4 matches
-
dispozitive ce corespund descrierii de mai sus 0 ex. 8542 30 10 03 Placheta, inca netăiata în cipuri, din arseniura de galiu (GaAs) ca material semiconductor, constînd numai din amplificatoare cu o putere la ieșire de 25 dBm (decibeli per miliwatt) în gamă de frecvență de la 1850 MHz până la 1950 MHz, care cuprind comutatoare de radiofrecvența (RF), pentru utilizare în fabricarea produselor de la secțiunea 8542 30 30, inclusă într-o carcasa purtând: - un marcaj de identificare reprezentând sau incluzând următoarele combinații
jrc3122as1996 by Guvernul României () [Corola-website/Law/88278_a_89065]
-
pulsuri. Durata pulsului poate varia de la o zecime de secundă până la câteva femtosecunde (10-15 sec), sau, mai nou, attosecunde (10-18 sec). Pulsurile pot fi produse într-o frecvență de la unul la câteva mii pe secundă. Puterea medie poate varia între miliwatti și kilowatti, cu puterea maximă/de vârf tinzând spre valori de ordinul gigawattilor. Unii laseri pot fi reglați pentru a emite într-o gamă de mai multe lungimi de undă [14]. Eficiența Pot fi definite mai multe randamente de generare
MARCAREA PRIN MICROPERCUŢIE ŞI CU FASCICUL LASER A UNOR MATERIALE by ŞTEFAN RUSU () [Corola-publishinghouse/Science/1607_a_2906]
-
și plasați într-o structură sandwich între două plăci ceramice conductoare termic. Materialul semiconductor este, în general, Bi2Te3. Astfel de dispozitive, în conjuncție cu circuite de power management special proiectate pentru aplicații de energy harvesting, realizează puteri electrice de ordinul miliwatt-ului în condiții de câteva grade diferență de temperatură. Figura 5.13 Schemă electrică pentru captarea energiei termice([59]Ă Cu o astfel de schemă se pot alimenta microcontrolere moderne de consum redus, la puterea obținută putându-se asigura un
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1069]
-
și plasați într-o structură sandwich între două plăci ceramice conductoare termic. Materialul semiconductor este, în general, Bi2Te3. Astfel de dispozitive, în conjuncție cu circuite de power management special proiectate pentru aplicații de energy harvesting, realizează puteri electrice de ordinul miliwatt-ului în condiții de câteva grade diferență de temperatură. Figura 5.13 Schemă electrică pentru captarea energiei termice([59]Ă Cu o astfel de schemă se pot alimenta microcontrolere moderne de consum redus, la puterea obținută putându-se asigura un
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1090]