12 matches
-
pixelilor. Dispozitivul cu cristale lichide constă într-un strat de cristale lichide inserat între două plăci de sticlă. Placa exterioară de sticlă este acoperită cu un strat metalic cu rezistivitate și conductivitate electrică. Modulul are la bază tehnologia TFT ("thin-film transistor") a ecranului plat cu matrice activă. Dimensiunile acestuia sunt de 34,5 (L) x 35,3 (Î) x 16,5 (A), iar diagonala ecranului de 38,1 cm (15 inchi). 8548 90 90 Clasificarea se stabilește în conformitate cu regulile generale 1
32006R0957-ro () [Corola-website/Law/295339_a_296668]
-
atingere)", constând într-un dispozitiv cu cristale lichide cu matrice activă, dotat cu o unitate de retroiluminare ("backlight"), cu invertoare și cu circuite imprimate incorporând exclusiv comanda electronică de control necesară adresării pixelilor. Modulul are la bază tehnologia TFT ("thin-film transistor") a ecranului plat cu matrice activă (TFT). Dimensiunile acestuia sunt de 75,9 (L) x 44,9 (Î) x 4,9 (A), diagonala ecranului de 81,6 cm (32 inchi), iar rezoluția de 1 366 x 768 pixeli. 8529 90
32006R0957-ro () [Corola-website/Law/295339_a_296668]
-
guvernamentală secretă. În această perioadă, a fost gazda unei emisiuni radio de talk show sub pseudonimul "Jon Gold" și a scris o carte, "The Murder of a City, Tacoma (Uciderea unui oraș, Tacoma)", care a fost publicată în 1970 de Transistor Publishing Company. United States House Select Committee on Assassinations a declarat că seamănă cu oricare dintre cei „trei vagabonzi”, cu toate acestea Crisman nu se afla în Piața Dealey din Dallas, Texas în ziua asasinatului (22 noiembrie 1963).
Fred Crisman () [Corola-website/Science/336442_a_337771]
-
capacitiv-inductiv) și un invertor. Comanda tranzistoarelor invertorului este dată de un microprocesor și are la bază metoda modulării în lățime a impulsurilor (în engleză PWM - Pulse Width Modulation). Tranzistoarele sunt de obicei de tip IGBT (în engleză Insulated Gate Bipolar Transistor), și ele comută la frecvențe de ordinul 10-20 kilohertzi. Mărirea acestei frecvențe produce un curent mai “sinusoidal” prin motor, însă proporțional cresc și pierderile de comutație; alt dezavantaj este reducerea lungimii maxime permise a cablului electric dintre variator și motor
Variator de frecvență () [Corola-website/Science/311265_a_312594]
-
de cineva care gafează vrând să fie ironic" < sarca[sm] + [cata]strophe; Spanglish "engleză vorbită cu accent și cu elemente lexicale spaniole" < Span[ish] + [En]glish; stagfletion "stagnare economică și inflație" < stag[nation] + [in]flation; telethon < tele[vision] + [mara]thon; transistor < tran[sfer] + [re]sistor; zonkey "măgar cu părul vărgat" < z[ebra] "zebră" + [d]onkey "măgar"64; fr. progiciel "produs informatic" < pro[duit] + [lo]giciel "software"; magh. ucsora "masă luată între gustarea de după-amiază și cină (sau în loc de ambele)" < u[zsona
Condensarea lexico-semantică by Emil Suciu [Corola-publishinghouse/Science/925_a_2433]
-
Capitolul 2 Unitatea centrală de prelucrare a sistemelor embedded Construcția și tehnologia sistemelor embedded 52 Figura 2.29 Structura procesorului ARM920T ([53]Ă Caracteristicile unui sistem ARM920TDMI tipic sunt: Proces tehnologic de fabricație de 0.25 microni, 4 straturi metalice; Transistoare echivalente 2,500,000; Viteză de calcul 220 MIPS; Arie siliciu 23-25 mm2; Putere disipată 560 mW; Alimentare Vdd 2.5V; Frecvență de tact 0-200 MHz; Eficiență energetică 390 MIPS/W; Standardul AMBA definește modul de conectare al procesorului cu
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1069]
-
Pantazica, Sever Pasca, “Integration of a Pletysmographic Sensor for Pulse Measurements in a ZigBee Medical Network”, The 8th International Symposium on Advanced Topics in Electrical Engineering, ATEE2013, București, Romania, 2013. [64] Alexandru Vasile, “Programmable electronic timing module. Technological evolution from transistor to microcontroller”, The 10th International Symposium for Design and Technology for Electronic Packages, SIITME 2004, Bucuresti, Construcția și tehnologia sistemelor embedded 216 Romania, 2004, pp.158-161. [65] Andrei Drumea, Paul Svasta, Ioana Ilie, “Electronic Module Based on System on Chip
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1069]
-
depanare și testare JTAG, unitate de management a memoriei (MMU), interfață pentru coprocesoare externe și magistrală de comunicație AMBA - Advanced Microcontroller Bus Architecture. Caracteristicile unui sistem ARM920TDMI tipic sunt: Proces tehnologic de fabricație de 0.25 microni, 4 straturi metalice; Transistoare echivalente 2,500,000; Viteză de calcul 220 MIPS; Arie siliciu 23-25 mm2; Putere disipată 560 mW; Alimentare Vdd 2.5V; Frecvență de tact 0-200 MHz; Eficiență energetică 390 MIPS/W; Standardul AMBA definește modul de conectare al procesorului cu
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1090]
-
Pantazica, Sever Pasca, “Integration of a Pletysmographic Sensor for Pulse Measurements in a ZigBee Medical Network”, The 8th International Symposium on Advanced Topics in Electrical Engineering, ATEE2013, București, Romania, 2013. [64] Alexandru Vasile, “Programmable electronic timing module. Technological evolution from transistor to microcontroller”, The 10th International Symposium for Design and Technology for Electronic Packages, SIITME 2004, Bucuresti, Construcția și tehnologia sistemelor embedded 216 Romania, 2004, pp.158-161. [65] Andrei Drumea, Paul Svasta, Ioana Ilie, “Electronic Module Based on System on Chip
CONSTRUCŢIA ŞI TEHNOLOGIA SISTEMELOR EMBEDDED by Andrei DRUMEA () [Corola-publishinghouse/Science/674_a_1090]
-
Tensiunea de saturație tipică pentru un tranzistor de putere cu siliciu este de circa 1,1 V. 3.1.6. Tranzistorul MOS de putere Tranzistorul MOS (Metal Oxide Semiconductor) de putere este un tranzistor cu efect de câmp (FET-Field Effect Transistor) care are multiplicat numărul de canale prin care trece curentul de drenă. Interesul acordat semiconductoarelor cu efect de câmp este datorat faptului că acestea sunt comandate în tensiune și nu în curent, ceea ce înseamnă că necesită un curent mediu de
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
și în consecință structura Bi-MOS se află în starea off. Acest tip de integrare funcțională (Bi-MOS) a fost dezvoltat și în direcția structurii pnpn obținându-se un dispozitiv ce poartă denumirea de tranzistor bipolar cu poartă izolată (IGBT-Insulated Gate Bipolar Transistor), Fig. 3.12b. Avantajul esențial al dispozitivelor Bi-MOS, respectiv IGBT îl constituie puterea practic nulă consumată pe poartă în timpul funcționării și căderea de tensiune redusă în starea de conducție. 3.1.8. Tiristorul controlat MOS-MCT Tiristorul controlat MOS-MCT (MOS Controlled
COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETICĂ SURSE DE PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE by Adrian BARABOI, Maricel ADAM, Sorin POPA, Cătălin PANCU () [Corola-publishinghouse/Science/733_a_1332]
-
husă de plastic gri. L-ai adoptat imediat. Ai început să urmărești regulat știrile și o mulțime de emisiuni despre teatru, muzică, cărți, sănătate, științe. Tu, căreia-ți repugna să folosești cuvinte noi, ți-ai însușit fără ezitare termenul de transistor și diminutivul său, transistoraki. -N-ai văzut din întâmplare transistoraki-al meu? mă întrebai. Uneori era în baie, alteori în grădină. Era ca un fel de mică școală ce te însoțea peste tot. Timpul pe care i-l consacrai s-a diminuat
Vasilis Alexakis - Te voi uita în fiecare zi by Elena Lazăr () [Corola-journal/Journalistic/9804_a_11129]