 by Guvernul României () [Corola-website/Law/89878_a_90665]
-
transversale echivalente radarelor folosite pentru "rachete" dirijate și subsistemele lor. 6C MATERIALE 6C002 Materiale pentru senzori optici, după cum urmează: a. Telur (Te) ca element, cu un nivel de puritate egal sau mai mare de 99,9995%; b. Monocristale (incluzând plachetele epitaxiale) de la oricare din următoarele: 1. Telurura de cadmiu-zinc (CdZnTe) cu un conținut de zinc mai mic de 6% din 'fracția molara'; 2. Telurura de cadmiu (CdTe) de orice nivel de puritate; sau 3. Telurura de mercur-cadmiu (HgCdTe) de orice nivel
EUR-Lex () [Corola-website/Law/170739_a_172068]
-
Țesături cord Tricoteje Confecții Plăpumi și pleduri Seturi de lenjerie pentru pat Lapte condensat Lapte praf degresat Produse lactate Caseina tehnică Caseinat de sodiu Făină Discuri de fricțiune Împîslitura de sticlă electroizolanta Componente electronice (circuite integrate, tranzistoare, C.I.P. ș.a.) Structuri epitaxiale Plăci de siliciu Aparate pentru cantine Mobilă Instrumente muzicale Aparatură medicală. Anexă 2 LISTA INFORMATIVA a principalelor mărfuri și servicii pentru exportul din România în Republică Belarus în anul 1992 Tablă din oțel (laminata la rece și la cald) Țevi
EUR-Lex () [Corola-website/Law/137128_a_138457]
-
de la concepție până la livrare. Aceste costuri pot fi reduse semnificativ prin utilizarea instrumentelor M&S în proiectare, pentru optimizarea produselor și proceselor în domeniul virtual, înainte de angajarea resurselor pentru producția fizică. În industria electronică, modelele precise ale procesului de creștere epitaxială ajută la maximizarea productivității producției de fabricare a plăcuțelor semiconductoare ("wafers") pentru microcipuri. Avionul Boeing 777 și automobilul de sport Dodge Viper sunt exemple remarcabile ale modului în care instrumentele M&S pot reduce considerabil costurile și timpul necesare pentru
Modelul unui sistem () [Corola-website/Science/320620_a_321949]
-
și frecat într-o singură direcție cu o cârpă, se observă că moleculele de cristale lichide aflate în contact cu suprafața se aliniază cu direcția frecării. Mecanismul actualmente acceptat pentru acest lucru se crede că este o creștere a creșterii epitaxiale a straturilor de cristal lichid pe lanțurile de polimer parțial aliniate în apropiere de straturile superficiale ale poliimidei. Concurența între orientarea produsă de ancorarea la suprafață și de efectele câmpului electric sunt adesea exploatate în dispozitive cu cristale lichide. Dacă
Cristal lichid () [Corola-website/Science/314335_a_315664]
-
decaparea. Formarea de nanoparticule prin ablație laser femtosecundă Pulsurile ultrascurte tip femtosecundă folosite la ablația materialelor conduc la depunerea de filme radical diferite de cele obținute prin procedeul PLD clasic nanosecundă (ns). Pentru aplicații specifice, se pot crea filme subțiri epitaxiale, în timp ce, pentru majoritatea materialelor, filmele subțiri obținute prin PLD sunt constituite prin stivuirea aleatorie de nanoparticule (Np), cu dimensiuni de 10-100 nm. Prin urmare, PLD femtosecundă a fost considerat drept o metodă viabilă și eficientă pentru sinteza de Np pentru
MARCAREA PRIN MICROPERCUŢIE ŞI CU FASCICUL LASER A UNOR MATERIALE by ŞTEFAN RUSU () [Corola-publishinghouse/Science/1607_a_2906]
-
fie orientat astfel încât normala la planul de difracție să fie coplanară cu fascicolul incident și cel difractat și unghiul între fascicolul difractat și cel incident să fie egal cu unghiul Bragg θhkl . Pentru un monocristal sau pentru un film subțire epitaxial, există o singură orientare a probei pentru fiecare plan (h,k,l) care satisface aceste condiții de difracție. Fig. 6.5. Reprezentarea unor plane atomice și distanțele interplanare aferente, într-un cristal cubic simplu (a) și indicii Miller ai planelor
MARCAREA PRIN MICROPERCUŢIE ŞI CU FASCICUL LASER A UNOR MATERIALE by ŞTEFAN RUSU () [Corola-publishinghouse/Science/1607_a_2906]
-
numai că fascicolul incident este mai întâi difractat pe un monocristal (plasat lângă punctul F în Fig. 6.6a). Se asigură astfel că lățimea picului de difracție să fie îngustă, permițând astfel efectuarea de măsurători de mare precizie. Pentru filme epitaxiale ultrasubțiri (< 100 Ǻ) - metoda preferată este difracția cu fascicol incident Grazing (GIXD) [151] și este utilizată pentru măsurarea filmelor monostrat. Aici, unghiul de incidență este mic (~0,50) iar fascicolul de raze X penetrează proba pe o adâncime de 100-200
MARCAREA PRIN MICROPERCUŢIE ŞI CU FASCICUL LASER A UNOR MATERIALE by ŞTEFAN RUSU () [Corola-publishinghouse/Science/1607_a_2906]
-
elice neelectrice(1) - ex --- Altele: 8479.89.30 ---- Susținător mobil hidraulic pentru mine - 10 8479.89.60 ---- Aparate numite de "gresare centralizată" - 10 8479.89.65 ---- Aparate destinate creșterii sau extragerii monocristalelor semiconductoare - ex 8479.89.70 ---- Aparate de depunere epitaxială pe discurile (wafers) semiconductoare - ex 8479.89.73 ---- Aparate pentru gravarea, delimitarea, degroșarea sau curățarea umedă a discurilor (wafers) semiconductoare, inclusiv a substratelor de afișare a cristalelor lichide - ex 8479.89.77 ---- Aparate de stanțare și de lipire automată a
EUR-Lex () [Corola-website/Law/146940_a_148269]
-
transversale echivalente radarelor folosite pentru "rachete" dirijate și subsistemele lor. 6C MATERIALE 6C002 Materiale pentru senzori optici, după cum urmează: a. Telur (Te) ca element, cu un nivel de puritate egal sau mai mare de 99,9995%; b. Monocristale (incluzând plachetele epitaxiale) de la oricare din următoarele: 1. Telurura de cadmiu-zinc (CdZnTe) cu un conținut de zinc mai mic de 6% din 'fracția molara'; 2. Telurura de cadmiu (CdTe) de orice nivel de puritate; sau 3. Telurura de mercur-cadmiu (HgCdTe) de orice nivel
EUR-Lex () [Corola-website/Law/171459_a_172788]
-
implică inducerea bolilor cu deficit sau a celor cu exces energetic, atunci depistarea mecanismelor, prin care temperatura, pH-ul și presiunea pot influența biosinteza unor substanțe cristaline (oxalați, citrați, urați etc.) sau amorfe (substanțe active farmacologic) fiind posibilă, când creșterea epitaxială patologică produce exces sau deficit cu apariția concomitentă a durerii, ca un diagnostic global circumscris pentru orice afecțiune (evoluție de la cenestezie → cenestopatie → boală: deficit/exces energetic local și/sau generalizat și/sau invers), prin care se intervine pentru înlăturarea durerii
Fitoterapie clinică by Gabriela Anastasiu, Vasile Bodnar () [Corola-publishinghouse/Science/1133_a_2094]
-
elice neelectrice(1) - ex --- Altele: 8479.89.30 ---- Susținător mobil hidraulic pentru mine - 10 8479.89.60 ---- Aparate numite de "gresare centralizată" - 10 8479.89.65 ---- Aparate destinate creșterii sau extragerii monocristalelor semiconductoare - ex 8479.89.70 ---- Aparate de depunere epitaxială pe discurile (wafers) semiconductoare - ex 8479.89.73 ---- Aparate pentru gravarea, delimitarea, degroșarea sau curățarea umedă a discurilor (wafers) semiconductoare, inclusiv a substratelor de afișare a cristalelor lichide - ex 8479.89.77 ---- Aparate de stanțare și de lipire automată a
EUR-Lex () [Corola-website/Law/149751_a_151080]